Економіка підприємства

У підручнику розглянуто сучасні актуальні процеси розвитку підприємств: правові засади власності, інтелектуальний капітал, мережеві структури, конкурентну політику, трансформацію та реструктуризацію підприємств; проаналізовано інструментарій, що забезпечує порівнянну вартісну оцінку витрат і результатів діяльності; приділено увагу питанням пошуку і реалізації найбільш ефективних напрямів розвитку підприємства в умовах невизначеності. Для викладачів і студентів економічних спеціальностей, для тих, хто вивчає економічні дисципліни на неекономічних спеціальностях, для фахівців і керівників підприємств.В учебнике рассмотрены современные актуальные процессы развития предприятий: правовые основы собственности, интеллектуальный капитал, сетевые структуры, конкурентную политику, трансформацию и реструктуризацию предприятий; проанализированы инструментарий, обеспечивающий сравнимую стоимостную оценку затрат и результатов деятельности; уделено внимание вопросам поиска и реализации наиболее эффективных направлений развития предприятия в условиях неопределенности. Для преподавателей и студентов экономических специальностей, для тех, кто изучает экономические дисциплины на неэкономических специальностях, для специалистов и руководителей предприятий.The textbook considers the modern current processes of enterprise development: legal principles of ownership, intellectual capital, network structures, competition policy, transformation and restructuring of enterprises; comparable cost-benefit analysis; the book focuses on the search and implementation of the most significant areas of enterprise development in conditions of uncertainty. For teachers and students of economic specialties, those who study economic disciplines in non-economic specialties, for professionals and business leaders

Current reflector

Відбивач струму, який містить три транзистори, вхідну та вихідну шини, шину нульового потенціалу, причому вхідну шину з'єднано з колектором першого транзистора, емітери першого та другого транзисторів об'єднано та з'єднано з шиною нульового потенціалу, бази першого та другого транзисторів об'єднано та з'єднано з колектором другого транзистора, а також з емітером третього транзистора, колектор третього транзистора з'єднано з вихідною шиною, причому у нього введено три транзистори, два джерела струму, джерело напруги, причому вхідну шину з'єднано з об'єднаними базами четвертого і шостого транзисторів, а також із об'єднаним колектором четвертого транзистора і першим джерелом струму, емітери четвертого і шостого транзисторів об'єднані між собою і з'єднані з емітером п'ятого транзистора, база п'ятого транзистора з'єднана із об'єднаним колектором першого транзистора і другим джерелом струму, база шостого транзистора з'єднана з емітером третього транзистора, колектор шостого транзистора з'єднано із вихідною шиною, база третього транзистора з'єднана з джерелом напруги, а колектор третього транзистора з'єднано з колектором другого транзистора, база другого транзистора з'єднана із базою першого транзистора, перший вивід першого та перший вивід другого джерел струму з'єднано з шиною нульового потенціалу.Отражатель тока, содержащий три транзистора, входящую и исходящую шины, шину нулевого потенциала, причем входная шина соединена с коллектором первого транзистора, эмиттеры первого и второго транзисторов объединены и соединены с шиной нулевого потенциала, базы первого и второго транзисторов объединены и соединены с коллектором второго транзистора, а также с эмиттером третьего транзистора, коллектор третьего транзистора соединен с выходной шиной, причем в него введены три транзистора, два источника тока, источник напряжения, причем входная шина соединена с объединенными базами четвертого и шестого транзисторов, а также с объединенным коллектором четвертого транзистора и первым источником тока, эмиттеры четвертого и шестого транзисторов объединены между собой и соединены с эмиттером пятого транзистора, база пятого транзистора соединена с объединенным коллектором первого транзистора и вторым источником тока, база шестого транзистора соединена с эмиттером третьего транзистора, коллектор шестого транзистора соединен с выходной шиной, база третьего транзистора соединена с источником напряжения, а коллектор третьего транзистора соединен с коллектором второго транзистора, база второго транзистора соединена с базой первого транзистора, первый вывод первого и первый вывод второго источников тока соединен с шиной нулевого потенциала.A current reflector comprises three transistors, input and output buses, a zero bus, the input bus is connected to the collector of first transistor, the emitters of first and second transistors are united and connected to the zero bus, the bases of first and second transistors are united and connected to the collector of second transistor, as well as to the emitter of third transistor, the collector of third transistor is connected to the output bus; moreover, three transistors, two current sources and a voltage source are introduced. The input bus is connected to the united bases of fourth and sixth transistors, as well as to the united bases of fourth transistors and first current source, the emitters of fourth and sixth transistors are united and connected to the emitter of fifth transistor, the base of fifth transistor is connected to the united collectors of first transistor and second current source, the base of sixth transistor is connected to the emitter of third transistor, the collector of sixth transistor is connected to the output bus, the base of third transistor is connected to the voltage source, the collector of third transistor is connected to the collector of second transistor, the base of second transistor is connected to the base of first transistor; the first output of first current source and terminal of second current source are connected to the zero bus

Current reflector

Відбивач струму містить чотири транзистори, шину нульового потенціалу, вхідну та вихідну шини, причому вхідну шину з'єднано з колектором та базою першого транзистора, а також з базою другого транзистора, емітер першого транзистора з'єднано з колектором та базою третього транзистора, а також з базою четвертого транзистора, емітер другого транзистора з'єднано з колектором четвертого транзистора, емітери третього та четвертого транзисторів з'єднано з шиною нульового потенціалу, колектор другого транзистора з'єднано з вихідною шиною. У нього введено три транзистора, чотири джерела струму, причому емітер п'ятого транзистора об'єднано з колектором другого транзистора і з'єднано з об'єднаним колектором шостого транзистора і першим виводом третього джерела струму, база п'ятого транзистора та емітер шостого транзистора з'єднано з другим виводом другого джерела струму, бази шостого та сьомого транзисторів об'єднано і з'єднано з колектором сьомого транзистора та з другим виводом четвертого джерела струму, емітер сьомого транзистора з'єднано з колектором та базою восьмого транзистора, колектор п'ятого транзистора з'єднано з вихідною шиною, перший вивід першого джерела струму, перший вивід другого і четвертого джерела струму з'єднано з шиною нульового потенціалу.A current reflector comprises four transistors, a zero bus, input and output buses, with input bus being connected to a collector and base of first transistor, also to the base of second transistor; the emitter of first transistor is connected to the collector and base of third transistor, and to the base of fourth transistor, the emitter of second transistor is connected to the collector of fourth transistor. The emitter of third and fourth transistors are connected to the zero bus, the second transistor collector is connected to the output bus. Three transistors and four current sources are introduced, the emitter of fifth transistor is united with the collector of second transistor and connected to the united collector of sixth transistor and first terminal of third current source, the base of fifth transistor and emitter of sixth transistor are connected to the second terminal of second current source, the bases of sixth and seventh transistors are united and connected to the collector of seventh transistor and to second terminal of fourth current source, the emitter of seventh transistor is connected to the collector and base of eighth transistor, the collector of fifth transistor is connected to the output bus, the first terminal of first current source, first terminal of second and fourth current source are connected to the zero bus.Отражатель тока содержит четыре транзистора, шину нулевого потенциала, входную и выходную шины, причем входная шина соединена с коллектором и базой первого транзистора, а также с базой второго транзистора, эмиттер первого транзистора соединен с коллектором и базой третьего транзистора, а также с базой четвертого транзистора, эмиттер второго транзистора соединен с коллектором четвертого транзистора, эмиттеры третьего и четвертого транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, коллектор второго транзистора соединен с выходной шиной. В него введены три транзистора, четыре источника тока, причем эмиттер пятого транзистора объединен с коллектором второго транзистора и соединен с объединенным коллектором шестого транзистора и первым выводом третьего источника тока, база пятого транзистора и эмиттер шестого транзистора соединены со вторым выводом второго источника тока, базы шестого и седьмого транзисторов объединены и соединены с коллектором седьмого транзистора и со вторым выводом четвертого источника тока, эмиттер седьмого транзистора соединен с коллектором и базой восьмого транзистора, коллектор пятого транзистора соединен с выходной шиной, первый вывод первого источника тока, первый вывод второго и четвертого источника тока соединен с шиной нулевого потенциала

Dc amplifier

Підсилювач постійного струму містить перше і друге джерела струмів, шини додатного та від'ємного живлення, шину нульового потенціалу, сорок два транзистори, вхідну і вихідну шини.Усилитель постоянного тока содержит первый и второй источники токов, шины положительного и отрицательного питания, шину нулевого потенциала, сорок два транзистора, входную и выходную шины.A DC-amplifier comprises first and second power sources, positive and negative power distribution buses, a zero bus, forty two transistors, input and output buses

Отримання та дослідження плівок телериду кадмію і трердих розчинів на його основі для сонячних елементів та детекторів випромінювання

Об’єкт досліджень: процеси структуро- та фазоутворення у тонких і товстих плівках CdTe та Cd1-xMnxTe, одержаних методом квазізамкненого об’єма (КЗО) на неорієнтуючих підклaдкaх і підшарах інших халькогенідів, їх вплив на оптичні, люмінесцентні, електричні властивості шарів, ансамбль точкових дефектів (ТД) мaтеріaлу. Предмет досліджень: структурні, оптичні, люмінесцентні, електрофізичні властивості, елементний склад та ансамбль ТД вакуумних конденсатів CdTe та Cd1-xMnxTe, буферних і віконних шарів, створення приладових структур на основі гетеропереходів та структур метал – напівпровідник. Мета роботи: З’ясування можливості використання товстоплівкових полікристалічних шарів CdTe та Cd1-xMnxTe для детектування жорсткого випромінювання, тонкоплівкових конденсатів для створення адсорбуючих шарів фотодетекторів і сонячних елементів. Оптимізація структурних, люмінесцентних та електрофізичних характеристик базових шарів на основі CdTe та Cd1-xMnxTe для їх подальшого використання у приладах мікроелектроніки. У роботі отримані тонкі та товсті плівки CdTe та Cd1-xMnxTe високої структурної якості. Дослідження морфології поверхні плівок, їх фазового складу та структурних особливостей свідчать, що шари отримані в оптимальних фізико-технологічних умовах, завдяки великому розміру зерен, стовбчастій структурі, однофазності, можуть бути з успіхом використані як матеріал поглинаючих шарів детекторів жорсткого випромінювання. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2722

Отримання та дослідження плівок телуриду кадмію І твердих розчинів на його основі для сонячних елементів та детекторів випромінювання

З’ясування можливості використання товстоплівкових полікристалічних шарів CdTe та Cd1-xMnxTe для детектування жорсткого випромінювання, тонкоплівкових конденсатів для створення адсорбуючих шарів фотодетекторів і СЕ. Оптимізація структурних, люмінесцентних та електрофізичних характеристик базових шарів на основі CdTe та Cd1-xMnxTe для їх подальшого використання у приладах мікроелектроніки. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3263