High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs

The characteristics of enhancement-mode MOS transistors fabricated on zone-melting recrystallized (ZMR) silicon-on-insulator (SOI) films were systematically experimentally investigated in the temperature range 25–300°C. The main temperature-dependent parameters (the threshold voltage, the channel mobility, subthreshold slope, off-state leakage currents) of ZMR SOI MOSFETs are described and compared with both theory and SIMOX devices. It is shown that high carrier mobilities and low off-state leakage currents can be obtained in thin-film ZMR SOI MOSFETs at elevated temperatures. At T = 300°C, far beyond the operating range of bulk silicon devices, the off-state leakage current in ZMR SOI MOSFETs with a 0.15 mm-thick silicon film was only 0.5 nA/mm (for VD = 3 V), that is 3–4 orders of magnitude lower than typical values in bulk Si devices. The presented results demonstrate that CMOS devices fabricated on sufficiently thin ZMR SOI films are well suited for high-temperature applications.Проведені кропіткі експериментальні дослідження високотемпературних (25-300°С) характеристик МОН транзисторів на базі КНІ-структур, виготовлених методом зонної лазерної перекристалізації. Розглянута поведінка основних температрно-залежних параметрів КНІ МОН транзисторів (порогової напруги, рухливості носіїв, підпорогового нахилу та струму витоку). Проведено порівняння отриманих результатів з теорією та аналогічними параметрами приладів, створених за допомогою ЗІМОХ технології. Показано, що при підвищених температурах тонкоплівкові транзистори, отримані лазерною зонною перекристалізацією, виявляють високу рухливість носіїв і низькі струми витоку закритого транзистора. При Т = 300°С, що значно перевищує робочий діапазон приладів на об.ємному кремнії, струм витоку в КНІ транзисторах з плівкою Si товщиною 0,15 мкм ст всього лишу 0,5 nA/mm (при VD = ЗВ), що на 3-4 порядка нижче типових величин для приладів на об.ємному кремнії. Наведені результати свідчать, що тонкі плівки КНІ, створені методом лазерної зонної перекристалізації, можуть успішно використовуватись для створення КМОН ІС для високотемпературних застосувань.Проведено детальное экспериментальное исследование высокотемпературных (25-300°С) характеристик МОП транзисторов на основе КНИ-структур, изготовленных методом лазерной зонной перекристаллизации. Рассмотрено поведение основных температурно-зависимых параметров КНИ МОП транзисторов (порогового напряжения, подвижности носителей, подпорогового наклона и тока утечки). Проведено сравнение полученных результатов с теорией и аналогичными параметрами приборов, созданных SIМОХ технологией. Показано, что при повышенных температурах тонкопленочные транзисторы, полученные лазерной зонной перекристаллизацией, проявляют высокую подвижность носителей и низкие токи утечки закрытого транзистора. При Т = 300°С, значительно превышающей рабочий диапазон приборов на объемном кремнии, ток утечки в КНИ транзисторах с пленкой Si толщиной 0,15 мкм составляет всего лишь 0,5 nA/mm (при VD = ЗВ), что на 3-4 порядка ниже типичных величин для приборов на объемном кремнии. Приведенные результаты свидетельствуют, что тонкие пленки КНИ, полученные методом лазерной зонной перекристаллизации, могут успешно использоваться для создания КМОП ИС для высокотемпературных применений

Functional dyspepsia. Different mechanisms, comprehensive treatment

Functional dyspepsia (FD) is a disease with different prevailing pathogenetic mechanisms. The prevalence of FD varies widely from 10 to 30 % of the population, depending on the country and the surveyed cohort. There are two forms of FD: postprandial distress syndrome manifested by a fullness/early satiety after eating, and epigastric pain syndrome — pain/burning in the epigastrium, which may worsen after eating. In a significant part of patients with FD, there are manifestations of both syndromes, the so-called overlap, or a mixed type. In the Ukrainian population, all patients with dyspepsia should be diagnosed and, if found, — undergo mandatory eradication of H.pylori. In patients with persistent symptoms or in those initially not infected with H.pylori, in our opinion, it is advisable to use the combination of proton pomp inhibitor and prokinetic as starting treatment. In our country, a fixed combination of omeprazole and domperidone is available in two dosages. This is Omez D containing 10 mg of both components and a more highly dosed Omez DSR containing 20 mg of omeprazole and 30 mg of domperidone in the form of sustained-release pellets

РИГИДНОСТЬ ОБЩИХ СОННЫХ И БЕДРЕННЫХ АРТЕРИЙ НА ДОДИАЛИЗНОЙ СТАДИИ ХРОНИЧЕСКОЙ БОЛЕЗНИ ПОЧЕК

Development of risk factors of the common carotrid and femoral arteries stiffness was assessed in patients with pre-dialysis chronic renal disease of non-diabetic etiology. It was shown that vascular remodeling was affected by the conventional risk factors such as patients'' age, hypertension, and smoking. A trend to existence of dependence between renal risk factors (hypercreatinemia and disturbances of phosphor-calcium metabolism) and rigidity of the common carotid arteries is also noted.Оценивали факторы риска развития жесткости общих сонных и бедренных артерий у больных на додиализной стадии хронической болезни почек недиабетической этиологии. Показано, что на ремоделирование сосудов оказывали влияние традиционные факторы риска (возраст, артериальная гипертония, курение). Также отмечена тенденция к наличию зависимости между почечными факторами риска (гиперкреатинемия, нарушения фосфорно-кальциевого обмена) и ригидностью общих сонных артерий

High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs

The characteristics of enhancement-mode MOS transistors fabricated on zone-melting recrystallized (ZMR) silicon-on-insulator (SOI) films were systematically experimentally investigated in the temperature range 25–300°C. The main temperature-dependent parameters (the threshold voltage, the channel mobility, subthreshold slope, off-state leakage currents) of ZMR SOI MOSFETs are described and compared with both theory and SIMOX devices. It is shown that high carrier mobilities and low off-state leakage currents can be obtained in thin-film ZMR SOI MOSFETs at elevated temperatures. At T = 300°C, far beyond the operating range of bulk silicon devices, the off-state leakage current in ZMR SOI MOSFETs with a 0.15 mm-thick silicon film was only 0.5 nA/mm (for VD = 3 V), that is 3–4 orders of magnitude lower than typical values in bulk Si devices. The presented results demonstrate that CMOS devices fabricated on sufficiently thin ZMR SOI films are well suited for high-temperature applications

Total dose radiation response of multilayer buried oxide insulators

The high radiation tolerance of SOI CMOS ICs to transient radiation effects and single event upset is well known [1], however, in contrast SOI CMOS devices are known to be rather susceptible to total-dose radiation effects. This sensitivity to total-dose exposure is associated with radiation-induced positive charge trapping in the thick buried oxides, which results in parasitic back-channel conduction in n-channel MOSFETs [2]. The most widely used method to suppress the radiation-induced back-channel conduction is additional doping of the Si film near the silicon film — buried insulator interface [3], however, at high irradiation doses this method is not always adequate