Transmission electron microscopy investigation of segregation and critical floating-layer content of indium for island formation in InGaAs

We have investigated InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(001) by transmission electron microscopy (TEM) and photoluminescence spectroscopy. InGaAs layers with In-concentrations of 16, 25 and 28 % and respective thicknesses of 20, 22 and 23 monolayers were deposited at 535 C. The parameters were chosen to grow layers slightly above and below the transition between the two- and three-dimensional growth mode. In-concentration profiles were obtained from high-resolution TEM images by composition evaluation by lattice fringe analysis. The measured profiles can be well described applying the segregation model of Muraki et al. [Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 557]. Calculated photoluminescence peak positions on the basis of the measured concentration profiles are in good agreement with the experimental ones. Evaluating experimental In-concentration profiles it is found that the transition from the two-dimensional to the three-dimensional growth mode occurs if the indium content in the In-floating layer exceeds 1.1+/-0.2 monolayers. The measured exponential decrease of the In-concentration within the cap layer on top of the islands reveals that the In-floating layer is not consumed during island formation. The segregation efficiency above the islands is increased compared to the quantum wells which is explained tentatively by strain-dependent lattice-site selection of In. In addition, In0.25Ga0.75As quantum wells were grown at different temperatures between 500 oC and 550 oC. The evaluation of concentration profiles shows that the segregation efficiency increases from R=0.65 to R=0.83.Comment: 16 pages, 6 figures, 1 table, sbmitted in Phys. Rev.

Electron microscopic and optical investigations of the indium distribution GaAs capped InxGa1-xAs islands

Results from a structural and optical analysis of buried InxGa1-xAs islands carried out after the process of GaAs overgrowth are presented. It is found that during the growth process, the indium concentration profile changes and the thickness of the wetting layer emanating from a Stranski-Krastanow growth mode grows significantly. Quantum dots are formed due to strong gradients in the indium concentration, which is demonstrated by photoluminescence and excitation spectroscopy of the buried InxGa1-xAs islands. (C) 1997 American Institute of Physics

Growth of Oriented Au Nanostructures: Role of Oxide at the Interface

We report on the formation of oriented gold nano structures on Si(100) substrate by annealing procedures in low vacuum (\approx10-2 mbar) and at high temperature (\approx 975^{\circ} C). Various thicknesses of gold films have been deposited with SiOx (using high vacuum thermal evaporation) and without SiOx (using molecular beam epitaxy) at the interface on Si(100). Electron microscopy measurements were performed to determine the morphology, orientation of the structures and the nature of oxide layer. Interfacial oxide layer, low vacuum and high temperature annealing conditions are found to be necessary to grow oriented gold structures. These gold structures can be transferred by simple scratching method.Comment: 13 pages, 3 figures, Accepted in J. Appl. Phy

Increase of the mean inner Coulomb potential in Au clusters induced by surface tension and its implication for electron scattering

Electron holography in a transmission electron microscope was applied to measure the phase shift induced by Au clusters as a function of the cluster size. Large phase shifts Df observed for small Au clusters cannot be described by the well-known equation Df=C_E V_0 t (C_E: interaction constant, V_0: mean inner Coulomb potential (MIP) of bulk gold, t: cluster thickness). The rapid increase of the Au MIP with decreasing cluster size derived from Df, can be explained by the compressive strain of surface atoms in the cluster

Die Grundbegriffe der Filmgestaltung

Diese systematische, übersetzungsorientierte Terminologiearbeit untersucht die Einheitlichkeit der Terminologie der filmwissenschaftlichen Grundbegriffe in den Sprachen Deutsch und Italienisch. Der Schwerpunkt liegt dabei auf dem interkulturellen Vergleich der filmgestalterischen Fachbegriffe aus den Bereichen der Filmmontage und der Mise-en-Scène. Ziel dieser deskriptiven Arbeit ist es, den terminologischen Ist-Zustand der deutschen und italienischen Fachsprache des Films zu erfassen und in einem zwischensprachlichen Terminologievergleich kulturspezifische begriffliche Divergenzen im Fachwortbestand aufzudecken. Die terminologischen Ergebnisse werden in einem umfangreichen zweisprachigen Glossar, das eine begriffliche Gliederung aufweist und aus begriffsorientierten terminologischen Einträgen besteht, zur Verfügung gestellt. Nach einer kurzen, überblicksartigen Einführung in die Terminologielehre und der Erläuterung der grundlegenden terminologiewissenschaftlichen Begriffe, die mit dieser Arbeit in Beziehung gesetzt werden, folgen einige Kapitel, die sich mit den wichtigsten terminologischen Aspekten der vorliegenden Terminologiearbeit beschäftigen. Danach wird auf die methodische Vorgehensweise bei der Erarbeitung des filmterminologischen Glossars eingegangen sowie ein Einblick in die bei der terminologischen Analyse aufgetretenen Probleme gegeben. Im anschließenden Glossar, das in etwa 260 Einträge enthält und den Kern dieser Arbeit darstellt, wird jeder Begriff nach Möglichkeit anhand mehrerer einander ergänzender Definitionen und Kontexte genau dargestellt. Übersetzungsrelevante begriffsbezogene Hinweise finden sich in den Anmerkungen der terminologischen Einträge, terminologische Lücken werden durch gekennzeichnete Übersetzungsvorschläge geschlossen. Des Weiteren ermöglicht ein alphabetisches Verzeichnis das schnelle und gezielte Nachschlagen aller deutschen sowie italienischen Benennungen. Diese Terminologiearbeit richtet sich in erster Linie an Übersetzer und Dolmetscher, denen sie sowohl einen schnellen Zugriff auf die für sie relevanten Termini als auch eine rasche Einarbeitung in den filmwissenschaftlichen Teilbereich der Filmgestaltung ermöglichen soll. Als Zielgruppe dieser Arbeit sollen aber auch interessierte Laien angesprochen werden, die sich einen Überblick über die deutsche oder italienische Filmterminologie verschaffen möchten

Leadership in a Changing Business World: A Multilevel Perspective on Connecting Employees to Organizational Goals

Kelderman, H. [Promotor]Voelpel, S.C. [Promotor]Homan, A.C. [Copromotor

Reconstruction of nuclear quadrupole interaction in (In,Ga)As/GaAs quantum dots observed by transmission electron microscopy

A microscopic study of the individual annealed (In,Ga)As/GaAs quantum dots is done by means of high-resolution transmission electron microscopy. The Cauchy-Green strain-tensor component distribution and the chemical composition of the (In,Ga)As alloy are extracted from the microscopy images. The image processing allows for the reconstruction of the strain-induced electric-field gradients at the individual atomic columns extracting thereby the magnitude and asymmetry parameter of the nuclear quadrupole interaction. Nuclear magnetic resonance absorption spectra are analyzed for parallel and transverse mutual orientations of the electric-field gradient and a static magnetic field.Comment: 8 pages, 6 figure