ВПЛИВ ГЛИБОКИХ ЦЕНТРІВ НА КІНЕТИКУ ПОВЕРХНЕВОГО СТРУМУ, ІНДУКОВАНОГО АДСОРБЦІЄЮ МОЛЕКУЛ АМІАКУ В P-NПЕРЕХОДАХ НА ОСНОВІ GaAs

Abstract

The time-dependence of the surface current in GaAs p-n structures after placing in concentrated wet ammonia vapors was studied. It is sown that the slope of measured currenttime curves is non-monotonous. This effect is explained with taking into account presence of deep surface levels, which are filled, when the quasi-Fermi level is moving to the conduction band. An analysis of time-resolved measurements of surface current in GaAs p-n structures in wet ammonia vapors enabled to estimate depths of some surface levels. The depths of the main revealed surface levels are 0,206 eV, 0,185 eV, and 0,176 eV from c-band. In the interval of depths 0,176 eV – 0,185 eV surface levels are continuously distributed with practically constant density.Исследована кинетика поверхностного тока в p-n структурах на основе GaAs после их помещения в концентрированные влажные пары аммиака. Показано, что наклон измеренных временных зависимостей тока немонотонный. Данное явление объяснено с учетом наличия глубоких поверхностных уровней, которые заполняются, когда квази-уровень Ферми движется в сторону зоны проводимости. Анализ кинетики поверхностного тока в p-n структурах на основе GaAs во влажных парах аммиака позволил оценить глубины некоторых поверхностных уровней. Глубины основных обнаруженных поверхностных уровней составдяют 0,206 эВ, 0,185 эВ и 0,176 эВ от с-зоны. В интервале глубин 0,185 эВ – 0,176 эВ обнаружены дополнительные поверхностные уровни, распределенные непрерывно с практически постоянной плотностью.Досліджено кінетику поверхневого струму в p-n структурах на основі GaAs після їх поміщення у концентровані вологі пари аміаку. Показано, що нахил виміряних часових залежностей струму є немонотонний. Дане явище пояснено за врахуванням наявності глибоких поверхневих рівнів, які заповнюються, коли квазі-рівень Фермі рухається в сторону зони провідності. Аналіз кінетики поверхневого струму в p-n структурах на основі GaAs у вологих парах аміаку дав можливість оцінити глибини деяких поверхневих рівнів. Глибини основних виявлених поверхневих рівнів складають 0,206 eВ, 0,185 eВ і 0,176 еВ від с-зони. В інтервалі глибин 0,185 eВ – 0,176 еВ виявлено додаткові поверхневі рівні, розподілені неперервно з практично постійною щільністю