Gold Surface Reconstruction Diagnostics by the Multiangular Ellipsometry Methods

The paper deals with gold films structure and optical properties changes. It is experimentally shown that the surface structure changes are reliably detected by the multiangular Mueller polarimetry method. The influence of the gold film surface on the anisotropic medium model parameters is discussed. It is shown that for reliable films classification it is sufficient to measure parameters of the anisotropic medium at an angle at which the difference in the anisotropy parameters is maximized

Моделювання оптичних властивостей гетерофазних керамічних матеріалів SiC+AlN за допомогою теорії Бругмена

Ceramic samples SiC and AIN as well as SiC samples with different quantity of AlN admixtures was studied by infrared reflection spectroscopy and spectroellipsometry. The numerical modeling of optical properties of SiC + AlN type ceramic materials was made using the Bruggman theory. The comparison of experimental spectra of refractive index and extinction coefficient for two-phases samples of SiC + AlN type with theoretical calculated spectra enable us conclude that the SiC + AlN system is heterophase eutectic mechanical mixture big clusters which are equally distributed in the space of the sample.Методами інфрачервоної спектроскопії та спектроеліпсометрії досліджено оптичні власти- вості керамічних матеріалів SiC та AlN, а також: двофазні зразки SiC з різною кількістю домі- шок AlN в ультрафіолетовій, видимій та інфрачервоній ділянці спектра. За допомогою теорії Бруґмена були змодельовані оптичні властивості двофазних матеріалів SiC + AlN. Порівняння експериментальних та теоретично розрахованих спектрів показників поглинання та заломлення дає змогу зробити висновок, що система SiC + AlN- це гетерофазна евтектична механічна суміш великих кластерів, рівномірно розподілених по об'єму зразка

Еліпсометричне дослідження кераміки β-Si₃N₄ з домішками Мо та АІ

Ceramic Si₃N₄ samples with Мо and AI admixtures have been investigated by spectroellipsometry. The influence of admixtures on the ceramics optical properties have been studied. The local defects of Si₃N₄ crystal structure are responsible for the band gap reduction. The silicone oxynitride amount in the studied samples has been estimated numerically by Bruggeman effective medium approximation.Методом спектроэллипсометрии исследованы керамические образцы Si₃N₄ с добавками Мо и AI. Изучено влияние добавок на оптические свойства керамики. 3а сужение запрещенной зоны ответственны локальные дефекты кристаллической структуры Si₃N₄. Количество оксинитрида кремния в исследованных образцах численно оценено с применением приближения эффективной среды по Брюггеману.Методом спектроелiпсометрiї дослiджено керамiчнi зразки Si₃N₄ з домiшками Мо i AI. Вивчено вплив домiшок на оптичнi властивостi керамiки. 3а звуження забороненої зони вiдповiдають локальнi дефекти кристалiчної структури Si₃N₄. Кiлькiсть оксинiтриду кремнiю у дослiджених зразках оцiнено з застосуванням наближення ефективного середовища за Брюггеманом

Еліпсометричне дослідження кераміки β-Si₃N₄ з домішками Мо та АІ

Ceramic Si₃N₄ samples with Мо and AI admixtures have been investigated by spectroellipsometry. The influence of admixtures on the ceramics optical properties have been studied. The local defects of Si₃N₄ crystal structure are responsible for the band gap reduction. The silicone oxynitride amount in the studied samples has been estimated numerically by Bruggeman effective medium approximation.Методом спектроэллипсометрии исследованы керамические образцы Si₃N₄ с добавками Мо и AI. Изучено влияние добавок на оптические свойства керамики. 3а сужение запрещенной зоны ответственны локальные дефекты кристаллической структуры Si₃N₄. Количество оксинитрида кремния в исследованных образцах численно оценено с применением приближения эффективной среды по Брюггеману.Методом спектроелiпсометрiї дослiджено керамiчнi зразки Si₃N₄ з домiшками Мо i AI. Вивчено вплив домiшок на оптичнi властивостi керамiки. 3а звуження забороненої зони вiдповiдають локальнi дефекти кристалiчної структури Si₃N₄. Кiлькiсть оксинiтриду кремнiю у дослiджених зразках оцiнено з застосуванням наближення ефективного середовища за Брюггеманом

Класифікація мультикутової та спектральної еліпсометрії для напівпровідникових наноструктур

Досліджені можливості багатопараметричного визначення напівпровідникових наноструктур на основі спектральних залежностей поляризованого випромінювання коефіцієнта відбиття Rp, Rs від кута падіння в діапазоні 200-800 нм. Експериментальні дані показали високі коефіцієнти чутливості відбивання кутової залежності від типу полікристалічних структур. Наявність додаткових спектральних екстремумів в залежності від заломлення і поглинання може бути пов'язане з розміром зерен по- лікристалічної структури і типу меж зерен. Показана можливість багатопараметричного дослідження. оптичних властивостей і товщини напівпровідникових шарів на кремнієвій підкладці. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955Исследованы возможности многопараметрического определения полупроводниковых нанострук- тур на основе спектральных зависимостей поляризованного излучения коэффициента отражения Rp, Rs от угла падения в диапазоне 200-800 нм. Экспериментальные данные показали высокие коэффициенты чувствительности отражения угловой зависимости от типа поликристаллических структур. Наличие дополнительных спектральных экстремумов в зависимости от преломления и поглощения может быть связано с размером зерен поликристаллической структуры и типа границ зерен. Показана возможность многопараметрического исследования оптических свойств и толщины полупроводниковых слоев на кремниевой подложке. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955The possibilities of multiparameter determination of semiconductor nanostructures based on spectral dependencies of polarized radiation reflection coefficient Rp, Rs on the incidence angle in the range of 200- 800 nm are investigated. Experimental data have shown high sensitivity of reflection coefficients angular dependence to the type of polycrystalline structures at the same film thickness. The presence of additional extremums in spectral dependence of refraction and absorption indexes is detected; this could be connected with grain size of polycrystalline structure and type of grain boundaries. The possibility of multiparameter optical research of properties and thickness of semiconductor layers on Si substrate is shown. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3595