Sifat Optik, Struktur Kristal Dan Struktur Mikro Lapisan Tipis Zno:al Pada Substrat Kaca Sebagai Bahan Tco

SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACASEBAGAI BAHAN TCO. Telah dilakukan karakterisasi sifat optik, struktur kristal dan struktur mikro lapisan tipisZnO:Al hasil deposisi pada substrat kaca sebagai bahan Transparent Conducting Oxide (TCO) untuk sel suryadengan metode DC sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk memperoleh hasil lapisan tipis ZnO:Al yang dapatdigunakan sebagai bahan TCO untuk sel surya. Parameter sputtering optimum diperoleh pada kondisi suhu substrat450 oC, tekanan gas 6 x 10-2 torr dan waktu deposisi 1,5 jam. Sifat optik (transmitansi) lapisan tipis ZnO dan ZnO:Almasing-masing (62 - 80) % dan (20 - 68) % pada posisi panjang gelombang (400 - 800) nm. Struktur kristal lapisantipis ZnO dan ZnO:Al terorientasi pada bidang (002) masing-masing dengan sudut hamburan 2q = 34,810o dan34,715o atau terorientasi pada arah sumbu-c yang tegak lurus pada permukaan substrat. Hasil pengamatan strukturmikro dengan SEM, menunjukkan bahwa morfologi permukaan berbentuk butiran-butiran kecil yang terdistribusi cukuphomogen dan mempunyai ketebalan sekitar 1,5 mm untuk lapisan tipis ZnO, sedangkan untuk lapisan tipis ZnO:Alketebalannya sekitar 1,0 mm

Pengaruh Konsentrasi Boron Terhadap Sifat Listrik Lapisan Tipis (A-si:h:b)

PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B). Telah dilakukan deposisibahan Si:B pada permukaan substrat kaca dengan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukan untuk beberapaparameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperolehlapisan tipis (a-Si:H:B) yang mempunyai konduktivitas yang memadai sebagai bahan sel surya. Target adalahbahan silikon yang telah dicampur boron dengan konsentrasi (0,1; 0,3; 0,5; 0,7) % berat. Variasi waktu deposisiadalah (0,5 - 2) jam, tekanan gas (1,1 ´ 10-1 - 1,4 ´ 10-1) Torr dan suhu substrat (150–300) oC, sedangkan gasreaktif hidrogen selama proses deposisi dibuat tetap sebesar 4 sccm. Pengukuran sifat listrik dilakukan denganprobe empat titik, konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik. Hasil penelitian menunjukkan bahwaresistansi terkecil sebesar R = 2,73 ´ 108 W, ini diperoleh pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanangas 1,4 ´ 10-1 Torr dan suhu substrat 200 oC. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa parameter proses di atasmerupakan parameter deposisi yang optimum untuk pembuatan lapisan tipis (a-Si:H:B)

Deposisi Lapisan Tipis (Cds) Tipe-n Di Atas Lapisan Tipis (Cuinse2) Tipe-p Sebagai Penyangga Untuk Sel Surya Cis

DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGAUNTUK SEL SURYA CIS. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis (CdS) tipe-N di atas lapisan tipis (CuInSe2) tipe-Ppada substrat kaca, yaitu bagian dari komponen untuk sel surya CIS dengan teknik DC sputtering. Penelitian inibertujuan untuk mengetahui pengaruh deposisi lapisan tipis CdS di atas lapisan tipis CuInSe2 terhadap tipe konduksi.Untuk mendapatkan lapisan tipis CdS yang optimal, maka telah dilakukan variasi parameter sputtering yaitu waktudeposisi 30; 60; 90 dan 120 menit, tekanan gas 1,1 ´ 10-1; 1,2 ´ 10-1; 1,3x10-1dan 1,4 ´ 10-1 Torr, yang lain dibuattetap yaitu suhu substrat 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi digunakanprobe empat titik, Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai resistansi terendah R = 5,14 kW, pada kondisi waktudeposisi 60 menit, tekanan gas 1,3 ´ 10-1 Torr, suhu 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA, kemudian tipekonduksinya adalah tipe-N. Struktur kristal lapisan terorientasi pada bidang (103), (004) dan (200) untuk penumbuhankristal CuInSe2, dan pada bidang (100),(110) dan (220) untuk penumbuhan kristal CdS. Hasil pengamatan strukturmikro dengan SEM diperoleh butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen, untuk lapisan CuInSe2 mempunyaiketebalan lapisan 1,0 mm dan lapisan CdS mempunyai ketebalan 0,6 mm

Isolation and Characteristic of Nitrogen-fixing Bacteria and Phosphate-solubilizing Bacteria From Soil High in Mercury in Tailings and Compost Areas of Artisanal Gold Mine

The research was conducted at Brawijaya University and West Nusa Tenggara, from March 2013 to October 2013. The tailings areas of the gold mine contains high mercury (Hg) as much as 1,090 ppm, and living microbes (resistance) exist in a small number in such a condition. Microbial P solvents encountered came from the genus Bacillus with a population of 23 x 103 cfu g-1 and N-fixing bacteria encountered are of the genus Bacillus, with a population of 4 x 103 cfu g-1. Identification of species using Becton Dickinson Phoenix test, both species belong to Bacillus megaterium and Bacillus pumilus. While the waste corn and peanuts that has been composted for 4 weeks acquired P-solubilizing bacteria, such as Enterobacter, Bacillus and Pseudomonas, and N-fixing bacteria found was Pseudomonas and Azotobacter. While testing the activity and antagonism of N-fixing and P-solubilizing bacteria, the result on agar media did not show antagonism in its growth. Bacillus pumilus and Bacillus megaterium effective at 5 % molasses medium with the number of 0.15 x 1012 on seven days of incubation

Gas Sensing Properties of Rutile-tio2 (100) Films Prepared by Pulsed Laser Deposition

Gas sensing property of TiO2 thin films have been demonstrated in rutile-TiO2 (100) films grown on the a-Al2O3 (0001)substrates by Pulsed Laser Deposition (PLD). High quality rutile-TiO2 (100) films were successfully grown on a-Al2O3(0001) with the substrate temperature at 500oC under 15 mTorr of O2 gas pressure. The thickness and crystallinity ofTiO2 films were evaluated by Rutherford backscattering spectrometry combined with channeling (RBS/C) and X-raydiffraction using q-2q scans. To evaluate CO2 gas sensing property of TiO2 films, the dependence of the changing ofelectrical resistivity on the temperature was measured. It's found that high crystallinity rutile-TiO2 (100) films on the a-Al2O3 (0001) substrate kept at 100oC exhibits good gas sensing property for CO2 gas

Diagnosis and Management of Marfan Syndrome

Background: Marfan syndrome is an autosomal dominant disorder of connective tissue, involving cardiovascular, ocular, skeletal and skin, pulmonary, and dura mater. Marfan syndrome is caused by mutations in the FBN1 gene on chromosome 15q21 encoding fibrillin-1, a glycoprotein in the extracellular matrix. Prevalence is ~23 per 10 000, and ~2530% are new mutations. Morbidity and mortality mostly caused by dilation of the aortic root. Surgical therapy for aortic aneurysm can reduce life-threatening complication and also increase survival rate of Marfan syndrome. It is necessary to diagnose earlier and give appropriate medical therapy for optimal management of Marfan syndrome. Objective: to present a rare case, Marfan syndrome, viewed from diagnosis and management. Summary: A 32 year old woman diagnosed as severe AR was referred to NCCHK from Malang, East Java. According to several examination in clinic, this patient was diagnosed as severe AR on Marfan syndrome. Early diagnosis in Marfan syndrome will make better outcome. Bentall operation was done to this patient with a good result. Appropriate and continuous medical therapy are needed in post Bentall operation on Marfan syndrome patient

Implementasi Algoritma Koloni Semut pada Proses Pencarian Jalur Terpendek Jalan Protokol di Kota YOGYAKARTA

Sistem Informasi Geografi (SIG) adalah suatu sistem yang men-capture, mengecek, mengintegrasikan, memanipulasi, menganalisa dan menampilkan data yang secara spasial (keruangan) mereferensikan kepada kondisi bumi.Teknologi SIG mengintegrasikan operasi-operasi umum database, seperti query dan analisa statistik, dengan kemampuan visualisasi dan analisa yang unik yang dimiliki oleh pemetaan. Kemampuan inilah yang membedakan SIG dengan sistem informasi lainnya, yang membuatnya menjadi berguna unruk berbagai kalangan untuk menjelaskan kejadian, merencanakan strategi dan memprediksi apa yang akan terjadi. Sistem ini juga mampu memanipulasi, menganalisis, menampilkan, dan memodelkan data georeferensi untuk pemecahan suatu masalah.Salah satu permasalahan informasi keruangan adalah menentukan proses pencarian jalur terpendek jalan protokol di suatu wilayah tertentu.Metode pemodelan dalam proses pencarian jalur terpendek jalur protokol di kota Yogyakarta, dapat menampilkan informasi tiap jalurnya yang bertujuan untuk mencari jalur terpendek diantara kombinasi jalur yang diberikan serta melakukan pencarian (search) terhadap lokasi yang diinputkan oleh user. Parameter untuk menentukan jalur terpendek adalah jarak tempuh (kilometer) dari lokasi yang satu ke lokasi lainnya.Dalam pembuatan SIG ini, metode yang digunakan adalah metode waterfall, dan dibuat dengan software ArcView dan bahasa pemrograman Avenue. Setelah menyelesaikan skripsi mengenai implementasi algoritma koloni semut pada proses pencarian jalur terpendek jalan protokol di kota Yogyakarta, maka didapat kesimpulan telah dibangun sistem hasil penelitian implementasi algoritma koloni semut pada proses pencarian jalur terpendek di kota Yogyakarta, sehingga memudahkan pengguna dalam menentukan jalur terpendek saat mereka melakukan perjalana

Karakterisasi Sifat Optik Lapisan Tipis A-si:h:b Untuk Bahan Sel Surya

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dideposisikanlapisan tipis a-Si:H:B pada substrat kaca dengan menggunakan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukanuntuk beberapa parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapatdiperoleh beberapa lapisan tipis a-Si:H:B yang mempunyai sifat optik yang sesuai untuk bahan sel surya. Variasiwaktu deposisi (0,5 s/d 2 jam), tekanan gas (1,1 s.d 1,4×10-1 torr) dan suhu substrat (150 s.d 300 oC), sedangkanaliran gas reaktif hidrogen ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron dengankonsentrasi (0,1, 0,3, 0,50, 0,7) % berat. Dari analisa sifat optik menggunakan spektrofotometer UV-Vis diperolehtransmitansi optik maksimum 47 % yang diperoleh pada panjang gelombang 700 nm. Koefisien serapan dan lebarenergi gap untuk lapisan tipis a-Si:H:B masing-masing sebesar 3,49×104 m-1 dan 1,77 eV

Pengaruh Nitridasi Ion Suhu Rendah Pada Ketahanan Aus Dan Korosi Biomaterial Stainless Steel Austenitik 316l

PENGARUH NITRIDASI ION SUHU RENDAH PADA KETAHANAN AUS DAN KOROSI BIOMATERIAL STAINLESS STEEL AUSTENITIK 316L. Dalam penelitian ini telah selesai dilakukan proses nitridasi ion dan karakterisasi cuplikan SS 316L. Proses nitridasi ion telah dilakukan pada cuplikan untuk variasi suhu nitridasi 350, 400, 450, 500, dan 550 oC, pada tekanan gas nitrogen optimum 1,8 mbar dan waktu nitridasi optimum 3 jam. Struktur-mikro, komposisi unsur dan struktur fase lapisan nitrida yang terbentuk pada permukaan cuplikan diamati menggunakan teknik SEM-EDAX dan XRD, dan diketahui bahwa lapisan tipis nitrida besi telah terbentuk pada permukaan cuplikan. Lapisan nitrida besi tersebut mempunyai struktur fase antara lain -Fe2-3N, \u27-Fe4N, CrN, Cr2N dan austenit terekspansi N yang mempunyai sifat-sifat istimewa. Hasil karakterisasi ketahanan aus cuplikan SS 316L menunjukkan terjadinya peningkatan ketahanan aus sekitar 2,6 kali cuplikan standar pada suhu nitridasi 350 oC, dan dari uji korosi dengan larutan Hanks diperoleh laju korosi optimum 29,87 mpy atau ketahanan korosinya meningkat sekitar 137%. Dengan demikian dapat diketahui bahwa dengan menggunakan teknik nitridasi ion telah terbentuk lapisan nitrida besi pada permukaan cuplikan SS 316L, dan mereka mempunyai sifat ketahanan aus dan ketahanan korosi sangat baik. Sifat kekerasan yang tinggi dan mempunyai ketahanan korosi yang baik tersebut, terutama disebabkan terbentuknya nitrida besi dan fase austenit terekspansi N pada proses nitridasi suhu rendah

Natrium Urin Petanda Surrogate Brain Natriuretic Peptide Plasma Pasien Infark Miokard dengan Elevasi ST?

Background. High level of Brain Natriuretic Peptide (BNP) was suspected as a predictor of adverse events in acute ST Elevation Myocardial Infarc-tion (STEMI). Unfortunately, the cost and availability of BNP assay had hampered its use. Natriuresis is one of the hallmark effect of raised BNP and measuring urinary sodium might offer insight to the plasma BNP. This study aims to search for any correlation between measured plasma BNP and urinary sodium in patients presenting with acute STEMI.Methods. In an observational descriptive analytic study, we selectively in-cluded patients presenting with acute STEMI and checked for plasma BNP and urinary sodium. All patients had no symptoms or therapy of heart failure prior to admission, had no prior MI, had no valvular abnormalities, and had normal renal function. Plasma BNP was tested using immunoassay method from Abbot Diagnostics, while urinary sodium with ionic specific electrode method. Specimen for plasma BNP were taken at the admission while urinary sodium in the next morning, taking account of urine volume. Results. There were 17 patients, 15 were (82.4%) men, with age 55.1+8.2 years old, onset of STEMI 18.6+2.3 hours, and left ventricular ejection fraction (LVEF) 47.6+11.6%. The urinary sodium was 85.1+34.3 mEq/L, and plasma BNP 449.7+48.8 pg/ml. Pearson’s correlation and linear re-gression analysis showed positive correlation between urinary sodium and plasma BNP (r = 0.71). In multivariate analysis, plasma BNP (p<0.01) and LVEF (p<0.05) were the major influencing factors for urinary sodium level.Conclusion.This study revealed a strong correlation between plasma BNP and urinary sodium in patients presenting with acute STEMI. While mea-surement of urinary sodium cannot replace plasma BNP, it might actually reflect plasma BNP level.Latar belakang: Kadar Brain Natriuretic Peptide (BNP) yang tinggi diduga merupakan prediktor kejadian buruk pada infark miokard akut dengan elevasi ST (ST Elevation Myocardial Infarction - STEMI). Akan tetapi pemeriksaan BNP mahal dan tidak mudah didapat, sehingga penggunaannya terbatas. Natriuresis merupakan salah satu efek menonjol dari kenaikan BNP, sehingga kemungkinan pengukuran kadar Natrium dalam urin dapat menggambarkan kadar BNP plasma. Penelitian ini bertujuan untuk melihat hubungan antara kadar BNP plasma dan kadar Natrium urin pasien STEMI akut. Metoda. Penelitian ini merupakan studi analitik deskriptif observasional. Secara selektif disertakan pasien STEMI akut, kemudian diperiksa kadar BNP plasma dan Natrium urin. Semua pasien tak mempunyai keluhan atau mendapat terapi gagal jantung ketika masuk perawatan, juga belum pernah mengalami infark miokard sebelumnya, tak ada kelainan katup, dan fungsi ginjalnya normal. Kadar BNP plasma diukur menggunakan metoda immu-noassaydari Abbot Diagnostics, sedangkan kadar Natrium dalam urin diukur dengan metoda ionic specific electrode.Sampel darah untuk mengukur BNP plasma diambil saat pasien masuk perawatan, sedangkan Natrium urin diukur keesokan harinya, mengingat diperlukan waktu untuk mendapat urin yang cukup jumlahnya.Hasil. Ada 17 pasien yang memenuhi kriteria, 15 (82.4%) laki-laki, dengan usia 55.1+8.2 tahun, onset STEMI 18.6+2.3 jam, dan fraksi ejeksi ventrikel kiri (LVEF) 47.6+11.6%. Kadar Natrium urin 85.1+34.3 mEq/L, dan BNP plasma 449.7+48.8 pg/ml. Analisis hubungan Pearson  dan regresi linier menunjukkan korelasi positif antara Natrium urin dan BNP plasma (r = 0.71). Pada analisis multivariat, terbukti bahwa BNP plasma (p<0.01) dan LVEF (p<0.05) merupakan faktor utama yang mempengaruhi kadar Natrium urin. Kesimpulan. Penelitian ini telah membuktikan adanya hubungan kuat antara BNP plasma dengan Natrium urin pada pasien-pasien STEMI akut. Meskipun pengukuran Natrium urin tak dapat menggantikan BNP plasma, namun sebenarnya dapat merefleksikan kadar BNP plasma