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ZuverlÀssigkeitsstudien an Höchstfrequenzbauelementen mit gepulsten Techniken (TLP-Methode)
Diese Arbeit beschreibt die gezielte Anregung zuverlĂ€ssigkeitsrelevanter Degradations- und Defektmechanismen bei III/V Höchstfrequenzbauelementen (InGaP/GaAs Heterostruktur Bipolartransistor, Pt/GaAs THz-Schottkydiode) unter Verwendung elektrischer Pulse (bekannt als Transmission Line Pulse, TLP-Methode). Desweiteren wird die EinfĂŒhrung von Prozesskontrollschritten und eines erweiterten Prozesskontroll-Systems im Fabrikationsprozess von Terahertz (THz)-Schottkydioden sowie die Auswirkungen auf die BauteilzuverlĂ€ssigkeit erlĂ€utert. Anhand planarer Schottkydioden wird die Bedeutung der VerknĂŒpfung von Technologie-Entwicklung, Hochfrequenz-Design und ZuverlĂ€ssigkeits-Tests erörtert. Als wichtigste Ergebnisse werden die Demonstration der Vergleichbarkeit der Ergebnisse der TLP-Methode mit Arrhenius-beschleunigten ZuverlĂ€ssigkeitsmethoden sowie ihre Anwendbarkeit im Fabrikationsprozess planarer THz-Schottkydioden vorgestellt. Im Vergleich zu Arrhenius-beschleunigten Testmethoden verwendet die hier vorgestellte Methodik elektrische Rechteckpulse zur Beschleunigung der Ausfallmechanismen. Durch eine dem zu stressenden Bauteil mit individueller thermischer Zeitkonstante angepasste Wahl der PulslĂ€nge, d.h. des Zeitraums der elektrischen Belastung, wird sichergestellt, daĂ die Bauteildegradation hauptsĂ€chlich durch elektrische GröĂen (U, I, P) und weniger thermisch angeregt wird