Journal of Electron Devices

International audienc

Energy Procedia

International audienc

Effets induits par ions lourds dans les vdmosfets

CETTE ETUDE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT DES EVENEMENTS SINGULIERS DE TYPE SEB (SINGLE EVENT BURNOUT) DANS DES VDMOSFETS AUSSI BIEN COMMERCIAUX (IRF130- INTERNATIONAL RECTIFIER) COURANTS QUE SPECIFIQUES (FSL110- HARRIS SEMICONDUCTORS) PUISQUE DURCIS POUR DES APPLICATIONS SPATIALES. UN DISPOSITIF EXPERIMENTAL A ETE REALISE POUR CETTE OBSERVATION PAR L'ENREGISTREMENT DU COURANT TRANSITOIRE PROVOQUE PAR UNE IRRADIATION AVEC DES IONS XENON. CES OBSERVATIONS ORIGINALES SUR LES COMPOSANTS DURCIS ONT CONDUIT A MONTRER L'INSUFFISANCE DES PROCEDURES DE TEST QUI NE PRENNENT PAS SUFFISAMMENT EN COMPTE L'EVOLUTION DU LET (LINEAR ENERGY TRANSFER) QUI CARACTERISE CHAQUE ION LOURD POUR UNE MATERIAU DONNE, AUSSI PAR SA PROFONDEUR DE PENETRATION QUE PAR SON ENERGIE INCIDENTE. DES MESURES DE SECTION EFFICACE ONT MIS EN EVIDENCE L'EFFET DE LA GEOMETRIE DES COMPOSANTS SUR LEUR SENSIBILITE AUX IONS LOURDS. NOUS AVONS INTRODUIT UNE METHODE DE TEST PAR LA MESURE DES PARAMETRES CARACTERISTIQUES DE LA JONCTION BODY-DRAIN. EN SUIVANT UN PROTOCOLE EXPERIMENTAL PRECIS, NOUS AVONS EFFECTUE DES IRRADIATIONS EN PLACANT DANS LE CIRCUIT DE DRAIN UNE RESISTANCE LOCALISEE ET EN VARIANT LA POLARISATION DE DRAIN POUR CHAQUE MESURE. NOUS AVONS MONTRE QUE L'EVOLUTION DE CES PARAMETRES PERMET DE SUIVRE ET DE QUANTIFIER LA DEGRADATION DES COMPOSANTS. CETTE ETUDE A MONTRE QUE LA RESISTANCE PLACEE DANS LE CIRCUIT DE DRAIN PERMET DE DIMINUER LES DEGRADATIONS : CE ROLE DE RESISTANCE DE PROTECTION A ETE AINSI MIS EN EVIDENCE.PERPIGNAN-BU Sciences (661362101) / SudocSudocFranceF

Parameters and characteristics of PV solar modules under the influence of thermal stresses

International audienc