Méthode de mesure des impédances transitoires - Application aux puces RFID HF

International audienceCet article présente une méthode de mesure des impédances transitoires n'utilisant qu'un oscilloscope, un coupleur directionnel et un ordinateur. En plus d'obtenir des impédances comparables à celles obtenues avec un analyseur de réseaux standard, la méthode proposée permet également de visualiser l'évolution de l'impédance au cours du temps et ce, pour des puissances bien plus élevées que celles habituellement disponibles sur les analyseurs de réseaux. Appliquée à la RFID à 13,56MHz, cette méthode permet alors de mesurer les impédances en jeu lors de la communication entre un lecteur et une puce RFID, puis d'en déduire des informations telles que la consommation de la puce et les impédances de rétro-modulation, ces dernières permettant par exemple de vérifier la conformité d'une puce aux standards

Ge2Sb2Te5 layer used as solid electrolyte in conductive-bridge memory devices fabricated on flexible substrate

7 pagesInternational audienceThis paper shows that the well-know chalcogenide Ge2Sb2Te5 (GST) in its amorphous state may be advantageously used as solid electrolyte material to fabricate Conductive-Bridge Random Access Memory (CBRAM) devices. GST layer was sputtered on preliminary inkjet-printed silver lines acting as active electrode on either silicon or plastic substrates. Whatever the substrate, the resistance switching is unambiguously attested at a nanoscale by means of conductive-atomic force microscopy (C-AFM) using a Pt-Ir coated tip on the GST surface acting as a passive electrode. The resistance change is correlated to the appearance or disappearance of concomitant hillocks and current spots at the surface of the GST layer. This feature is attributed to the formation/dissolution of a silver-rich protrusion beneath the AFM tip during set/reset operation. Beside, this paper constitutes a step toward the elaboration of crossbar memory arrays on flexible substrates since CBRAM operations were demonstrated on W/GST/Ag crossbar memory cells obtained from an heterogeneous fabrication process combining physical deposition and inkjet-printing

Energy-band engineering for improved charge retention in fully self-aligned double floating-gate single-electron memories

We present a new fully self-aligned single-electron memory with a single pair of nano floating gates, made of different materials (Si and Ge). The energy barrier that prevents stored charge leakage is induced not only by quantum effects but also by the conduction-band offset that arises between Ge and Si. The dimension and position of each floating gate are well defined and controlled. The devices exhibit a long retention time and single-electron injection at room temperature

Influence of Microcracking of Host Rock on the Hydromechanical Responses of Underground Structures: Constitutive Modeling and Numerical Simulations

International audienceThis paper presents a numerical modeling accounting for the effect of cracking on both mechanical and hydraulic properties of unsaturated rocks. Firstly, the constitutive model developed by Bui, et al. [3], established in the framework of thermodynamics of porous media, is recalled. Its main feature is that damage intervenes on both mechanical behavior and hydraulic properties (water retention curve and hydraulic conductivity). Secondly, the model is validated against experimental data on an argillaceous rock. Finally, this constitutive model is implemented into a domestic finite element code to study numerically the evolution of hydromechanical responses of a radioactive waste underground gallery during a simplified life cycle. Numerical simulations demonstrate the consistency of the model and highlight the influence of desaturation on the hydromechanical behavior of the gallery

Méthode de mesure des impédances transitoires - Application aux puces RFID HF

International audienceCet article présente une méthode de mesure des impédances transitoires n'utilisant qu'un oscilloscope, un coupleur directionnel et un ordinateur. En plus d'obtenir des impédances comparables à celles obtenues avec un analyseur de réseaux standard, la méthode proposée permet également de visualiser l'évolution de l'impédance au cours du temps et ce, pour des puissances bien plus élevées que celles habituellement disponibles sur les analyseurs de réseaux. Appliquée à la RFID à 13,56MHz, cette méthode permet alors de mesurer les impédances en jeu lors de la communication entre un lecteur et une puce RFID, puis d'en déduire des informations telles que la consommation de la puce et les impédances de rétro-modulation, ces dernières permettant par exemple de vérifier la conformité d'une puce aux standards

An RFID Tag Antenna Tolerant to Mounting on Materials

International audienc

Dual band mono-chip HF-UHF tag antenna

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Analytical modelling of a deep tunnel in a viscoplastic rock mass accounting for a simplified life cycle and extension to a particular case of porous media

International audienc

Slot tag antenna for high Q RFID chip

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