О ПРИРОДЕ ТЕРМОАКЦЕПТОРОВ В ОБЛУЧЕННОМ ЭЛЕКТРОНАМИ ВЫСОКООМНОМ КРЕМНИИ

This work is an analysis of the possible role of deep acceptor centers in silicon in the formation of the experimentally observed thermal acceptor effect consisting in the change from n to p conductivity type after annealing of electron or neutron irradiated high resistivity silicon. Based on the solution of the electrical negativity equation for compensated silicon we have estimated the dependence of the concentration of deep acceptor centers that is required for changing to p−type conductivity on acceptor energy level and shallow donor concentration. We show that deep acceptor centers can make a significant contribution to the thermal acceptor effect in high resistivity silicon (energy levels of up to 0.4 eV). The concentrations of deep acceptor centers required for changing the conductivity type are of the order of 1012— 1014 cm−3. These concentrations seem to be achievable in samples containing low shallow donor concentrations (1012—1013 cm−3). Such centers can be divacancy−impurity complexes (Fe, P) with ionization energies of up to 0.34 eV. The thermal activation of interstitial boron is not excluded either.  Дан анализ возможности участия глубоких акцепторных центров в кремнии в формировании наблюдавшегося экспериментально в ряде работ термоакцепторного эффекта, который заключается в смене типа электропроводности с электронного на дырочный при отжигах после облучения электронами или нейтронами высокоомного кремния. На основе решения уравнения электронейтральности в компенсированном монокристаллическом кремнии проведена оценка концентрации глубоких акцепторных центров, необходимых для получения дырочного типа электропроводности в зависимости от энергии ионизации акцептора и концентрации мелкой донорной примеси. Показано, что в термоакцепторный эффект в высокоомном электронном кремнии, полученном методом бестигельной зонной плавки, существенный вклад могут вносить глубокие акцепторные центры (с энергией ионизации ниже 0,4 эВ). Концентрации глубоких акцепторов, необходимые для перекомпенсации образца с небольшой исходной концентрацией доноров (1012—1013 см−3), составляют порядка 1012—1014 см−3 и, по−видимому, вполне достижимы. Роль таких центров могут играть комплексы дивакансия—примесь (Fe, P) с энергией ионизации до 0,34 эВ. При этом термическая активация межузельного бора также не исключена.

Baraba Waldsteppe, Russland. Westsibirien. Neues zu Andronovo-Fundplätzen in der nördlichen Baraba Steppe. Die Arbeiten der Jahre 2020 und 2021

The steppe and forest-steppe zone of Western Siberia is one of the core ­regions of the Eurasian continent. Among the sites in the Siberian Forest steppe, those of the Andronovo (Fёdorovo) cultural community occupy a ­special position. In the northern Baraba Forest steppe many burial sites of these communities are known, including the large necropolises of Tartas 1, a long-term joint excavation of the Eurasia-Department and the Institute of Archaeology and Ethnology in Novosibirsk. However, nearly no settlements associated with the necropolises were known and it was a mystery, where the population lived at that time. In 2020, such an Andronovo (Fёdorovo) settlement site was discovered near the village of Vengerovo, Novosibirisk region; excavations started in 2021. The location of this site was surprising. Unlike other settlements, the site of Tartas 5 is located not on the riverbank but in the floodplain of the Tartas River. The site revealed a stratigraphy with two cultural horizons and sterile sediments in-between, stemming from ­repeated flooding of the plain. The lower stratum is associated with the ­Andronovo (Fёdorovo) cultural community, the upper layer dates most likely to the Iron Age. A short overview of complexes, layers, and the animal bone collection analyzed in 2021 is given. First dates place into the 15th/14th ­century BCE

СТАТИСТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ Ge НА РАДИАЦИОННУЮ И ТЕРМИЧЕСКУЮ СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРНЫХ n—p—n—p–СТРУКТУР НА ОСНОВЕ CZ–Si

The characteristics of low−power and high−power thyristors basen of dislocation−free single crystal silicon doped with ger- manium to the concentration range NGe ~ (0.05—1.5) • 1020 cm−3 have been investigated. The criterial parameters of thyristors exposed to radiation and high temperature gradients have been estimated using experimental data processing methods in the STATISTICA and MathCAD environments. We show the appropriateness of using germanium doped silicon for increasing the thermal stability and radiation strength of the devices exposed to γ−radiation in the range of doses of up to 2.94 • 106 mSv.Исследованы характеристики мало- мощных и силовых тиристоров на основе бездислокационных монокристаллов кремния, легированных германием в диапазоне концентраций NGe ~ (0,05÷1,5) ⋅ 1020 см−3. С использованием методов обработки экспериментальных данных в среде STATISTICA и MathCAD оценены критериальные параметры тиристоров при действии облучения и высоких температурных градиентов. Показана целесообразность использования кремния, легированного германием, для повышения термической стабильности и радиационной стойкости приборов, подвергнутых действию γ−облучения в диапазоне доз до 2,94⋅ 106 мЗв.

Профессиональная подготовка выпускников российских вузов в условиях интернационализации: теоретические и практические аспекты

Nowadays processes of internationalization cover all spheres of human activity. The intensification of these processes in the modern educational space requires developing new content and educational methods that will be aimed at preparing graduates both for professional and life-sustaining activities at this historical stage of development. The aim of this article was determined by the necessity to analyze the theoretical and practical aspects of vocational training of university graduates in the context of internationalization. The authors used the system method as the main one. To understand and clarify the essence and prerequisites of the internationalization of the educational process at the university at the present stage, the authors turned to general logical research methods and techniques. To identify and justify the general and distinctive features and properties of the content and organization of the educational process, based on the principles of internationalization, the structural and functional analysis principles were used. The analysis of theoretical aspects of internationalization in higher education suggests that this process is characterized by the inclusion of an international component in existing curricula and programs, international academic mobility, and the creation of strategic educational alliances. The article notes that there are several approaches to understanding and defining the processes of internationalization in higher education. It is revealed that at the moment the views of foreign and Russian scientists on the processes of internationalization in higher education differ. The authors find it logical that the main focus of work at the present stage should be on evaluating the content and organization of the educational process in Russian universities, taking into account various aspects of internationalization and also in terms of their importance for improving the quality of professional training of a university graduate. The authors conclude that the preparation of a modern, mobile specialist, demanded and competitive, is impossible without effective teaching of a foreign language. The current trend in teaching foreign languages is associated with the increased integration of a language and particular subject area. A positive point is the strengthening of interdepartmental cooperation, which, ultimately, «works» for the CLIL concept implementation (subject-language integration) in the vocational training of university graduates.Процессы интернационализации в настоящее время охватывают все сферы жизнедеятельности человека. В связи с усилением этих процессов в современном образовательном пространстве появляется необходимость в разработке нового содержания и методов образования, которые будут нацелены на подготовку выпускников к профессиональной деятельности и жизнедеятельности с учетом требований данного исторического этапа развития. Необходимость анализа теоретических и практических аспектов профессиональной подготовки выпускников вузов в условиях интернационализации обусловила цель нашей статьи. В качестве основного авторами был использован системный метод. Для понимания и уточнения сущности и предпосылок интернационализации образовательного процесса в вузе на современном этапе авторы обратились к общелогическим методам и приемам исследования. Для выявления и обоснования общих и отличительных признаков и свойств содержания и организации образовательного процесса, базирующегося на принципах интернационализации, использовались принципы структурно-функционального анализа. Анализ теоретических аспектов интернационализации в сфере высшего образования позволяет говорить о том, что данный процесс характеризуется включением международного компонента в имеющиеся учебные планы и программы, международной академической мобильностью, созданием стратегических образовательных альянсов. В статье отмечается, что существует несколько подходов к пониманию и определению процессов интернационализации в высшем образовании. Выявлено, что в настоящий момент взгляды зарубежных и российских ученых на процессы интернационализации в высшем образовании различаются. Авторы видят логичным то, что основным направлением работы на современном этапе должна стать оценка содержания и организации образовательного процесса в российских вузах с учетом различных аспектов интернационализации, а также с точки зрения их значения для повышения качества профессиональной подготовки выпускника вуза. Авторы заключают, что подготовка современного, мобильного специалиста, востребованного и конкурентоспособного невозможна без эффективного обучения иностранному языку. Современная тенденция в преподавании иностранных языков связана с усилением интеграции языка и определенной предметной области. Положительным моментом является укрепление межкафедрального взаимодействия, что в конечном итоге «работает» на реализацию концепции CLIL (предметно-языковой интеграции) в профессиональной подготовке выпускников вуза

Формирование метакомпетенций студентов вуза в процессе научно-исследовательской работы на иностранном языке

This work is an attempt to generalize the theory and practice of the formation of metacompetencies of university students interpreted as the basis that remains in the sub subject position and determines the effectiveness of further self-realization of a university graduate in a certain professional field of activity. The necessity to analyze the theoretical and practical aspects of this activity has affected the purpose of the study. The authors use the systematic method as the main one. To understand and clarify the essence and prerequisites for the formation of metacompetencies of university students in the process of research work in foreign language at the present stage, the authors use general logical research methods and techniques. The current paper identifies and justifies the common and distinctive features and peculiarities of the content and organization of research work in foreign language applying the principles of structural-functional analysis. The results of a pedagogical experiment conducted at the Siberian Transport University aimed at studying the influence of research work in a foreign language on the formation of students» metacompetencies are presented. A model of organization of students» research work has been proposed, which includes the levels ofperception, analysis and synthesis of scientific information. The study reveals the content of each of the levels of organization of students» research work. The authors pay special attention to the formation of academic writing skills that are necessary for increasing of the publication activity of various groups of researches who take into account international rules and norms, as well as the skills ofpublic scientific presentation in a foreign language, allowing to present the results of the study at the international level. The authors conclude that modeling the process of students» research work has allowed to systematize and generalize the requirements for its organization, taking in consideration relevant international requirements for the content of report, the design of scientific articles in a foreign language, the specific features ofpeer-re-viewed papers, the ranking of scientific journals, and indicators of the publication activity of students and organizations.Работа представляет собой попытку обобщения теории и практики формирования метакомпетенций студентов вуза, которые трактуются авторами данного исследования как над-предметные базисы, определяющие результативность дальнейшей самореализации выпускника вуза в определенной профессиональной сфере деятельности. Необходимость анализа теоретических и практических аспектов этой деятельности обусловила цель данной статьи. В качестве основного авторами был использован системный метод. Для понимания и уточнения сущности и предпосылок формирования метакомпетенций студентов вуза в процессе научно-исследовательской работы на иностранном языке на современном этапе авторы обратились к общелогическим методам и приемам исследования. Для выявления и обоснования общих и отличительных признаков и свойств содержания и организации научно-исследовательской работы на иностранном языке, использовались принципы структурно-функционального анализа. Приводятся результаты педагогического эксперимента, проведенного в Сибирском государственном университете путей сообщения, направленного на изучение влияния научно-исследовательской работы на иностранном языке на формирование метакомпетенций студентов. Предложена модель организации научно-исследовательской работы студентов, включающая уровни восприятия, анализа и синтеза научной информации. Раскрывается содержание каждого из уровней организации научно-исследовательской работы студентов. Особое внимание авторами уделено формированию навыков академического письма, необходимых для повышения публикационной активности различных групп исследователей с учетом международных правил и норм, а также навыков публичного научного выступления на иностранном языке, позволяющих представлять результаты исследования на международном уровне. Авторы заключают, что моделирование процесса научно-исследовательской работы студентов позволило систематизировать и обобщить рекомендации к ее организации с учетом актуальных международных требований к содержанию доклада, оформлению научных статей на иностранном языке, специфики рецензирования работ и ранжирования научных журналов, показателей публикационной деятельности ученых, организаций

Анализ диффузионных профилей фосфора в легированном галлием германии методом координатно-зависимой диффузии

The phosphorus concentration profiles in germanium in In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge heterostructures with gallium co-diffusion, that were obtained during first cascade of a multicascade solar cell formation were analyzed. The diffusion of phosphorus took place from the layer In0,56Ga0,44P together with the diffusion of gallium in a strongly gallium-doped germanium substrate, which determined the features of the diffusion process. First of all, co-diffusion of gallium and phosphorus leads to formation of two p—n junctions. Fick’s laws cannot be used for diffusion description. Distribution of the P diffusivity (DP) in the depth of the sample was determined by two methods —Boltzmann—Matano (version of Sauer—Freise) and the coordinate-dependent diffusion method. It is shown that when we have used the coordinate-dependent diffusion method, the DP values are more consistent with the known literature data due to taking into account the drift component of diffusion. The tendency of DP to increase at the heterostructure boundary and to decrease at approaching to the main p—n junction is observed for both calculation methods. DP increase in the near-surface region of the p—n-junction, whose field is directed to the interface of the heterostructure, and the decrease in the region of the main p-n junction, whose field is directed in the opposite direction, as well as the observed growth of DP with the electron concentration, leads to the conclusion that diffusion in this case takes place as the part of negatively charged VGeP complexes, as in the case of P diffusion alone.В связи с развитием технологии многокаскадных солнечных элементов (МК СЭ) возрос интерес к германию как к подложке и материалу первого каскада МК СЭ на основе соединений АIIIВV. Фосфор и галлий являются основными легирующими элементами в германии, поэтому интерес к процессам их диффузии проявлялся с момента начала разработок технологии изготовления p—n-переходов в германии. Дан анализ профилей распределения фосфора в германии в структуре In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge в условиях содиффузии с галлием, полученные при формировании первого каскада МК СЭ. Диффузия фосфора проходила из слоя In0,56Ga0,44P вместе с диффузией галлия в сильно легированную галлием подложку германия, что определило особенности процесса диффузии. В первую очередь совместная диффузия галлия и фосфора приводит к формированию не одного, а двух p—n-переходов. Диффузионные профили фосфора не могут быть описаны законами Фика. Распределение коэффициента диффузии фосфора DP по глубине образца определяли двумя методами: Больцмана—Матано в варианте Зауэра—Фрейзе и методом координатно-зависимой диффузии. Показано, что учет дрейфовой компоненты в методе координатно-зависимой диффузии дает значения DP, более соответствующие известным литературным данным. Тенденция увеличения DP у границы гетероструктуры и уменьшения при приближении к основному переходу наблюдается для обоих методов расчета. Поле приповерхностного p—n-перехода, направлено к границе раздела гетероструктуры, а поле основного p—n-перехода — в противоположную сторону, также, как и наблюдаемый рост DP с концентрацией электронов. Увеличение DP в области приповерхностного p—n-перехода и уменьшение в области основного p—n-перехода позволяют сделать вывод, что диффузия в гетероструктуре идет в составе отрицательно заряженных комплексов VGeP, как и в случае диффузии одного компонента

Контактные и бесконтактные методы измерения параметров пористого кремния

In this work we have used contact and contactless techniques to measure the electrical resistivity of single crystal silicon wafers with porous layers of variable thickness synthesized on the surface. The porous layers have been synthesized on the surfaces of single crystal wafers with well pronounced microroughness pattern, either textured or grinded. We have used the classic four-probe method with a linear probe arrangement as the contact measurement technique, and the resonance microwave method based on microwave absorption by free carriers as the contactless measurement technique. Electrical resistivity distribution over the specimen surface has been mapped based on the measurement results. We have demonstrated a general agreement between the electrical resistivity distribution patterns as measured using the contact and contactless measurement techniques. To analyze the electrical resistivity scatter over the specimen surface area we have simulated the field distribution in the electrolyte during porous layer formation in a non-planar anode cell. The regularities of the electrical resistivity spatial distribution in different types of specimens are accounted for by specific porosity formation mechanisms which in turn are controlled by the initial microroughness pattern and the field distribution pattern in the electrolyte for each specific case.Бесконтактные методы измерения параметров представляют особый интерес для наноматериалов, к которым относится и пористый кремний, так как при измерении их параметров контактными методами наноструктура может быть необратимо нарушена. Актуальным вопросом является интерпретация результатов измерений параметров наноматериалов бесконтактными методами и сопоставление их с результатами, полученные с помощью традиционных контактных методов. Контактным и бесконтактным методами проведены измерения удельного электросопротивления (УЭС) образцов монокристаллических пластин кремния с созданным на их поверхности пористым слоем различной толщины. Пористый слой создавали на поверхностях монокристаллических пластин с хорошо выраженным микрорельефом: текстурированных и шлифованных. В качестве контактного был выбран классический четырехзондовый метод с линейным расположением зондов, в качестве бесконтактного — резонаторный СВЧ-метод, основанный на явлении поглощения СВЧ-излучения свободными носителями заряда. По результатам измерений построены карты распределения УЭС по площади образцов. Показано качественное совпадение картин распределения УЭС, полученных контактным и бесконтактным методом. Для анализа картины разброса значений удельного сопротивления по площади образцов проведено моделирование распределения поля в электролите при формировании пористого слоя в ячейке с непланарным анодом. Особенности пространственного распределения УЭС для каждого типа образцов объясняются особенностями механизма порообразования, которые, в свою очередь, задаются исходным микрорельефом поверхности и картиной распределения поля в электролите в данном конкретном случае

Neuropsychiatric symptoms in at-risk groups for AD dementia and their association with worry and AD biomarkers—results from the DELCODE study

Background: Early identification of individuals at risk of dementia is mandatory to implement prevention strategies and design clinical trials that target early disease stages. Subjective cognitive decline (SCD) and neuropsychiatric symptoms (NPS) have been proposed as potential markers for early manifestation of Alzheimer’s disease (AD). We aimed to investigate the frequency of NPS in SCD, in other at-risk groups, in healthy controls (CO), and in AD patients, and to test the association of NPS with AD biomarkers, with a particular focus on cognitively unimpaired participants with or without SCD-related worries. / Methods: We analyzed data of n = 687 participants from the German DZNE Longitudinal Cognitive Impairment and Dementia (DELCODE) study, including the diagnostic groups SCD (n = 242), mild cognitive impairment (MCI, n = 115), AD (n = 77), CO (n = 209), and first-degree relatives of AD patients (REL, n = 44). The Neuropsychiatric Inventory Questionnaire (NPI-Q), Geriatric Depression Scale (GDS-15), and Geriatric Anxiety Inventory (GAI-SF) were used to assess NPS. We examined differences of NPS frequency between diagnostic groups. Logistic regression analyses were carried out to further investigate the relationship between NPS and cerebrospinal fluid (CSF) AD biomarkers, focusing on a subsample of cognitively unimpaired participants (SCD, REL, and CO), who were further differentiated based on reported worries. / Results: The numbers of reported NPS, depression scores, and anxiety scores were significantly higher in subjects with SCD compared to CO. The quantity of reported NPS in subjects with SCD was lower compared to the MCI and AD group. In cognitively unimpaired subjects with worries, low Aß42 was associated with higher rates of reporting two or more NPS (OR 0.998, 95% CI 0.996–1.000, p < .05). / Conclusion: These findings give insight into the prevalence of NPS in different diagnostic groups, including SCD and healthy controls. NPS based on informant report seem to be associated with underlying AD pathology in cognitively unimpaired participants who worry about cognitive decline. / Trial registration: German Clinical Trials Register DRKS00007966. Registered 4 May 2015

К вопросу об определении объемного времени жизни по спаду фотопроводимости на непассивированных образцах монокристаллического кремния

In indirect band gap semiconductors, for example, in silicon, the free carrier recombination lifetime is determined by recombination through deep level centers and inversely proportional to their concentration. This parameter is of the utmost importance for characterizing the quality of the material. Contactless methods of free carrier recombination lifetime measurements by protoconductivity decay analysis are most widely used. The measurement results are largely affected by surface recombination. The calculation of the lifetime in the bulk of a sample from the characteristic time of photoconductivity decay remains relevant since there is no ambiguous analytical solution of the continuity equation for this case. In this paper, an analysis of the relaxation of photoconductivity in single−crystal silicon wafers with non−passivated surfaces was carried out with numerical methods. The applicability of the well–known formulas for estimating the contribution of surface recombination to the effective photoconductivity decay time was discussed. We show that the time in which the «fast» exponents disappear depends on the relative thickness of the sample. It is only this part of the relaxation curve that the effective decay time is determined by the maximum value of the surface component of the relaxation time and is described by the well−known formulas. The saturation of the effective relaxation time at the point when the signal intensity reaches 45 % of the peak one (the onset point of effective decay time counting pursuant to the SEMI MF 1535 standard recommendation) only occurs in samples with thicknesses less than 3—5 diffusion lengths. For thick samples the contribution of the «fast» exponentials to the effective photoconductivity relaxation time is observed up to 5 % of the peak signal (i.e., until the noise level of the measured signal is reached). Use of the recommended formulas, including for the «infinite recombination rate» case at which the maximum surface lifetime is d2/π2D, leads to a sufficiently large (up to 20 %) error in free carrier recombination lifetime calculation.В непрямозонных полупроводниках, в частности в кремнии, время жизни неравновесных носителей заряда определяется рекомбинацией через примесные центры, и оно обратно пропорционально концентрации центров, что делает этот параметр важнейшим для определения качества материала. Наиболее востребованы бесконтактные методы его измерения, в частности бесконтактные измерения постоянной спада фотопроводимости. На форму кривой спада фотопроводимости сильно влияет поверхностная рекомбинация. Расчет времени жизни в объеме по постоянной спада остается актуальным, так как однозначного аналитического решения уравнения непрерывности для этого случая нет. В образцах монокристаллического кремния с непассивированными поверхностями численными методами проведен анализ релаксации фотопроводимости. Обсуждена применимость известных формул для оценки вклада поверхностной рекомбинации в эффективное время релаксации фотопроводимости. Показано, что период времени, за который «быстрые» экспоненты исчезают, зависит от относительной толщины измеряемого образца. Только на этом участке релаксационной кривой эффективное время спада определяется максимальным значением поверхностной компоненты времени релаксации и описывается известными формулами. Эффективное время релаксации выходит на насыщение к моменту, когда интенсивность сигнала достигает 45 % от максимального значения (начало отсчета эффективного времени спада по рекомендации стандарта SEMI MF 1535), только для образцов толщиной до 3—5 диффузионных длин. При бóльших толщинах вклад «быстрых» экспонент в эффективное время релаксации фотопроводимости наблюдается вплоть до 5% от максимального сигнала (т. е. до достижения уровня шумов измеряемого сигнала). В этом случае использование рекомендованных стандартом SEMI MF формул приводит к достаточно большой (до 20 %) систематической погрешности в оценке времени жизни свободных носителей заряда