Features of special joints of grain boundaries in polysilicon films of equiaxial and dendritic structures

Comparative analysis of special grain boundary joints in polysilicon films with equiaxial and dendritic (undoped and phosphorus-doped) structure, prepared by low-pressure chemical vapor deposition, has been carried out using atomic force microscopy and transmission electron microscopy. The formation mechanisms of special grain boundary joints have been analyzed for different film structures. The effect of phosphorus on formation of grain boundary joints has been analyzed.Методами атомной силовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии проведен сравнительный анализ специальных стыков границ зерен в поликристал-лических пленках кремния с равноосной и дендритной структурой (нелегированных и легированных фосфором), полученных методом химического осаждения из газовой фазы в реакторе пониженного давления. Рассмотрены механизмы формирования специальных стыков в пленках разных структурных модификаций. Проанализирована роль фосфора в формировании стыков границ зерен.Методами атомної силової мікроскопії та просвічуючої електронної мікроскопії проведено порівняльний аналіз спеціальних стиків границь зерен та поверхневих неоднорідностей у полікристалічних плівках кремнію з рівноосьовою та дендритною структурою (нелегованих і легованих фосфором), отриманих методом хімічного осадження з газової фази в реакторі зниженого тиску. Розглянуто механізми формування спеціальних стиків у плівках різних структурних модифікацій. Проаналізовано роль фосфору у формуванні стиків границь зерен

Rotation of Ge ad-dimers on Ge(0 0 1)

Structural calculations of the Ge ad-dimer rotation on Ge(0 0 1)-2×1 and Ge(0 0 1)-c(4×2) surfaces were performed by ab initio and semiempirical methods. Besides the two (already known) stable adsorption sites on top of the substrate dimer rows (angles between substrate dimer bond and ad-dimer bond are 0° and 90°, respectively) a new local minimum was found. The angle between the substrate dimer bond and the ad-dimer of this local minimum is about 45°. This theoretical result might explain the observation of the so-called A/B Ge ad-dimers on Ge(0 0 1)

La alquibla en al-Andalus y al-Magrib al-Aqsá

Scanning tunneling microscopy has been used to investigate the initial adsorption stage of Bi on Si(1 0 0) and Ge(1 0 0) surfaces at room temperature. The most favorable position for a Bi ad-dimer on both surfaces is the B-configuration (Bi ad-dimer positioned on-top of the substrate rows with its dimer bond aligned along the substrate dimer row direction). For Si(1 0 0) the A-type dimers (dimer bond aligned perpendicular to the substrate dimer row direction) occasionally rotate back and forth to a B-configuration. The diffusion rates of B-type and A-type dimers along the substrate row and the B–A, A–B rotations on Si(1 0 0) are extracted from an analysis of many sequences of STM images. Finally, it is shown that the presence of an attractive interaction between Bi ad-dimers (irrespective of their orientation) positioned on neighboring substrate dimer rows leads to the formation of local regions with a 2×2 reconstruction