Роль бора у формуванні вторинних радіаційних дефектів в кремнії

Influence of boron impurities on electron-transport in crystalline silicon is well known because p-Si – basic semiconducting material of the modern microelectronics – usually is obtained by doping with B. It is too important to understand the mechanism interaction of B dopants with radiation defects in silicon to (i) develop effective radiation treatment technologies for electronic devices and integrated circuits, (ii) improve their radiation resistance, and (iii) design effective solid-state radiation sensors and detectors.Based on authors’ previous works the role of B-impurities in formation of secondary radiation defects in Si crystals is investigated. Dependences of these processes on isochronous annealing temperature (80–600 °C) are studied by using the Hall measurements of temperature-dependencies (100–300 K) of holes’ concentration and mobility in silicon before and after irradiation with 8 MeV electrons at the dose of 5∙1015 cm–2. Two main conclusions are made: boron atoms in silicon crystals (i) serve as extremely active sinks of radiation defects, and (ii) participate in space-charge-screening of the relatively high-conductive inclusions in form of clusters of radiation defects.Основываясь на прежние работы авторов исследована роль примесей бора (B) в формировании вторичных радиационных дефектов в кристаллах кремния (Si). Зависимости этих процессов от температуры изохронного отжига (в интервале 80–600 °C) изучены с использованием холловских измерений температурных зависимостей (в интервале 100–300 К) концентрации и подвижности дырок в кремний до и после облучения электронами с энергией около 8 МэВ при дозе 5∙1015 см–2.Ґрунтуючись на колишні роботи авторів, досліджено роль домішок бору (B) у формуванні вторинних радіаційних дефектів в кристалах кремнію (Si). Залежності цих процесів від температури ізохронного відпалу (в інтервалі 80-600 °C) вивчені з використанням холлівських вимірювань температурних залежностей (в інтервалі 100-300 К) концентрації і рухливості дірок в кремній до і після опромінення електронами з енергією близько 8 МэВ при дозі 5∙1015 см–2

Роль бора у формуванні вторинних радіаційних дефектів в кремнії

Influence of boron impurities on electron-transport in crystalline silicon is well known because p-Si – basic semiconducting material of the modern microelectronics – usually is obtained by doping with B. It is too important to understand the mechanism interaction of B dopants with radiation defects in silicon to (i) develop effective radiation treatment technologies for electronic devices and integrated circuits, (ii) improve their radiation resistance, and (iii) design effective solid-state radiation sensors and detectors.Based on authors’ previous works the role of B-impurities in formation of secondary radiation defects in Si crystals is investigated. Dependences of these processes on isochronous annealing temperature (80–600 °C) are studied by using the Hall measurements of temperature-dependencies (100–300 K) of holes’ concentration and mobility in silicon before and after irradiation with 8 MeV electrons at the dose of 5∙1015 cm–2. Two main conclusions are made: boron atoms in silicon crystals (i) serve as extremely active sinks of radiation defects, and (ii) participate in space-charge-screening of the relatively high-conductive inclusions in form of clusters of radiation defects.Основываясь на прежние работы авторов исследована роль примесей бора (B) в формировании вторичных радиационных дефектов в кристаллах кремния (Si). Зависимости этих процессов от температуры изохронного отжига (в интервале 80–600 °C) изучены с использованием холловских измерений температурных зависимостей (в интервале 100–300 К) концентрации и подвижности дырок в кремний до и после облучения электронами с энергией около 8 МэВ при дозе 5∙1015 см–2.Ґрунтуючись на колишні роботи авторів, досліджено роль домішок бору (B) у формуванні вторинних радіаційних дефектів в кристалах кремнію (Si). Залежності цих процесів від температури ізохронного відпалу (в інтервалі 80-600 °C) вивчені з використанням холлівських вимірювань температурних залежностей (в інтервалі 100-300 К) концентрації і рухливості дірок в кремній до і після опромінення електронами з енергією близько 8 МэВ при дозі 5∙1015 см–2