Increasing the quantum efficiency of InAs/GaAs QD arrays for solar cells grown by MOVPE without using strain-balance technology

Research into the formation of InAs quantum dots (QDs) in GaAs using the metalorganic vapor phase epitaxy technique ispresented. This technique is deemed to be cheaper than the more often used and studied molecular beam epitaxy. The bestconditions for obtaining a high photoluminescence response, indicating a good material quality, have been found among awide range of possibilities. Solar cells with an excellent quantum ef?ciency have been obtained, with a sub-bandgapphoto-response of 0.07 mA/cm2per QD layer, the highest achieved so far with the InAs/GaAs system, proving the potentialof this technology to be able to increase the ef?ciency of lattice-matched multi-junction solar cells and contributing to abetter understanding of QD technology toward the achievement of practical intermediate-band solar cells

Experimentelle Untersuchung zur Wirkung von Druckdifferenzen in Melkzeugen mit periodischem und kontinuierlichem Lufteinlass auf Merkmale der Melkbarkeit und Zitzenbeschaffenheit

Beim maschinellen Milchentzug bei 18 Kuehen wurden die Faktoren periodischer- bzw. kontinuierlicher Lufteinsatz mit 4 verschiedenen Druckverhaeltnissen im Pulsraum waehrend der Druckphase (=Druckdifferenz) vergleichend geprueft. Die Gesamtmilchmengenleistungen und die Maschinenhauptgemelke blieben von den untersuchten Kombinationen unbeeinflusst. Mit zunehmender Druckdifferenz wurde eine Zunahme der Nachgemelke festgestellt. Kutimetermessungen an der Zitze zeigten keine chronischen Reaktionen auf die Behandlungen. Mit zunehmender Druckdifferenz wurden die Messwerte aber gleich nach dem Melken kleinerAvailable from: Hohenheim Univ., Stuttgart (Germany, F.R.). Universitaetsbibliothek / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekSIGLEDEGerman