Les paysages thérapeutiques de deux maternités d'Île-de-France

En mobilisant le concept de paysages thérapeutiques, nous proposons de nous interroger sur l’agencement des lieux de soins et leur appropriation par les professionnels de santé dans le contexte spécifique de la prise en charge de la grossesse en maternité. La méthodologie de cette recherche repose sur la visite commentée et collective de deux maternités franciliennes de statut différent : la maternité du Groupe Hospitalier Saint-Joseph, établissement de santé privé d’intérêt collectif et celle du Centre hospitalier intercommunal public de Montreuil. Les résultats de cette recherche montrent que l’entrée théorique par les trois versants de l’espace thérapeutique s’avère pertinente pour documenter les hôpitaux en tant qu’espace de bien-être. Si l’exercice soignant, et l’engagement qui l’accompagne, se retrouvent sur les deux sites, le bassin de population, le management et la mission de ces établissements diffèrent. Le soin ne peut être identique voire équitable selon les locaux, leur agencement et les symboles qu’ils portent.Thanks to the “cultural turn”, medical geography has produced a great deal of work on health, taking the health care places as an entry point (Gesler & Kearns, 2002, Curtis, 2004). The purpose was to give them a broad scope that questioned the place of identity, human experience, body, environment and culture. Thus, places that had a reputation for caring, affecting health, and healing, have been documented by researchers and conceptualized under the term of therapeutic landscapes (Gesler, 2002). English-speaking researchers have thus published extensively in this direction. They ask how the design of a care space can interact with the relational dimension of the caregivers. But also how the use of places could claim to have a therapeutic dimension, or even improve the quality of care and the quality of life of the sick people living in these places (Gesler et al., 2004). More: her

The therapeutic landscapes of two maternity hospitals in Ile-de-France

Thanks to the “cultural turn”, medical geography has produced a great deal of work on health, taking the health care places as an entry point (Gesler & Kearns, 2002, Curtis, 2004). The purpose was to give them a broad scope that questioned the place of identity, human experience, body, environment and culture. Thus, places that had a reputation for caring, affecting health, and healing, have been documented by researchers and conceptualized under the term of therapeutic landscapes (Gesler, 20..

Etude par spectroscopie X en condition de diffraction de la croissance et de l'encapsulation de boites quantiques GaN/AlN

Les travaux présentés dans ce manuscrit sont consacrés à l'étude structurale (taille, déformation, composition) de boîtes quantiques GaN/AlN, par spectroscopie X en condition de diffraction et par diffraction et diffusion anomale des rayons X. Ces travaux sont appuyés par des analyses par diffraction des électrons rapides en réflexion (RHEED), par microscopies électronique en transmission (TEM) et à force atomique (AFM), et par diffusion des ions de moyenne énergie (MEIS). La mesure des structures fines en conditions de diffraction (spectroscopie X en condition de diffraction) et de la diffraction anomale, dans une géométrie en incidence rasante indispensable pour l'étude de nanoobjets, à nécessité des développements expérimentaux spécifiques. Conjointement, un effort particulier a été porté sur la prise en compte des effets dynamiques associés à l'utilisation d'une incidence rasante, dans l'analyse quantitative des résultats. En outre, les résultats ont été confrontés à des simulations des diagrammes de diffraction, des structures fines en condition de diffraction et de la diffraction anomale, sur la base de simulations des champs de déformations dans les boîtes quantiques. L'encapsulation de boîtes quantiques GaN (0001) par AlN, susceptible de modifier les propriétés structurales et donc optoélectroniques des boîtes, a été étudié, in situ pendant la croissance et ex situ, par diffraction anomale et spectroscopie X en condition de diffraction ou d'absorption, par TEM et AFM. Ces mesures ont permis de proposer un mécanisme d'encapsulation original, et de mettre en évidence l'évolution des propriétés structurales des boîtes pendant l'encapsulation. L'empilement de plans de boîtes quantiques, et les effets de corrélations verticale de la position des boîtes associés, ont par ailleurs été étudié in situ, par diffraction anomale et diffusion aux petits angles en incidence rasante. Par RHEED, une étude préliminaire structurale du mûrissement des boîtes quantiques GaN (0001) a été entreprise. Enfin, AFM, TEM et MEIS ont permis d'analyser les propriétés structurales et optoélectroniques de boîtes quantiques GaN (11-20) auto-organisées.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF

Étude de la nucléation et de la croissance de structures filaires GaN et AlN

Le travail présenté dans ce manuscrit traite de la compréhension des processus de croissance de structures colonnaires de matériaux semiconducteurs nitrures. La technique de croissance utilisée est l'épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma (PA-MBE). Plusieurs types d'expériences viennent étayer ce travail: des expériences de microscopie électronique à balayage et à transmission, des expériences de diffraction multi-longueurs d'onde et de spectroscopie en condition de diffraction (menées à l'ESRF sur les lignes BM2 et BM32), et des expériences de photoluminescence. Tout d'abord les mécanismes de nucléation des nanofils nitrure de gallium (GaN) réalisés sur un fin (3nm) buffer de nitrure d'aluminium (AlN) épitaxié sur un substrat de silicium (111) sont étudiés. Il est démontré que la relaxation complète des précurseurs des nanofils GaN est un élément clé du mécanisme de nucléation. Dans le cas des fils de GaN, il apparaît en outre que la morphologie granulaire du buffer AlN joue un rôle essentiel. Ensuite le développement des nanofils GaN, une fois la nucléation achevée, est analysé. Nous identifions la diffusion du gallium dans le plan de croissance ainsi que sur les facettes des nanofils comme étant le mécanisme responsable de la croissance. Nous montrons en particulier que l'In, qui joue le rôle de surfactant, active la diffusion du Ga dans le plan et permet la croissance de nanofils GaN à des températures relativement basses. Sur la base de la compréhension de la nucléation et du développement des nanofils GaN, la croissance de nanofils AlN sur 4nm de SiO2 amorphe déposé sur Si(001) est développée. C'est la première fois que ce type de nanofils est réalisé par MBE. La relaxation des contraintes au cours de la réalisation d'un super réseau AlN/GaN sur des nanofils GaN a ensuite été étudiée. Nous comparons les résultats expérimentaux à des simulations théoriques pour conclure à la relaxation élastique des contraintes. La croissance de nanofils AlGaN est finalement abordée de façon préliminaire.The work presented in this thesis deals with the growth mechanisms of nitride semiconductor nanowires produced by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE). The following experimental techniques were used to support the investigations: scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), multi-wavelength diffraction experiments and spectroscopy in diffraction condition (performed on beamlines BM2 & BM32 at the ESRF), and photoluminescence experiments. The nucleation of gallium nitride (GaN) nanowires initiated on a 3nm thin epitaxial layer of aluminum nitride (AlN), which is grown on a (111) silicon substrate has been investigated. It is demonstrated that the full relaxation of the nanowires precursors is one of the key points of the GaN nanowires nucleation process. It is furthermore demonstrated that the granular morphology of the AlN buffer plays a crucial role. Further growth of GaN nanowires in the steady state regime following the nucleation stage has been studied. It has been established that Ga diffusion on the growth plane and on the nanowire side facets is responsible for the growth of GaN nanowires. It has been shown in particular that In may play the role of a surfactant and promote in-plane Ga diffusion, making possible the growth of GaN nanowires at relatively low temperature. Based on the understanding of GaN nanowires nucleation and growth, the PA-MBE growth of AlN nanowires deposited on a 4nm thick SiO2 layer on Si (001) has been studied, for the first time Next, strain relaxation in AlN/GaN super-lattices grown on GaN nanowires has been studied. Comparison with theoretical simulations allows us to conclude that strain relaxation occurs elastically. Finally, the subject of AlGaN nanowire growth is briefly introduced.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF

Croissance et caractérisation de nanofils de GaN et d'hétérostructures filaires de GaN/AIN

Ce travail de thèse porte sur la croissance par épitaxie par jets moléculaires assistée plasma et sur la caractérisation de nanofils (NF) de GaN et d'hétérostructures filaires de GaN/AlN. Dans un premier temps, la morphologie des NFs de GaN (densité, longueur moyenne, diamètre moyen, dispersion de longueurs) est étudiée en fonction des paramètres de croissance. Via la diffraction d'électrons rapides, la morphologie des NFs GaN est corrélée à la dynamique de nucléation de ces derniers. Des expériences de diffraction de rayons X en incidence rasante effectuées à l'ESRF permettent également de clarifier les processus de nucléation des NFs GaN. Nous démontrons ensuite l'utilisation de la diffraction de rayons X résonnante pour déterminer la polarité des NFs GaN. Nous montrons que ces derniers sont de polarité N lorsque fabriqués sur Si nu. Des tests complémentaires de gravure sélective au KOH révèlent que les NFs GaN fabriqués sur un substrat de Si recouvert d'un fin buffer d'AlN ainsi que ceux dont la fabrication est initiée après pré-déposition de Ga sur la surface du Si, sont aussi de polarité N. Concernant les hétérostructures filaires GaN-AlN, la croissance d'AlN autour et sur les nanofils de GaN est étudiée en fonction de divers paramètres de croissance. Le rapport d'aspect des coquilles d'AlN (longueur/épaisseur) est décrit par un modèle géométrique. En utilisant une combinaison de diffraction anomale multi-longueurs d'onde, de microscopie en transmission de haute résolution et des calculs théoriques, l'état de contrainte des coeurs de GaN est analysé en fonction de l'épaisseur de la coquille. Cette contrainte augmente avec l'épaisseur de la coquille tant que l'AlN croît de manière homogène autour des NFs de GaN. Dès lors que la coquille est asymétrique, le système relaxe plastiquement. Nous étudions enfin la possibilité de fabriquer des îlots de GaN dans des NFs AlN. Nous déterminons le rayon critique de NFs AlN au-dessus duquel le GaN déposé subit une transition de forme de 2D à 3D. L'analyse des propriétés optiques de ces nanostructures originales revèle la présence de nombreux états localisés.This work focuses on the growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy and on the characterization of GaN nanowires (NWs) and of GaN/AlN NW heterostructures. We first investigate GaN NW morphology (density, mean length, mean diameter, length dispersion) dependence on the growth parameters. Using reflection high energy electron diffraction, GaN NW morphology is correlated to their nucleation dynamics. In situ grazing-incidence X-ray diffraction experiments performed at the ESRF allow clarifying GaN NW nucleation processes on bare Si(111) and when usinga thin AlN buffer deposited on Si(111). The use of resonant X-ray diffraction for the determination of GaN NW polarity is then successfully demonstrated. GaN NWs grown on bare Si(111) are shown to be N-polar. Additional KOH selective etching tests reveal that both GaN NWs grown using a thin AlN buffer on Si(111) and when pre-depositing Ga on the Si(111) surface are N-polar, too. Regarding GaN-AlN NW heterostructures, the growth of an AlN shell around GaN NWs is studied as a function of various growth parameters. The AlN shell aspect ratio is described by a geometrical model. Using a combination of multiwavelength anomalous diffraction, high resolution transmission microscopy and theoretical calculations, GaN core strain state is investigated as a function of the AlN shell thickness. This strain is shown to increase with the shell thickness as long as AlN grows homogeneously around GaN NWs. When the shell is asymmetric, the system relaxes plastically. Eventually, we study the possibility to fabricate island-like GaN insertions in AlN NWs. We determine the critical AlN NW radius above which GaN undergoes a 2D to 3D shape-transition. Regarding optical properties of these novel structures, the presence of multiple localized states is identified.SAVOIE-SCD - Bib.électronique (730659901) / SudocGRENOBLE1/INP-Bib.électronique (384210012) / SudocGRENOBLE2/3-Bib.électronique (384219901) / SudocSudocFranceF

Nucleation mechanism of GaN nanowires grown on (111) Si by molecular beam epitaxy

International audienceWe have performed a real-time in situ x-ray scattering study of the nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on AlN(0001)/Si(111). The intensity variation of the GaN diffraction peak as a function of time was found to exhibit three different regimes: (i) the deposition of a wetting layer, which is followed by (ii) a supralinear regime assigned to nucleation of almost fully relaxed GaN nanowires, eventually leading to (iii) a steady-state growth regime. Based on scanning electron microscopy and electron microscopy analysis, it is proposed that the granular character of the thin AlN buffer layer may account for the easy plastic relaxation of GaN, establishing that three-dimensional islanding and plastic strain relaxation of GaN are two necessary conditions for nanowire growth

Les paysages thérapeutiques de deux maternités à Paris et en petite couronne

National audienceL'article mobilise le concept de paysages thérapeutiques, pour étudier l’agencement des lieux dans deux maternités et leur appropriation par les professionnels de santé et les patientes. Si l’engagement des soignants se retrouve sur les deux sites, le bassin de population, le management et la mission de ces établissements diffèrent. Le soin ne peut être identique voire équitable selon les locaux, leur agencement et les symboles qu’ils portent

Strain assisted inter-diffusion in GaN/AlN quantum dots

International audienc

Molecular beam epitaxy growth and optical properties of AlN nanowires

International audienc

Structural and Optical Properties of AlxGa1-xN nanowires

International audienc