Вимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Хармана

For the analysis of the measurement of thermoelectric parameters of semiconductors, the Harman pulsed method was used. The authors propose a new approach to determine the thermoelectric quality factor of thin semiconductor films in the temperature interval (300 ÷ 500) K by directly measuring a series of electric circuit parameters. The theory of the method is described in detail and its application in the measurement methodology. The dependences of electrical quantities on the time, namely voltage – V(t), are investigated at different values of current pulses for thin films PbTe<Tl> grown by the pulsed laser deposition. Для аналізу вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідників, використано імпульсний метод Хармана Запропоновано новий підхід для визначення термоелектричної добротності тонких напівпровідникових плівок в інтервалі температур (300 ÷ 500) К шляхом безпосереднього вимірювання ряду параметрів електричного кола. Детально описано теорію методу, застосування його у методиці вимірювань. Досліджено залежності електричних величин, зокрема напруги - V(t), від часу при різних значеннях імпульсів струму для тонких плівок PbTe<Tl>, вирощених імпульсним лазерним осадженням.&nbsp