PENGALAMAN MULTIKULTURAL DAN KECERDASAN KULTURAL (MEMBANGUN KESADARAN MULTIKULTURAL SISWA DI SEKOLAH BERBASIS AGAMA)

Penelitian ini bertujuan untuk menyelidiki pengalaman multikultural siswa di sekolah berbasis agama dan hubungannya dengan pengembangan kecerdasan kultural mereka. Globalisasi dan meningkatnya keragaman budaya di masyarakat saat ini menuntut pendidikan untuk mempersiapkan siswa agar menjadi individu yang mampu berinteraksi secara efektif dalam llingkungan multikultural. Studi ini menggunakan pendekatan kualitatif dengan metode studi kasus yang melibatkan siswa-siswa dari latar belakang budaya yang berbeda di sebuah sekolah menengah di Sekolah Berbasis Agama. Pengumpulan data dilakukan melalui wawancara mendalam, observasi partisipatif, dan analisis dokumen. Data yang terkumpul akan dianalisis menggunakan pendekatan analisis tematik untuk mengidentifikasi tema dan pola yang muncul dari pengalaman multikultural siswa. Selain itu, pengembangan kecerdasan kultural siswa juga akan dinilai melalui instrumen penilaian yang relevan. Penelitian ini diharapkan dapat mengungkap pengalaman multikultural siswa, termasuk interaksi sosial dengan teman sekelas dari berbagai budaya, pengalaman dalam kegiatan ekstrakurikuler yang memperkenalkan tradisi budaya, serta pengalaman dalam acara sekolah yang menekankan perbedaan budaya. Selanjutnya, penelitian ini juga akan mengevaluasi pengaruh pengalaman multikultural tersebut terhadap pengembangan kecerdasan kultural siswa, termasuk pemahaman tentang budaya orang lain, penghargaan terhadap perbedaan budaya, dan kemampuan beradaptasi dalam konteks multikultural

Accurate large-signal equivalent circuit of surface channel diamond FETs based on the Chalmers model

The paper presents a large-signal nonlinear circuit-oriented model for polycrystalline and single-crystal H-terminated diamond MESFETs implemented within the Agilent ADS design suite. The DC characteristics of such devices suggest that the channel free charge control law may be modeled using the same strategy adopted for III-V HEMTs. For this reason, the well-known nonlinear Chalmers (Angelov) circuit model was chosen as the starting point for the development of the present non-linear diamond MESFET model. Model fitting was performed against DC and multibias small signal measurements, with good agreement. Model validations versus large-signal (power) measurements point out the accuracy of the proposed approach to simulate the behavior of H-terminated diamond MESFETs under large-signal operatio