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    Zur Schubbemessung von Stahl- und Spannbeton

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    Spektralselektive optoelektronische Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums

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    Die Dissertation beschreibt die Entwicklung spektralselektiver optoelektronischer Sensoren auf der Basis amorphen Siliziums. Das herausragende Merkmal dieses neuartigen Detektortyps besteht in seiner spannungsgesteuerten spektralen Empfindlichkeit, welche die Wellenlängenabhängigkeit der optischen Absorption des Halbleitermaterials durch die Bereitstellung eines entsprechenden Ladungsträger-Driftprofils ausnutzt. Auf diese Weise ist es möglich, mit einem einzigen Bauelement ein komplettes (RGB-) Farbsignal zu generieren. Die Arbeit dokumentiert die verschiedenen Entwicklungsstufen, in denen unterschiedliche Typen bipolarer und unipolarer Farbsensoren realisiert und optimiert worden sind. Der trichromatische Sensor des unipolaren Typs pi 3 n stellt den Endpunkt der Entwicklung dar. Er verbindet eine gute Farbtrennung mit hoher Dynamik und zeichnet sich darüber hinaus durch eine respektable Auslesegeschwindigkeit aus. Besondere Bedeutung erhält die Entwicklung der Farbsensoren im Zusammenhang mit der TFA-Technologie (Thin Film on ASIC), einer neuartigen Technologie zur Realisierung optischer Bildsensoren. Unmittelbar vor Fertigstellung dieser Arbeit konnte weltweit erstmalig die Realisierung eines TFA-Farbbildsensors demonstriert werden konnte. Hierbei kam ein unipolarer Dreifarbsensor zum Einsatz, welcher vom Autor im Rahmen dieser Arbeit entwickelt worden ist. Nicht zuletzt diese Tatsache belegt, daß die äußerst innovative Farbsensortechnologie den Weg für eine neue Generation von Farbbildaufnehmern mit vielfältigen Anwendungsfeldern ebnet, die von der digitalen Photographie bis hin zu komplexen Farbbildverarbeitungssystemen für den industriellen Bereich reichen.This Ph.D. thesis deals with spectrally selective optoelectronic sensors based on amorphous silicon. The most important feature of this novel detector type is its voltage controlled spectral sensitivity, originating from the wavelength dependence of optical absorption inside the thin film multilayer structures in conjunction with a corresponding drift profile for charge carriers. In this way a single device is able to generate a complete RGB color signal. The thesis documents various steps of development in which different types of bipolar and unipolar color detectors have been realized and optimized. The endpoint of the development is represented by the trichromatic unipolar sensor of pi 3 n type which combines good color separation and a high dynamic range. Moreover, this detector exhibits reasonable read out speed. The color reproduction performance of the device can be regarded as comparable to conventional color sensors using optical filters. The development of the color detectors gains special importance in the framework of TFA technology (Thin Film on ASIC), a novel technology for realization of image sensors, combining the excellent electrooptical properties of photodetectors based on amorphous silicon with powerful and flexible ASIC technology. Immediately before completion of this thesis a TFA color sensor array has been demonstrated successfully for the first time. The TFA imager makes use of an unipolar three color sensor that has been developed by the author. This fact already shows that the innovative color sensor technology guides the way to a new generation of color imagers to be employed in many fields of applications ranging from digital photography to complex industrial color image processing systems

    Designing a Hospital Case Management Program

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    Bemessungsansätze für das Biegetragverhalten von Stahl- und Spannbeton

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    Prosessmodenhetens rolle i implementeringen av et CRM-system : en casestudie i en norsk industribedrift

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    Masteroppgave informasjonssystemer IS501 - Universitetet i Agder 201

    Bemessungsansätze für das Biegetragverhalten von Stahl- und Spannbeton

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    Die Eulerlast des Stahlbetonstabes

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    Zur Drillung des Stahlbetons und des Spannbetons

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    Tax holidays og lavskattlandvurderingen

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    Lavskattland ble først introdusert i norsk skatterett i forbindelse med skattlegging av norsk-kontrollerte utenlandske selskaper hjemmehørende i lavskattland. Reglene som omhandler beskatning av deltakere i slike selskaper er beskrevet i Lov om skatt av formue og inntekt (Skatteloven) fra 26.mars 1999 i § 10-60 følgende. Videre følger det at definisjonen av lavskattland er definert i skatteloven § 10-63. Denne definisjonen fremstår uklar når det kommer til incentivordninger. Loven beskriver ikke om lavskattland-begrepet omfatter normalskatteland som tilbyr såkalte tax holidays. NOKUS-reglenes anvendelse av lavskattland-begrepet reiser derfor flere uavklarte spørsmål som i liten grad er blitt berørt tidligere. Vi skal i denne avhandlingen se nærmere på definisjonen av et lavskattland og vurdere i hvilken grad definisjonen omfatter incentivordninger som tax holidays
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