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Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de ZnTe sur GaAs(001): une etude par diffraction de rayons-X sous incidence rasante
SIGLEAvailable from INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : T 79724 / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc
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Este trabalho trata do estudo de monocristais utilizando difração de raios-x (Câmara de Lang) a qual foi aplicada ao estudo de monocristais de silÃcio e de sulfato de triglicina. No estudo de monocristais de silÃcio, abordou-se detalhadamente a técnica de decoração de defeitos utilizando cobre como agente decorador. Foram analisadas topografias obtidas de ambos os cristais visando uma descrição qualitativa da perfeição cristalina dos mesmosThe porpouse of this work is to study single crystals using x-ray diffraction techniques. Na x-ray topographic camera (Lang camera) was developed and applied to study silicon and triglicine sulfate single crystals. Copper decoration was used to reveal deffects in silicon crystals. The topographies obtained from both crystals were analized for an qualitative description of their crystalline perfectio
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Este trabalho trata do estudo de monocristais utilizando difração de raios-x (Câmara de Lang) a qual foi aplicada ao estudo de monocristais de silÃcio e de sulfato de triglicina. No estudo de monocristais de silÃcio, abordou-se detalhadamente a técnica de decoração de defeitos utilizando cobre como agente decorador. Foram analisadas topografias obtidas de ambos os cristais visando uma descrição qualitativa da perfeição cristalina dos mesmosThe porpouse of this work is to study single crystals using x-ray diffraction techniques. Na x-ray topographic camera (Lang camera) was developed and applied to study silicon and triglicine sulfate single crystals. Copper decoration was used to reveal deffects in silicon crystals. The topographies obtained from both crystals were analized for an qualitative description of their crystalline perfectio
General outstanding considerations on legal issues applied to autonomous vehicles
International audienceEven if there are many differences between the autonomous vehicles and aviation, we have tried to show that the long history of automation in airplanes can be a source of inspiration to understand some legal aspects necessary to allow autonomous cars on the streets. Independent on the technological evolution, the premise of this work is to ask the questions that must be faced if a fatal accident involving an autonomous vehicle occurs. In this sense, criminal issues will arise and the autonomous vehicles will be put under legal scrutiny
Structures hybrides MnAs/GaAs (de la croissance aux propriétés de transport tunnel polarisé en spin)
PARIS-BIUSJ-Thèses (751052125) / SudocPARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocSudocFranceF
Propriétés magnétiques, électriques et structurales et transport polarisé en spin dans des structures hybrides MnAs-GaAs
Le couplage d'un métal ferromagnétique (MF) à un semiconducteur (SC) permettrait d'intégrer le nouveau degré de liberté que constitue le spin aux propriétés logiques et optiques des semiconducteurs. L'élaboration de jonctions tunnel magnétiques couplant ces deux types de matériaux présente des difficultés intrinsèques à leurs conditions de croissance. En effet, à la température de croissance optimale de la barrière semiconductrice (~580C), une forte interdiffusion à l'interface MF/SC réduit les effets de magnétorésistance. De ce fait, la barrière doit être élaborée à basse température, résultant dans l'incorporation d'antisites d'As dans la barrière SC.Le couple MnAs/GaAs est un bon candidat pour la réalisation de jonctions MF/SC grâce à la faible réactivité et à la forte polarisation à l'interface. Nous avons étudié des JTM MnAs/SC III-V/clusters de MnAs dans une matrice de GaAs (GaAs:MnAs), lesquelles le protocole de croissance de l'électrode inférieure (recuit in situ d'une couche de GaMnAs à T>500C) permet d'augmenter considérablement la qualité structurale et chimique de la barrière.Ce travail a été réalisé en trois parties. Tout d'abord, les conditions d'élaboration des couches de GaAs:MnAs/GaAs(001) et de MnAs/GaAs(001) ont été optimisées. Ensuite, nous avons mené des études originales de microscopie à gradient de force magnétique et de spectroscopie de photoémission réalisées sur des couches de MnAs, pour la première, et de GaMnAs, MnAs et GaAs:MnAs, pour la deuxième, ont permis de faire ressortir des informations importantes pour leur intégration dans l'électronique de spin. Enfin, une étude du transport tunnel polarisé en spin a été conduite les JTM.PARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocSudocFranceF
Comportement magnétique des systèmes hybrides granulaires et modélisation de la surface des couches minces de MnAs épitaxiés sur GaAs(111)B
PARIS-BIUSJ-Thèses (751052125) / SudocPARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocSudocFranceF
Etude de la croissance et les propriétés structurales, chimiques et magnétiques de structures hybrides GaSe-Fe, ZnSe-Fe granulaires et MnAs/GaAs(111) vicinal
PARIS-BIUSJ-Thèses (751052125) / SudocPARIS-BIUSJ-Physique recherche (751052113) / SudocSudocFranceF
Effects of voids on thermal-mechanical reliability of lead-free solder joints
Reliability of electronic packages has become a major issue, particularly in systems used in electrical or hybrid cars where severe operating conditions must be met. Many studies have shown that solder interconnects are critical elements since many failure mechanisms originate from their typical response under thermal cycles. In this study, effects of voids in solder interconnects on the electronic assembly lifetime are estimated based on finite element simulations
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