Optoelectronic Structure and Related Transport Properties of Ag2Sb2O6 and Cd2Sb2O7

Pomocí metody the full-potential linearized augmented-plane wave byla zkoumána elektronická struktura a termoelektrické vlastnosti Ag2Sb2O6 a Cd2Sb2O7. Modifikovaný potenciál Becke-Johnson byl aplikován k výměně korelační energie. Elektronické pásmové struktury odhalují, že minimální hodnota valenčního pásma a minimální pásmo vodivosti se vyskytují v bodě C, což naznačuje, že Ag2Sb2O6 a Cd2Sb2O7 mají přímé polovodičové energetické pásmo. Vyskytla se silná hybridizace mezi stavy Ag (Cd) -s / p a O-s / p. Optické vlastnosti, tj. Komplexní dielektrická funkce, odrazivost, index lomu a funkce ztráty energie, odhalují vysokou odrazivost v oblasti ultrafialové energie, což ukazuje na užitečnost těchto materiálů na stínění vysokoenergetických záření. Kombinací transportní teorie a metody from the full-potential linearized augmented-plane wave byly termoelektrické vlastnosti analyzovány jako funkce teploty. Vzhledem k vysokému tepelnému výkonu a úzkému pásmu jsou Ag2Sb2O6 a Cd2Sb2O7 vhodnými materiály pro použití v optoelektronických a termoelektrických zařízeních.Using the full-potential linearized augmented-plane wave method, the electronic structure and thermoelectric properties of Ag2Sb2O6 and Cd2Sb2O7compounds have been explored. The modified Becke–Johnson potential was applied to treat the exchange–correlation energy term. The electronic band structures reveal that the valence-band maximum and conduction-band minimum occur at C point, indicating that Ag2Sb2O6 and Cd2Sb2O7 are direct energy bandgap semiconductors. Strong hybridization appeared between Ag (Cd)-s/p and O-s/p states. The optical properties, i.e., complex dielectric function, reflectivity, refractive index, and energy loss function, reveal high reflectivity in the ultraviolet energy range, indicating usefulness of these materials in shields from high-energy radiation. Combining transport theory and the outputs from the full-potential linearized augmented-plane wave calculations, the thermoelectric properties were analyzed as functions of temperature. Due to their high thermopower and narrow bandgap, Ag2Sb2O6 and Cd2Sb2O7 are suitable materials for application in optoelectronic and thermoelectric devices