ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ОДНОКРИСТАЛЬНОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ

The capabilities of an XMD−300 diffractometer were explored in three measurement setups, i.e. sliding primary beam, diffracted primary beam, θ–2θ setup for the crystalline perfection investigations of semiconductor heterostructures (SOS, SOI, AlGaN/GaN/Si, ion implanted silicon layers). We show that measurementsusing these three setups in scattered radiation and at direct validity of Bragg’s diffraction condition allowed receiving diffraction interference patterns simultaneously from the crystal lattice of several layers and interferential picks of maximum intensity for each individual layer.Рассмотрены возможности использования дифрактометра XMD−300 при трех схемах съемки: скользящего первичного пучка, скользящего дифрагированного пучка, схемы θ—2θ для исследования кристаллического совершенства полупроводниковых гетероструктур (кремний−на−сапфире, кремний−на−изоляторе, ионно−легированные слои кремния, структуры AlGaN/GaN/Si). Показано, что измерения с использованием трех схем в рассеянном излучении и при точном соблюдении условия брегговской дифракции позволяют получить интерференционную картину дифракции одновременно от кристаллических решеток нескольких слоев гетероструктуры и интерференционные пики максимальной интенсивностидля каждого отдельного слоя

Schulentwicklung geht von Frauen aus

Koch-Priewe B. Schulentwicklung geht von Frauen aus. In: Lutzau M v., ed. Frauen und Schule. Bericht über den 11. Kongreß vom 11.-13.09.1997 in Kassel. Weinheim, Basel; 1998: 238-243