Моделювання анормальної поведінки діода Шотткі на основі 6H-SiC за допомогою функції Ламберта

Проведено електричне дослідження Ni i Ti металевих контактів Шотткі на епітаксійних шарах n-6H-SiC методом вольт-амперної характеристики. Ni/6H-SiC демонструє неоднорідну поведінку висоти бар'єру. Модель термоелектронної емісії поєднується з функцією Ламберта, щоб отримати явну форму рівняння Шотткі, а також визначити кількість гілок, необхідних для моделювання аномальної поведінки. Неоднорідну висоту бар'єру для досліджуваного переходу Ni/6H-SiC можна відтворити за допомогою моделі, що включає дві гілки Шотткі, які дають низький (L) і високий (H) бар'єри Шотткі ( L ϕbn = 0,92 еВ; H ϕbn = 1,56 еВ), а також низький і високий коефіцієнти ідеальності (nL = 1,93; nH = 1,23).Electrical study of Ni and Ti metals of Schottky contacts on n-6H-SiC epitaxial layers is performed, by current-voltage (I-V) characterization. Ni/6H-SiC shows inhomogeneous barrier height behavior. Thermionic emission model is coupled with the Lambert function to obtain an explicit form of the Schottky equation as well as to specify the number of branches necessary for modeling the abnormal behavior. The inhomogeneous barrier height for the investigated Ni/6H-SiC junction can be reproduced by a model that includes two Schottky branches, which give a low (L) and a high (H) Schottky barriers ( L ϕbn = 0.92 eV, H ϕbn = 1.56 eV), as well as give a low and a high ideality factors (nL = 1.93, nH = 1.23)

Abstracts of 1st International Conference on Computational & Applied Physics

This book contains the abstracts of the papers presented at the International Conference on Computational & Applied Physics (ICCAP’2021) Organized by the Surfaces, Interfaces and Thin Films Laboratory (LASICOM), Department of Physics, Faculty of Science, University Saad Dahleb Blida 1, Algeria, held on 26–28 September 2021. The Conference had a variety of Plenary Lectures, Oral sessions, and E-Poster Presentations. Conference Title: 1st International Conference on Computational & Applied PhysicsConference Acronym: ICCAP’2021Conference Date: 26–28 September 2021Conference Location: Online (Virtual Conference)Conference Organizer: Surfaces, Interfaces, and Thin Films Laboratory (LASICOM), Department of Physics, Faculty of Science, University Saad Dahleb Blida 1, Algeria