Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters

The influence of neutron irradiation on breakdown voltage (Ubd) and limitation voltage (Ulim) is investigated in silicon voltage limiter. The coefficient Kρ is basic radiation parameter, forming dependences Ubd = f (F) and Ulim = f (F), which determines the dependence of basic charge carriers concentration in silicon from neutron fluencies. The mechanisms, which form the Ulim value after neutron irradiation are determined. On basis of obtained results analysis is proposed the model, which makes it possible to forecast changes in the breakdown voltage and limitation voltage, which occur as a result the neutron irradiation of voltage limiter.Влияние нейтронного облучения на напряжение пробоя (Uпроб) и напряжение ограничения (Uогр) исследовано в кремниевых ограничителях напряжения. Коэффициент Kρ является основным радиационным параметром, формирующим зависимости Uпрб = f(Ф) и Uогр = f(Ф) и определяющим зависимость концентрации основных носителей заряда в кремнии от флюенса нейтронов. Определены механизмы, формирующие величину Uогр после нейтронного облучения. На основе анализа полученных результатов предложена модель, позволяющая прогнозировать изменения напряжения пробоя и напряжения ограничения, которые происходят в результате нейтронного облучения ограничителя напряжения.Вплив нейтронного опромінення на напругу пробою (Uпроб) і напругу обмеження (Uобм) досліджено в кремнієвих обмежувачах напруги. Коефіцієнт Kρ є основним радіаційним параметром, що формує залежності Uпрб = f(Ф) і Uогр = f(Ф) і визначає залежність концентрації основних носіїв заряду в кремнії від флюенса нейтронів. Визначені механізми, що формують величину Uобм після нейтронного опромінення. На основі аналізу отриманих результатів запропонована модель, що дозволяє прогнозувати зміни напруги пробою і напруги обмеження, які відбуваються в результаті нейтронного опромінення обмежувача напру

Nanosize Structures and Energy Parameters of Doped Silicon Clusters Passivated by Hydrogen

The paper considers the computer model of silicon clusters doped with boron and phosphorus, and the effect of hydrogen on their structure and energy parameters. While calculating nanostructure formation, the model assumes hydrogenated Si29 clusters with substitution of a matrice atom with B and P impurities and insertion of one or some hydrogen atoms. Nanostructured defect complexes of Si-P-H or Si-B-H are suggested to be formed under hudrogen insertion, with their stability depending on the hydrogen atom number and the dopant type. Computer modelling and optimization calculations were carried out in the frame of nonempyrical modelling methods for structure and properties of multiparticle systems - ORCA under the approximation of local electron state density

Non-destructive structural studies of coins from the Uzundara Fortress using X-ray diffraction and neutron tomography

The copper Heliocles coin and two silver Demetrius coins dated to the II century BC from the archaeological works of the Uzundara fortress of the Greco-Bactrian Kingdom were studied using non-destructive structural diagnostics methods. The phase analysis of the coins was performed using the X-ray diffraction method. Also, the spatial distribution of the internal components of the coins was investigated by neutron imaging methods. It has been established that the dominant phase of the Heliocles coin is copper, however, a small volume of patina was found. It is mainly represented by tenorite CuO phase. The neutron tomography method indicates a deep penetration of tenorite into the thickness of the coin, and its volume fraction can reach 10% of the total volume. Two Demetrius coins consist entirely of silver. The complex profile of coins due to the features of a coinage was reconstructed. The phase composition, the content of the composite phases and three-dimensional models of the studied coins were obtained

Вивчення впорядкованих структур і фазових переходів субкарбіда ванадіюметодом дифракції нейтронів

The results of neutron diffraction study of VC0.47 are presented and discussed. It is established scheme of the phase transitions. A low temperature orthorhombic ordered phase (space group Pbcn) and high temperature hexagonal ordered phase (space group P6322) exists in VC0.47. The kinetic of the transition is described by Kolmogorov – Johnson – Mehl – Avrami law. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30972Подані та проаналізовані результати дифракції нейтронів на зразках VC0.47. Установлені схеми реалізації фазових переходів. Виявлено існування низькотемпературної ромбічної впорядкованої фази просторової групи Pbcn і високотемпературної впорядкованої гексагональної фази просторової групи P6322. Показано, що кінетичний перехід описується законом Колмогорова-Джонсона-Мель-Аврамі. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30972Представлены и проанализированы результаты дифракции нейтронов на образцах VC0.47. Установлены схемы реализации фазовых переходов. Обнаружено существование низкотемпературной ромбической упорядоченной фазы пространственной группы Pbcn и высокотемпературной упорядоченной гексагональной фазы пространственной группы P6322. Показано, что кинетический переход описывается законом Колмогорова-Джонсона-Мель-Аврами. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3097