TEMPERATURE-DEPENDENCE OF SILICON DOPING OF GAAS BY SIH4 AND SI2H6 IN ATMOSPHERIC-PRESSURE METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

Contains fulltext : 112595.pdf (publisher's version ) (Open Access

DOPANT INCORPORATION DURING LP-VPE OF GaAs

Une étude du dopage avec Te et S de couches épitaxiées de GaAs dans le système HCl-Ga-AsH3-H2 à des pressions réduites à été faite. Te était ajouté à la source de Ga et H2S injecté dans la région de dépôt. Pour les 2 dopants, la réduction de la pression d'H2 conduit à augmenter les concentrations de dopant dans les couches. L'utilisation de concentrations de la phase gazeuse plus grandes que celles donnant les plus forts dopages accessibles (3xl018 cm-3 pour S, 6x1018 cm-3 pour Te) conduit à des valeurs réduites de la mobilité des électrons. De ce comportement, nous concluons que l'incorporation des dopants continue sous une forme neutre au-delà de ces concentrations. Un modèle qualitatif décrivant les résultats obtenus sur l'incorporation des dopants est présenté.A study was made of the doping of epitaxial GaAs films with Te and S in the HCl-Ga-AsH3-H2 system at reduced pressures using Te added to the Ga source or H2S injected in the deposition region. For both dopants reduction of the H2 pressure leads to increased dopant concentrations in the films. The use of gas phase concentrations larger than those yielding the maximum attainable electron concentrations (3x1018 Cm-3 for S, 6xl0l8cm-3 for Te) leads to reduced values for the electron mobility. It is concluded from this behavior that the uptake of dopants continues in neutral form beyond these concentrations. A qualitative model describing the data on dopant incorporation is presented