Propiedades magnetoeléctricas de una memoria magnetorresistiva basada en películas de FeCoNi/TiN/FeCoNi

[ES] Se ha diseñado un dispositivo de memoria para la grabación y lectura de información basado en el efecto de la anisotropía magnetorresistiva de una multicapa fabricada por sputtering mediante diodo de rf. El elemento de memoria se compone de tres películas delgadas, de composición Fe15Co20Ni65(160Å)/ TiN(50Å)/Fe15Co20Ni65(160Å). El dispositivo permite procesos de grabación y lectura estables, y se compone de 32 elementos de memoria rectangulares por columna, donde cada elemento tiene dimensiones de ¿m lo que permite la fabricación de memorias integradas con capacidades del orden de 106 bits. Se han ensayado elementos de memoria rectangulares de diferentes tamaños, con las esquinas redondeadas con objeto de conseguir procesos de lectura-escritura lo más estable posible. Se han analizado comparativamente los efectos de magnetorresistencia y magnetoimpedancia de los elementos de memoria de diferentes dimensiones. Sugerimos que la disminución del valor absoluto de la magnetoimpedancia del elemento de memoria es consecuencia de la reducción de la parte real, de origen magnetorresistivo.[EN] A miniaturised memory device for information recording and readout processes have been designed on the basis of anisotropic magnetoresistive effect in Fe15Co20Ni65(160Å)/ TiN(50Å)/Fe15Co20Ni65(160Å) three-layered film done by rf diode sputtering. Stable recording and readout processes were available for 32 rectangular element column, where each element had ¿m dimensions convenient to fabricate memory chip with 106 bits capacity. Rectangles of different sizes with removed corners were used in order to define the geometry of most of all stable recording and readout processes. Magnetoresistance and magnetoimpedance effects of a magnetic memory device have been comparatively analysed. We suggest that the decrease of the absolute value of the magnetoimpedance of the memory device comes from the reduction of the real part via the magnetoresistance.Dr. G.V.Kurlyandskaya acknowledges the financial support of the Basque Government. The work has been supported by the Basque Government under the project N PI97/113 and Spanish CICYT under project MAT-98/965. We thank J. L. Muñoz for helpful discussion.Kurlyandskaya, G.; Barandiarán García, JM.; García Miquel, ÁH.; Vázquez Vilalabeitia, M.; Vaskovskiy, V.; Svalov, A. (2000). High frequency and magnetoelectrical properties of magnetoresistive memory element based on FeCoNi/TiN/FeCoNi film. Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio. 39(4):581-583. https://doi.org/10.3989/cyv.2000.v39.i4.824S58158339

Ferromagnetic resonance in metallic glasses

[EN] In the presently work ferromagnetic resonance (FMR) of metallic glasses in microwires form of composition (FexCo1-x)72.5 Si12.5 B15 has been measured. The ferromagnetic resonance frequency of amorphous magnetic microwires has been obtained from power absorption measurements in the microwave frequency range. The experimental technique here employed consists on the replacement of the dielectric of a coaxial transmission line by the sample to be measured. From the evolution of the resonance frequency with a dc applied magnetic field, the anisotropy field of the microwires has been deduced, and successfully compared to that obtained from quasi-static hysteresis loops.[ES] En el presente trabajo se ha medido la frecuencia de resonancia ferromagnética (FMR) de vidrios metálicos en forma de microhilos de composición (FexCo1-x)72.5 Si12.5 B15. Estos microhilos constan de un núcleo magnético de unas 5µm de diámetro y una cobertura de vidrio, siendo el diámetro total de entre 10 y 15 µm según la muestra. La técnica experimental empleada consiste en la sustitución del dieléctrico de una línea de transmisión coaxial por los microhilos a medir, y en la medida de la absorción de potencia a frecuencias de microondas. Para cada muestra se ha ido variando la intensidad de un campo externo de magnetización, provocando la variación de la frecuencia de resonancia. Con estas medidas se ha conseguido establecer la relación entre campo de magnetización y frecuencia de resonancia, y mediante el análisis de los datos obtenidos y contrastados con el modelo teórico propuesto se ha obtenido información del campo de anisotropía de los microhilos. Finalmente, el campo de anisotropía calculado se ha contrastado con el obtenido mediante la medida del ciclo de histéresis quasi-estático.S36737039

Domain wall propagation in bistable amorphous wires

[EN] Magnetostrictive Fe-base amorphous wires spontaneously exhibit square-shaped hysteresis loops that is characterized by a single quite large Barkhausen jump when the switching magnetic field is reached. This jump is ascribed to the propagation of a wall along the wire. In this paper, deeper information is reported on the propagation characteristics in these wires as a function of the amplitude and the frequency of the magnetic field generating such propagation. In particular, the wall velocity and its length are experimentally determined and the results are analysed considering the quasi-planar shape model for the wall that has been introduced recently, whose validity is confirmed. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.This work has been developed under partial support of the Spanish CICYT, project MAT98-0965.García Miquel, ÁH.; Chen, D.; Vázquez Vilalabeitia, M. (2000). Domain wall propagation in bistable amorphous wires. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 212(1):101-106. https://doi.org/10.1016/S0304-8853(99)00796-9S101106212