Caractérisation des Défauts Profonds dans le Silicium Amorphe Hydrogéné et autres Semiconducteurs Photo-Actifs de type III-V par la Méthode de Photocourant Constant: CPM

Le but de ce travail est de déterminer les propriétés optiques et électroniques en termes de coefficient d‟absorption optique et densité d‟états électronique d‟un certain nombre de semi-conducteurs à savoir le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H), silicium microcristallin (μc-Si:H), arséniure de gallium dopé au chrome (SI-GaAs:Cr). Pour cette raison, on a mesuré le coefficient d'absorption optique des échantillons par la méthode de photo-courant constant en régime continu (DC-CPM) et en régime périodique (AC-CPM) pour plusieurs fréquences d‟excitation optique. Ensuite on a convertit les spectres d‟absorption mesurés en densité d'états électronique à l‟intérieure du gap de mobilité. Une différence est observée concernant le coefficient d‟absorption optique et la densité d‟états profonds entre le régime périodique et le régime continu d‟un coté et entre les différentes fréquences d‟un autre coté. On a aussi, mesuré l‟évolution du coefficient d‟absorption et la distribution d'états électronique avec l‟illumination. Cette mesure montre une augmentation de la densité de défauts profonds, une présence de défauts chargés plus importante que les défauts neutre et une saturation pour des temps d‟illuminations très longues. En outre, on a développé un programme pour modéliser la technique CPM en mode DC et AC qui tient en compte toutes les transitions optiques possibles. Notre modélisation nous a démontré l‟importance de considérer les deux coefficients d‟absorption celles du aux électrons et celle due aux trous. Ceci est essentiel pour reconstituer la distribution des états occupés et non occupés en utilisant ces deux coefficients surtout pour des hautes fréquences. Au fur et à mesure que la fréquence augmente, les propriétés optiques en termes de spectre d‟absorption optique sont plus en plus sous-estimées quand aux propriétés électroniques en termes de densité d‟états électronique sont plus en plus bien déterminées

Schottky contact diameter effect on the electrical properties and interface states of Ti/Au/p-AlGaAs/GaAs/Au/Ni/Au Be-doped p-type MBE Schottky diodes

Schottky diodes based on Be-doped p-type AlGaAs were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and their current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics measured. The Schottky and Ohmic contacts are Ti/Au and Au/Ni/Au, respectively. The effect of the Schottky contact diameter on I-V and C-V characteristics was studied. To elucidate this effect, the Schottky diode figures of merits and interface states are extracted from I-V and C-V characteristics, respectively. It was found that interface states density increases with increasing Schottky contact diameter then saturates beyond 400 µm. The frequency dependence of the C-V characteristics was also related to these interface states. The results of this present study can help choosing the right Schottky contact dimensions

Effect of the annealing process on the properties of ZnO thin films prepared by the sol-gel method

This work aims to study the influence of shock/ gradual annealing temperature on the properties of ZnO thin film with different film thickness. ZnO thin films have been prepared on glass substrates using a sol-gel method deposing by dip-coating technique. Zinc acetate dihydrate, monoethanolamine, and 2-methoxyethanol were used as starting materials, stabilizer, and solvent respectively. The X-ray diffraction patterns show that all films have the wurtzite structure and the (002) diffraction peak dominated in all of them. The ZnO films with a higher thickness and annealed under thermal shock, show higher peaks intensity and lower grain size compared to the films annealed by gradually increasing temperature. Scanning electron microscopy images confirmed the results of DRX. The best electrical and optical properties have been obtained for the samples with higher thicknesses and annealed by heat shock. ZnO thin films show a resistance value of 1,296 Ω.cm and a band gap value of 3.245 eV with high transmittance (>90%)