ВПЛИВ ГЛИБОКИХ ЦЕНТРІВ НА КІНЕТИКУ ПОВЕРХНЕВОГО СТРУМУ, ІНДУКОВАНОГО АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ В P-NПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs

The time-dependence of the surface current in GaAs p-n structures after placing in concentrated wet ammonia vapors was studied. It is sown that the slope of measured currenttime curves is non-monotonous. This effect is explained with taking into account presence of deep surface levels, which are filled, when the quasi-Fermi level is moving to the conduction band. An analysis of time-resolved measurements of surface current in GaAs p-n structures in wet ammonia vapors enabled to estimate depths of some surface levels. The depths of the main revealed surface levels are 0,206 eV, 0,185 eV, and 0,176 eV from c-band. In the interval of depths 0,176 eV – 0,185 eV surface levels are continuously distributed with practically constant density.Исследована кинетика поверхностного тока в p-n структурах на основе GaAs после их помещения в концентрированные влажные пары аммиака. Показано, что наклон измеренных временных зависимостей тока немонотонный. Данное явление объяснено с учетом наличия глубоких поверхностных уровней, которые заполняются, когда квази-уровень Ферми движется в сторону зоны проводимости. Анализ кинетики поверхностного тока в p-n структурах на основе GaAs во влажных парах аммиака позволил оценить глубины некоторых поверхностных уровней. Глубины основных обнаруженных поверхностных уровней составдяют 0,206 эВ, 0,185 эВ и 0,176 эВ от с-зоны. В интервале глубин 0,185 эВ – 0,176 эВ обнаружены дополнительные поверхностные уровни, распределенные непрерывно с практически постоянной плотностью.Досліджено кінетику поверхневого струму в p-n структурах на основі GaAs після їх поміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонний. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазі-рівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p-n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку дав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206 eВ, 0,185 eВ і 0,176 еВ від с-зони. В інтервалі глибин 0,185 eВ – 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю

ВПЛИВ ПАРІВ ВОДИ НА КІНЕТИКУ ПОВЕРХНЕВОГО СТРУМУ, ІНДУКОВАНОГО АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ В P-N ПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs

The time-resolved surface current in an n-conducting channel, due to ammonia and water molecules adsorption in GaAs p-n structures was studied. It is shown that the presence of water vapors in the ambient atmosphere strongly affects the current decay curves after the ammonia vapors removal. The current decay curve in this case has three exponential components with different characteristic times: , and , as well as a component with . The results are explained in terms of a simple model taking into account a dynamic equilibrium between the free electrons in the conducting channel and electrons on slow surface centers. Each decay curve exponential component is due to the emptying of corresponding centers. The characteristic time of a current decay curve exponential component is determined by the depth and density of the corresponding surface levels, as well as the conducting channel thickness.Исследована кинетика поверхностного тока в n-проводящем канале, обусловленном адсорбцией молекул аммиака и воды, в p-n переходах н основе GaAs. Показано, что наличие паров воды в окружающей среде сильно влияет на кривые спадания тока после удаления паров аммиака. Кривая спадания тока в этом случае имеет три экспоненциальные компоненты с различными значениями характеристического времени: 1 t = 30 c , 2 t = 1900 c и 3 t = 9400 c , а также компоненту с 4 3 t t . Результаты объясняются в рамках простой модели, которая учитывает динамическое равновесие между свободными электронами в проводящем канале и электронами на медленных поверхностных центрах. Характеристическое время каждой экспоненциальной компоненты кривой спадания тока определяется глубиной и плотностью соответствующих поверхностных уровней, а также толщиной проводящего канала.Досліджено кінетику поверхневого струму в n-провідному каналі, обумовленому адсорбцією молекул аміаку і води, в p-n переходах н основі GaAs. Показано, що наявність парів води у навколишньому середовищі сильно впливає на криві спадання струму після видалення парів аміаку. Крива спадання струму в цьому випадку має три експоненціальні компоненти з різними значеннями характеристичного часу: 1 t = 30 c , 2 t = 1900 c і 3 t = 9400 c , а також компоненту з 4 3 t t . Результати пояснюються в рамках простої моделі, яка враховує динамічну рівновагу між вільними електронами у провідному каналі та електронами на повільних поверхневих центрах. Кожна експоненціальна компонента обумовлена спустошенням відповідних центрів. Характеристичний час кожної експоненціальної компоненти кривої спадання струму визначається глибиною і щільністю відповідних поверхневих рівнів, а також товщиною провідного каналу