DaF International:aktuelle Tendenzen weltweit und Herausforderungen für die deutschsprachigen Länder

Die vorliegende Studie beschreibt die aktuelle internationale DaF-Situation. Dabei steht dem quantitativen Rückgang der deutschen Sprache eine verstärkte Nachfrage nach ihrer praxisorientierten und berufsbezogenen Sprachvermittlung gegenüber. Diese Umorientierung von einer kulturvermittelnden Auslandsgermanistik zu einem praxisorientierten DaF-Unterricht ist erforderlich, wenn das Deutsche seine Position als zweite oder dritte Fremdsprache behaupten will. Dafür bedarf es der ökonomischen Perspektive, denn wie attraktiv eine Sprache für Lerner ist, hängt in der globalisierten Welt von der wirtschaftlichen Leistungsfähigkeit ihrer Sprechergemeinschaft ab. Spracherwerb bedeutet heute nicht mehr primär Kulturtransfer, sondern verstärkt Know-How-Transfer. Die langfristigen Chancen der deutschen Sprache als Fremdsprache hängen heute sehr stark von der Marktposition Deutschlands in der Spitzentechnologie ab

HIV Denial in the Internet Era

The Internet has served as a fertile and un-refereed medium to spread HIV denialist beliefs, argue the authors

Heteroduplex analysis of the RNA of clone 3 Moloney murine sarcoma virus

Heteroduplex analysis of the RNA isolated from purified virions of clone 3 Moloney murine sarcoma virus (M-MSV) hybridized to cDNA's from Moloney murine leukemia virus (M-MLV) and clone 124 M-MSV shows that the main physical component of clone 3 RNA is missing all or most of the 1.5-kilobase (kb) clone 124 M-MSV specific sequence denoted beta s (S. Hu et al. Cell 10:469-477, 1977). This sequence is either deleted in clone 3 RNA or substituted by a very short (0.3-kilobase) sequence. In other respects, clone 3 and clone 124 RNAs show the same heteroduplex structure relative to M-MLV. Since beta s is believed to contain the src gene(s) of clone 124 RNA, this result leaves as an unresolved question the nature of the src gene(s) of the clone 3 M-MSV RNA complex

Sub 20 nm Short Channel Carbon Nanotube Transistors

Carbon nanotube field-effect transistors with sub 20 nm long channels and on/off current ratios of > 1000000 are demonstrated. Individual single-walled carbon nanotubes with diameters ranging from 0.7 nm to 1.1 nm grown from structured catalytic islands using chemical vapor deposition at 700 degree Celsius form the channels. Electron beam lithography and a combination of HSQ, calix[6]arene and PMMA e-beam resists were used to structure the short channels and source and drain regions. The nanotube transistors display on-currents in excess of 15 microA for drain-source biases of only 0.4 Volt.Comment: Nano Letters in pres