Numerical computation of incoherent bremsstrahlung from fast electrons in single crystals

The incoherent bremsstrahlung of fast electrons in crystal is caused by thermal spread of atoms from their equilibrium positions in the lattice. Its intensity manifests substantial orientation dependence under angles of incidence close to critical angle of planar or axial channeling. The simulation procedure for the incoherent radiation is developed. The results of simulation are in a good agreement with the experimental data.Некогерентне гальмовне випромiнювання швидких електронiв у кристалi обумовлено термодинамiчними флуктуацiями вiдносно рiвноважних положень атомiв у решiтцi. Його iнтенсивнiсть демонструє значну ориєнтацiйну залежнiсть при кутах падiння, що близкi до критичного кута площинного або аксiального каналювання. Авторами розвинуто процедуру моделювання некогерентного випромiнювання. Результати моделювання добре узгоджуються з даними експерiменту.Некогерентное тормозное излучение быстрых электронов в кристалле обусловлено тепловым разбросом атомов относительно их равновесных положений в решетке. Его интенсивность проявляет существенную ориентационную зависимость при углах падения близких к критическому углу плоскостного или аксиального каналирования. Авторами развита процедура моделирования некогерентного излучения. Результаты моделирования находятся в хорошем согласии с данными эксперимента

Incoherent bremsstrahlung in flat and bent crystals

Incoherent bremsstrahlung by high-energy particles in crystal is due to the thermal spread of atoms in relation to their equilibrium positions in the lattice. The simulation procedure developed earlier for the incoherent radiation is applied to the case of the electrons and positrons motion in the sinusoidally bent crystal. The results of simulation are in agreement with the data of recent experiments carried out at the Mainz Microtron MAMI. The possibility of use of the sinusoidally bent crystals as undulators is discussed.Некогерентное тормозное излучение частиц высокой энергии в кристалле обусловлено тепловым разбросом атомов относительно их равновесных положений в решетке. Развитая ранее процедура моделирования некогерентного излучения применена к случаю движения электронов и позитронов в синусоидально изогнутом кристалле. Результаты моделирования согласуются с данными недавних экспериментов на микротроне MAMI в Майнце. Обсуждается перспективность использования синусоидально изогнутых кристаллов в качестве ондуляторов.Некогерентне гальмівне випромінювання частинок високої енергії у кристалі обумовлено тепловим розкидом атомів відносно їх рівноважних положень у решітці. Процедура моделювання некогерентного випромінювання, що розвита раніше, пристосовується до випадку руху електронів та позитронів у сiнусоiдально вигнутому кристалі. Результати моделювання знаходяться у відповідності до даних недавніх експериментів на мікротроні MAMI у Майнцi. Обговорюється перспективність використання сiнусоiдально вигнутих кристалів як ондуляторiв