ФОРМУВАННЯ БАГАТОЕЛЕМЕНТНИХ ІЧ-ФОТОЧУТЛИВИХ МАТРИЦЬ ФОТОПРИЙМАЧІВ, ФОРМАТУ 128Х128 ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ CdHgTe

Results on CdHgTe based infrared multielement photodetectors formation are presented. Taking into account specific mechanical and electro-physical properties of CdHgTe epitaxial layers several technological solutions were proposed. These are: surface passivation, modification of photolithography procedure, multilayer metallization and hybridization, which are necessary for photodetector arrays reliable operations. By using these technological procedures 128x128 infrared focal plane arrays for 3-5 μm wavelength regions have been produced.Приведены результаты работ по созданию многоэлементных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона на основе CdHgTe. Предложено ряд оригинальных технологических решений с учетом механических и электрофизических особенностей тонкопленочного CdHgTe, в частности: пассивация поверхности эпитаксиальных пленок CdHgTe, модификация режимов фотолитографических процессов, многослойная металлизация и прецизионная гибридизация. С помощью разработанной технологии были сформированы матрицы фотоприемников формата 128х128 элементов.Приведено результати робіт по створенню багатоелементних фотоприймальних пристроїв інфрачервоного діапазону на основі CdHgTe. Запропоновано ряд оригінальних технологічних рішень, з урахуванням механічних та електрофізичних особливостей тонкоплівкового CdHgTe, зокрема: пасивація поверхні епітаксійних плівок CdHgTe, модифікація режимів фотолітографічних процесів, багатошарова металізація та прецизійна гібридизація. За допомогою розробленої технології було сформовано матриці фотоприймачів формату 128х128 елементів