FMNT - Federation on Micro Nano Technologies Grenoble Exposé invité

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Variations of hole mass in pMOSFETs under process induced stress

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Calculations of hole mass in [110]-uniaxially strained silicon for the stress engineering of p-MOS transistors

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Extraction de la mobilité de magnétorésistance de nMOSFETs FD-SOI et sSOI courts à grille TiN/HfO2: discussion sur l'origine de sa dégradation

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Analysis of the intermodulation distortion and nonlinearity of common-base SiGeC HBTs

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Integration of a Graphene FET on SiC Substrates

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Finite element simulation of 2D percolating silicon-nanonet field-effect transistor

session posterInternational audiencePercolating networks of silicon nanowires, also called nanonets, have been proposed as a possible material for the channel of Field-Effect Transistors. Experimental results have shown that the dependence of current-voltage characteristics with parameters such as device dimension and nanowire density might be influenced by the statistical dispersion of individual nanowires threshold voltage. In order to further analyse this effect, this paper provides a finite element simulation of such nanonet-based field-effect transistor. We studied the influence on transistor characteristics of above-mentioned parameters. Simulation results were compared with experimental ones using the same parameter extraction methodology as in experiments

Dimensionnement et performances potentielles des MISFET à hétérojonction

Afin d'éloigner les électrons de conduction des défauts de l'interface isolant/semi-conducteur caractéristiques des dispositifs de type MISFET, on peut interposer entre l'isolant et le canal un espaceur constitué d'un semi-conducteur à grand gap épitaxié en accord de maille sur la couche active ; c'est le MISFET à hétérojonction (HMISFET). Une étude préliminaire du comportement capacitif de diodes HMIS unidimensionnelles a permis de comparer les matériaux envisagés pour ce dispositif et d'évaluer l'influence de la géométrie de la structure et des états d'interface. Un HMISFET InAlAs/InGaAs à grille courte (lg =1,5 μm) a alors fait l'objet d'une simulation Monte-Carlo. Une transconductance élevée a été obtenue (gm > 250 mS/mm). Le faible peuplement des vallées L et X, même à tension de drain élevée, et l'absence de transfert spatial vers le matériau à grand gap montrent l'efficacité de l'espaceur InAlAs pour confiner les électrons dans la couche active InGaAs à mobilité élevée