Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD

Des films de SiNx ont été déposés à basse température par UVCVD pour la passivation de photodiodes pin en GaInAs. La structure physique du SiNx a été évaluée par spectroscopie IR et ses caractéristiques électriques grâce à la réalisation de structures MIS sur GaInAs et InP. Aucune dégradation du courant de fuite n'a été observé sur les photodiodes pin de type mesa avant et après le dépôt de SiNx . Finalement, la passivation a été testée par une expérience de vieillissement à haute température

Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD

UVCVD SiNx thin films has been deposited at low temperature for the passivation of GaInAs pin photodiodes. A structural evaluation of the SiNx has been made by IR spectroscopy and its electrical characteristics has been evaluated on GaInAs and InP MIS structures. No degradation of the leakage current has been observed on mesa type GaInAs pin photodiodes before and after the UVCVD SiNx deposition. Finally, the passivation efficiency has been assessed by a high temperature aging experiment.Des films de SiNx ont été déposés à basse température par UVCVD pour la passivation de photodiodes pin en GaInAs. La structure physique du SiNx a été évaluée par spectroscopie IR et ses caractéristiques électriques grâce à la réalisation de structures MIS sur GaInAs et InP. Aucune dégradation du courant de fuite n'a été observé sur les photodiodes pin de type mesa avant et après le dépôt de SiNx . Finalement, la passivation a été testée par une expérience de vieillissement à haute température

VERY LOW RESISTIVITY AuMn GATE OHMIC CONTACTS FOR GaInAs DIFFUSED JFETs

Tant pour les transistors à effet de champ à jonction que pour les transistors bipolaires à hétérojonction de la famille GaInAs/InP, l'obtention de contacts ohmiques de type P à faible résistivité est une étape particulièrement critique en raison de la forte hauteur de barrière Schottky sur ces matériaux. La réalisation d'un surdopage p+ par diffusion de Zn en boîte semi-fermée ainsi que l'utilisation de l'alliage MnAu ont permis de résoudre ces problèmes : une résistivité de contact aussi faible que 10-7 Ω cm2 a en effet pu être obtenue.For GaInAs/InP junction field effect transistors as well as heterojunction bipolar transistors, the achievement of very low resistivity P type ohmic contact is a very critical step because the Schottky barrier height on these materials is quite high. The realization of a highly doped P+ layer by Zn diffusion in a semi-closed box and the use of MnAu alloy contact have allowed to solve these difficulties : in fact, a contact resistivity as low as 10-7 Ω cm2 has been obtained

Distributed GaAs-PHEMT 0.2um preamplifier for 20 Gbit/s photoreceivers.

A 20 Gb/s photoreceiver module has been realized with a transimpedance of 63 dBOhm. The bandwidth is 16 GHz, and the average equivalent input noise is 13 pA/(Hz)1/2 up to 14 GHz. This photoreceiver is realized by cascading three distributed preamplifiers processed in a GaAs PHEMT 0.2um gate length technology