Моделирование темплетных наноструктур

Мета даних досліджень – знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. У даній роботі досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлена залежність висоти проростаючої дислокації від її радіусу, а також досліджено вплив розузгодження ґратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень.The purpose of paper is to find the optimal parameters for decreasing dislocations in templet nanostructures. The estimation method of dislocation-free relief germination of templet nanostructures is developed. The influence of templet size on the dislocation density of nanostructures is studied. The dependence of the dislocation height on its radius is determined. The influence of the nanostructures lattice mismatch on conditional relief dislocation of templet semiconductor nanostructures is studied.Целью данных исследований является нахождение оптимальных параметров для уменьшения прорастающих дислокаций в темплетных наноструктурах. Разработана методика оценивания прорастания условно-бездислокационного рельефа темплетных наноструктур. Исследовано влияние темплетный размеров на плотность дислокаций смещения темплетных наноструктур, установлена зависимость высоты прорастающей дислокации от ее радиуса, а также исследовано влияние рассогласования решетки наноструктуры на условно-бездислокационных рельеф темплетный полупроводниковых нанообразований

Моделювання темплетних наноструктур

The purpose of paper is to find the optimal parameters for decreasing dislocations in templet nanostructures. The estimation method of dislocation-free relief germination of templet nanostructures is developed. The influence of templet size on the dislocation density of nanostructures is studed. The dependence of the dislocation height on its radius is determined. The influence of the nanostructures lattice mismatch on conditional relief dislocation of templet semiconductor nanostructures is studed.Reference 9, figures 4.Целью данных исследований является нахождение оптимальных параметров для уменьшения прорастающих дислокаций в темплетных наноструктурах.  Разработана методика оценивания прорастания условно-бездислокационного рельефа темплетных наноструктур. Исследовано влияние темплетный размеров на плотность дислокаций смещения темплетных наноструктур, установлена зависимость высоты прорастающей дислокации от ее радиуса, а также исследовано влияние рассогласования решетки наноструктуры на условно-бездислокационных рельеф темплетный полупроводниковых нанообразований.Библ. 9, рис. 4.Мета даних досліджень – знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. У даній роботі досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлена залежність висоти проростаючої дислокації від її радіусу, а також досліджено вплив розузгодження ґратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень.Бібл. 9, рис.