High-resolution Raman microscopy of curled carbon nanotubes

The use of confocal Raman imaging spectroscopy and atomic force microscopy for identifying conditions of carbon nanotubes with bent nanotube bundles in the bent state was described. It was found that the tangential G mode on Raman spectra systemically shifts downward upon nanotube bending. The frequency shifts observed in the nanotubes were due to tensile strain of the bending nanotube arrays, which resulted in the loosening of C-C bonds in the outer walls. It was speculated that the frequency shift in Raman spectra was used for fast monitoring of the bending state of the standing carbon nanotube in gas and fluid flow nanosensors.open282

Транспортная логистика: проблемы и перспективы развития в таможенном деле

Выпускная квалификационная работа посвящена исследованию транспортной логистике в таможенном деле. Целью данной работы является комплексный анализ факторов, механизмов и проблем трансформации таможенной логистики в глобальной торговой системе и обоснование направлений адаптации таможенной логистики России в условиях либерализации международной торговли. Задачи: •Понятие, виды, функции логистики •Задачи транспортной логистики •Сущность таможенной логистики •Проблемы становления таможенной логистики •Ключевые проблемы таможенной логистики •Перспективы развития таможенной логистики. Объектом исследования является процесс формирования и реализации таможенной логистики в глобальной торговой системе.The final qualifying work is devoted to the study of transport logistics in the customs business. The purpose of this work is a comprehensive analysis of the factors, mechanisms and problems of the transformation of customs logistics in the global trading system and the rationale for adapting the customs logistics of Russia in the context of the liberalization of international trade

Elektrooptische Höchstfrequenzuntersuchungen an Supraleitern und Halbleitern

In dieser Arbeit wurde eine Apparatur aufgebaut, mit der es mit Hilfe einer stroboskopisehen optischen Methode möglich ist, elektrische Pulse von weniger als 1 ps Dauer zu erzeugen und anschließend, nach der Wechselwirkung mit einem Bauelement, zeitaufgelöst zu detektieren. Die Meßmethode hat einen sehr breiten Anwendungsbereich, der die zeitaufgelöste Messung von Schaltzeiten ultraschneller Bauelemente, wie z.B. Photoschalter und MSM-Dioden ebenso ermöglicht, wie die spektroskopische Analyse von Materialeigenschaften, beispielsweise des Supraleiters YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$. Die obere Grenze der Zeitauflösung liegt bei dem hier verwendeten Meßkristall LiTaO$_{3}$ bei etwa 300 fs, der erfaßte Frequenzbereich erstreekt sich von ca. 10 bis über 600 GHz. Es wurden Photoschalter aus sehr unterschiedlichen Materialkombinationen hergestellt und ihre Schaltzeiten vermessen. Bei der Herstellung von Photoschaltern auf der Basis von ionenimplantiertem SoS ($\textit{Silicon-on-Sapphire}$) wurden Si-Ionen einer Implantationsenergie von 400 keV verwendet, Dabei stellte sich heraus, daß eine Dosis von 5 $\cdot$10$^{14}$ cm$^{-2}$ ausreichend ist, urn Schaltzeiten von weniger als 1 ps zu erreichen. Der kürzeste erreichte Wert betrug 0,8 ps. Mit diesen Photoschaltern auf Si-Basis ließen sich allerdings aufgrund der gemessenen Beweglichkeit der Ladungsträger von $\mu$ = 28 cm$^{2}$/Vs nur Spannungen von ca. 150 mV schalten. Photoschalter auf Basis von LTGaAs weisen demgegenüber eine gemessene Beweglichkeit von $\mu$ = 250 cm$^{2}$/Vs auf. Mit diesen Photoschaltern wurden Schaltzeiten von unter 0,5 ps und geschaltete Spannungen von über 10 V erreicht. Diese Schaltzeiten sind so kurz, daß damit die Auflösungsgrenze der Meßmethode bei Verwendung eines LiTaO$_{3}$-Kristalls erreicht wird. Im Rahmen einer Zusammenarbeit mit der RWTH-Aachen (Institut für Halbleiterphysik II) wurde eine neuartige MSM-Diode auf Basis von InP/InGaAs untersucht. Bei dieser Diode wird die Schaltzeit nicht wie bei üblichen MSM-Dioden durch die Flugzeit der Ladungsträger zwischen den Metallkontakten bestimmt, sondern durch den schnellen Ladungstransfer von der InP-Schicht in eine darunterliegende InGaAs-Schicht mit einem geringeren Bandabstand. Die Lebensdauer der Ladungsträger in dieser InGaAs-Schicht ist viel länger als die Schaltzeit der Diode. Da diese Ladungsträger aber durch eine Barriere von der InP-Schicht getrennt sind, tragen sie nicht mehr zum Ladungstransport und damit zur Pulsverlängerung bei. Mit dieser Diode wurden Schaltzeiten von 0,6 ps erzielt. Die geschaltete Spannung betrug 60 % der angelegten Vorspannung. Durch Variation der Schichtdicken von InP- und InGaAs-Schicht läßt sich die Schaltzeit und -effizienz dieser Diode in weiten Grenzen verändern. Ein wesentlicher Teil der Arbeit ist der Untersuchung der Propagation von elektrischen Pulsen auf Hochfrequenz-Verbindungsleitungen aus mikrostrukturierten YBa2Cu3O$_{7-x}$-Schichten gewidmet.Besonderes Gewicht wird dabei auf die Integration der Supraleiter mit halbleitenden Substraten und Photoschaltern gelegt. Bei diesen Experimenten wird aus cler Pulspropagation die Absorption [...

Elektrooptische Hoechstfrequenzuntersuchungen an Supraleitern und Halbleitern

In this work a specific measurement device for the fs stroboscopy of electric transport properties of new materials is designed. With this method it was possible to study the rf properties of the high-Tc superconductor YBa_2Cu_3O_7_-_x on LaAlO_3 and on the semiconductors Si and GaAs in the frequency range 10 to 600 GHz. The pulses were detected via the electro-optical effect in LaTaO_3. (WL)Available from TIB Hannover: RA 831(2895) / FIZ - Fachinformationszzentrum Karlsruhe / TIB - Technische InformationsbibliothekSIGLEDEGerman