Characterization of the manufacturing processes to grow triple-junction solar cells

A number of important but little-investigated problems connected with III-V/Ge heterostructure in the GaInP/GaInAs/Ge multijunction solar cells grown by MOVPE are considered in the paper. The opportunity for successfully applying the combination of reflectance and reflectance anisotropy spectroscopy in situ methods for investigating III-V structure growth on a Ge substrate has been demonstrated. Photovoltaic properties of the III-V/Ge narrow-band subcell of the triple-junction solar cells have been investigated. It has been shown that there are excess currents in the Ge photovoltaic p-n junctions, and they have the tunneling or thermotunneling character. The values of the diode parameters for these current flow mechanisms have been determined. The potential barrier at the III-V/Ge interface was determined and the origin of this barrier formation during MOVPE heterogrowth was suggested

Experimentelle Untersuchung zur Wirkung von Druckdifferenzen in Melkzeugen mit periodischem und kontinuierlichem Lufteinlass auf Merkmale der Melkbarkeit und Zitzenbeschaffenheit

Beim maschinellen Milchentzug bei 18 Kuehen wurden die Faktoren periodischer- bzw. kontinuierlicher Lufteinsatz mit 4 verschiedenen Druckverhaeltnissen im Pulsraum waehrend der Druckphase (=Druckdifferenz) vergleichend geprueft. Die Gesamtmilchmengenleistungen und die Maschinenhauptgemelke blieben von den untersuchten Kombinationen unbeeinflusst. Mit zunehmender Druckdifferenz wurde eine Zunahme der Nachgemelke festgestellt. Kutimetermessungen an der Zitze zeigten keine chronischen Reaktionen auf die Behandlungen. Mit zunehmender Druckdifferenz wurden die Messwerte aber gleich nach dem Melken kleinerAvailable from: Hohenheim Univ., Stuttgart (Germany, F.R.). Universitaetsbibliothek / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekSIGLEDEGerman

1.3 \mathrmμm luminescence and gain from defect-free InGaAs-GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition

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