On a spectral criterion for almost periodicity of solutions of periodic evolution equations

This paper is concerned with equations of the form: $u'=A(t)u + f(t)$, where $A(t)$ is (unbounded) periodic linear operator and f is almost periodic. We extend a central result on the spectral criteria for almost periodicity of solutions of evolution equations to some classes of periodic equations which says that if $u$ is a bounded uniformly continuous mild solution and $P$ is the monodromy operator, then their spectra satisfy $e^{i sp_{AP(u)}}\subset \sigma(P)\cap S^1$, where $S^1$ is the unit circle. This result is then applied to find almost periodic solutions to the above­mentioned equations. In particular, parabolic and functional differential equations are considered. Existence conditions for almost periodic and quasi­periodic solutions are discussed

Effect of Annealing Time on the Power Conversion Efficiency of Silicon Nanowire Based Solar Cell Prepared by Wet Diffusion Technique

In this study, we present the effect of annealing time on the power conversion efficiency (PCE) of silicon nanowire (SiNW) based solar cell prepared by wet diffusion technique. P-typed SiNW arrays were prepared by metal assisted chemical etching (MACE) method using aqueous solution including HF (4.6 M) and AgNO3 (0.02 M). The prepared SiNWs have V-shaped structures with the wall thickness in a range from 10-50 nm and the average length of 1.5 μm. The reflectance of SiNW array remained less than 20 % and lower compared to that of planar Si (38 %) in the range of 300-1000 nm due to the subwavelength light trapping and collective light scattering interactions. The wet diffusion technique was used to making p-n junctions in solar cell structure with different annealing time at 850 ℃. The obtained results demonstrated that the PCE increases when increasing the annealing time from 30 min to 45 min then decreases with 60 min. The highest PCE obtained with cell annealed for 45 min was measured to be 2.2 % and about 2 times and 5 times higher compared to cell annealed for 60 min and 30 min, respectively. The dependence of PCE on the annealing time is attributed to the difference in the doping diffusion depth

Low-temperature PZT thin-film ferroelectric memories fabricated on SiO2/Si and glass substrates

In a ferroelectric-gate thin film transistor memory (FGT) type structure, the gate-insulator layer is extremely important for inducing the charge when accumulating or depleting. We concentrated on the application of low-temperature PZT films crystallized at 450, 500 and 550 °C, instead of at conventional high temperatures (≥600 °C). Investigation of the crystalline structure and electrical properties indicated that the PZT film, crystallized at 500 °C, was suitable for FGT fabrication because of a high (111) orientation, large remnant polarization of 38 μC/cm2 on SiO2/Si substrate and 17.8 μC/cm2 on glass, and low leakage current of 10−6 A/cm2. In sequence, we successfully fabricated FGT with all processes below 500 °C on a glass substrate, whose operation exhibits a memory window of 4 V, ON/OFF current ratio of 105, field-effect mobility of 0.092 cm2 V−1 s−1, and retention time of 1 h

Вплив концентрації графенових нанопластинок на теплопровідність силіконової термопасти

Ми повідомляємо про ефективний шлях до підвищення теплопровідності силіконової термопасти без погіршення її сумісності за рахунок використання високої теплопровідності та механічної гнучкості/пластичності графенових матеріалів. Силіконові термопасти, що містять графенові нанопластинки (ГНП), готувалися із застосуванням високоенергетичного помелу в кульовому млині. Зображення СЕМ показали, що ГНП були добре дисперговані у базовій термопасті. Досліджена теплопровідність термопасти. Отримані результати показали, що ГНП ефективні для підвищення теплопровідності термопаст. Найвище підвищення теплопровідності до 59 % було отримано для термопасти, що містить 0,75 об. % ГНП. Таке підвищення можна віднести до високої теплопровідності ГНП, хорошої сумісності та рівномірного диспергування ГНП у термопасті. Теплопровідність термопасти з більш високою концентрацією ГНП 1 об. % зменшувалася за рахунок утворення кластерів ГНП. Використовуючи модель Чу з підбором міжфазної термостійкості (Rk), ми виявили, що підвищення теплопровідності термопасти стосується термостійкості Rk між ГНП та матрицею термопасти. Найкращий спосіб поліпшити теплопровідність термопасти – це зменшити Rk. Отримані результати продемонстрували переваги ГНП в термопастах для розсіювання тепла в електронних пристроях високої потужності.We herein report a facile route to improve the thermal conductivity of silicone thermal grease without deteriorating its conformability via exploitation of outstanding thermal conductivity and mechanical flexibility/ductility of graphene materials. The silicone thermal greases containing GNPs were prepared by using the high-energy ball milling process. The SEM images proved that GNPs were well dispersed in the base grease. The thermal conductivity of the thermal greases was investigated and presented. The obtained results demonstrated that GNPs are efficient for the thermal conductivity enhancement of the thermal grease. The highest thermal conductivity enhancement up to 59 % was obtained with the grease containing 0.75 vol. % GNPs. The enhancement could be attributed to high thermal conductivity of GNPs, the good compatibility and uniform dispersion of GNPs in the thermal grease. The thermal conductivity of the thermal grease with higher GNPs concentration of 1 vol. % was decreased due to the formation of GNPs clusters. By using Chu’s model with the interfacial thermal resistance (Rk) fitting, we found that the thermal conductivity enhancement of the thermal grease concerns to the Rk between GNPs and the grease matrix. The best way to improve the thermal conductivity of the thermal grease is to reduce the Rk. The obtained results demonstrated the advantages of GNP in the thermal greases for the heat dissipation in high power electronic devices