N-Cds:(Sn)/P-Cdte:(Cu,N) Heteroeklem Güneş Gözesinin Ultrasonik Spray Pyrolysis Tekniği Ile Üretilmesi Ve Karakterizasyonu

Bu çalışmada, güneş hücreleri yapımının oldukça yaygın üyeleri olan CdS ve CdTe yarıiletken filmleri, ekonomik ve basit kullanımıyla diğer üretim sitemlerinden ayrılan Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği (UKPT) ile 225±5 °C (CdTe) ve 350±5 °C (CdS) sıcaklıklarda ITO tabanlar üzerine üretilmiştir. Üretilen bu filmler farklı katkı atomları ile katkılanarak bazı fiziksel özelliklerindeki değişimlerin gözlenmesi için hazır hale getirilmiştir. Geçirgenlik, soğurma ve yansıma spektrumları alınmış, bu spektrumlardan yararlanarak optik özellikleri belirlenmiştir. Dört uç tekniği kullanılarak filmlerin elektriksel özellikleri incelenmiş ve elektriksel iletkenlikleri hesaplanmıştır. CdTe ince filmlerinin x-ışını kırınım (XRD) desenlerinden faydalanılarak filmlerini polikristal yapıda oldukları belirlenmiştir. İnce filmlerin tercihli yönelimleri hesaplanmıştır. SEM ve AFM analizleri sonucunda CdTe ve CdS ince filmleri için yüzeysel özellikler de belirlenmiştir.In this study, CdS and CdTe semiconductor films which is the most important members of solar cells production were prepared on ITO substrates by Ultrasonic Spray Pyrolysis (USP) which is simple and low cost technique at substrate temperature of 225±5 °C (CdTe) ve 350±5 °C (CdS). After undoped thin films deposition process, the deposited CdS and CdTe thin films have been doped with different atoms and observed some physical properties. Transmittance, absorption and reflection spectra were taken and these spectrums use to determine optical properties. The electrical properties of the films were measured by four-point probe and determined their electrical resistivities. It has been determined from x-ray diffraction (XRD) patterns that CdTe films have polycrystalline structure. The surface properties of the films were determined by SEM and AFM analysis

Krd'de baryonların sözdeskaler ve tensör form faktörlerinin incelenmesi

Yapı faktörleri baryonların iç yapısının araştırılmasında büyük öneme sahiptir. Bu projede baryonların octet-octet tensor yapı faktörleri ve octet-decuplet sözdeskaler yapı faktörleri 1 GeV< Q2< 10 GeV aralığında ışık konisi KRD (QCD) toplam kuralları kullanılarak hesap edilmiştir. KRD ışık konisi toplam kuralları metodu kullanılarak yapılan hadron fiziğinin teorik araştırmalarında, ışık konisi dağılım genlikleri (LCDAs) temel girdilerdir ve bu nedenle ele aldığımız geçişler için yaptığımız analizlerde bu genliklerin etkilerini de tartıştık. Yapı faktörleri için elde ettiğimiz sonuçlar bu projede kullanılan yöntem ile literatürde ilk kez elde edilmiş olacakları için çok önemlidirler. Bu projede sigma-sigma, xi-xi, lamda-lamda ve sigma-lamda geçişleri için tensor yapı faktörleri, N-Delta geçişi için sözdeskaler yapı faktörü düşünülmüştür.Form factors have great importance in the investigating of the internal structure of baryons. In this project we calculate the tensor octet-octet transition form factors and pseudoscalar octetdecuplet transition form factors of the baryons within the light cone QCD sum rules in the range 1GeV < Q2 < 10GeV . In theoretical investigation of the hadronic physics with the QCD light-cone sum rule method, the light cone distribution amplitudes (LCDAs) are fundamental ingredients, and thus we also discuss the effects of these amplitudes in our analyze for related transitions. The results that we obtained for the form factors are very important because they are determined for the first time in the literature within the our method. In this project, we consider the tensor form factors for sigma-sigma, xi-xi, lamda-lamda and sigma-lamda transitions and pseudoscalar form factors for N-Delta transition

Sol-gel derived ZnO:Sn thin films and fabrication of n-ZnO:Sn/p-Si heterostructure

In this work ZnO:Sn thin films were deposited onto glass and p-Si substrates by spin coating of prepared sols which contains different amounts of Zn(CH3COO)2·2H2O and SnCl2 (0, 5, 10 and 15%). Physical properties of ZnO films were examined as a function of SnCl2 in prepared sols. In addition to that, heterostructure examinations were also carried out by depositing all films on p-Si substrates as well. XRD studies revealed that all films have c-axis orientation with crystallite sizes between 38 and 47 nm. AFM and SEM images showed that morphology of the films remarkably deteriorated with the increase in amount of SnCl2 in sol. Optical transmittance and absorbance spectra showed that films have high transmittance and low absorbance in the visible region. Besides, optical band gap increased from 3.27 eV to 3.37 eV. Additional band gap energies were determined for 10% and 15% Sn doped ZnO films. Room temperature photoluminescence spectra for all films were deconvoluted for the evaluation of all emission bands and it was noted that incorporation of SnCl2 into sol led to enhancement of UV-blue emission bands and caused emission bands related to oxygen vacancies to diminish. Four-point-probe measurements revealed that electrical resistivity of ZnO:Sn films increased from 3.20 × 100 ?cm to 2.82 × 104 ?cm and diode ideality factor of Ag/ZnO:Sn/p-Si/Au heterostructure was calculated to be in the range of 2.14–4.59 while zero-bias barrier height is in the range of 0.63–0.78 eV. © 2021 Elsevier B.V.182N19This work was supported by the Bursa Technical University Scientific Research Projects Committee under the project number 182N19