O ensino de Física e os portadores de deficiência visual: aspectos da relação de suas concepções alternativas de repouso e movimento com modelos históricos

O enfoque que vem sendo dado às concepções alternativas dos estudantes, revela entre tantos aspectos, a superação do paradigma tradicional de ensino que desprezava tais concepções classificando-as como ignorância. A partir dos últimos trinta anos, o estudo das concepções alternativas de estudantes a respeito de conceitos físicos, começa a tomar forma e ganhar destaque entre educadores construtivistas que buscavam uma melhoria em sua prática pedagógica. Tal estudo demonstra as diferenças entre o pensamento científico atual e as noções espontâneas dos estudantes, indicando as falhas da instrução formal tradicional na superação de tais noções. No tema aqui abordado, é feita uma análise das concepções alternativas de um tipo particular de estudante, o deficiente visual total e é feita também uma comparação de tais concepções com a Física Aristotélica e com a Física Medieval do Impetus. Pretende-se que tal estudo possa ser útil ao ensino de Física para pessoas cegas, já que de posse desses resultados o professor que trabalhe com tal demanda terá subsídios indispensáveis para sua prática

Numerical simulation of liquid phase on silicon growth by Czochralski method

Visando compreender os fluxos na fase líquida do crescimento de silício pelo método Czochralski, é feita a Simulação Numérica do silício fundido, resolvendo-se as equações que governam o fenômeno da convecção forçada no fluido: Balanço de Quantidade de Movimento e Balanço de Massa. A técnica numérica escolhida é a de Elementos Finitos, onde é utilizada a formulação de Galerkin, com aproximações quadráticas nas componentes da velocidade e linear na pressão. A partir de várias combinações de rotações cadinho-cristal, os perfis de velocidade obtidos são analisados com relação aos efeitos de incorporação de impurezas e/ou dopantes no cristal em crescimento.In order to visualise the flow conditions during crystal growth of Silicon by the Czochralski technique, a numerical simulation is done. It is used the Finite Element Method with the Galerkin Formulation , and with quadratic approximations on the components of the velocity and linear approximations on the pressure. Many combinations of crystal and crucible rotations are analised and discussed considering optimal growth conditions

On DX centers in A1xGa1-xAs

É feito um resumo dos principais modelos criados para se explicar as intrigantes propriedades do centro DX e atualizar o problema. O decaimento da fotocondutividade persistente (PPC) é medido em AlxGa1-x As dopado com Si e se discute a validade dos modelos em função da cinética de captura dos elétrons pelos centros DX. Boa concordância com o modelo de Chadi e Chang é encontrada desde que se postule a existência de um nível doador mais raso. O crescimento por MBE assim como todo o processamento de amostras para os experimentos realizados é descrito sinteticamente. É discutido também o problema dos contatos a baixa temperatura e a possível influência dos centros DX nos desvios do comportamento ôhmico observados. Inclui-se também a descoberta da. fotocondutividade persistente em AlxGa1-xAs dopado com Pb, que também é relacionado à existência dos centros DX.A short discussion about the main models created to explain the striking properties of the DX center is done in order to bring the problem up-to-date. The decay of persistent photoconductivity is measured and it is analyzed as a function of the kinetics of electron trapping by DX centers in Si-doped AlxGa1-xAs, according to these models. Good agreement with Chadi and Chang\'s model is found as long as we postulate the existence of a shallower donor. The M.B.E. growth as well as the whole sample processing is shortly described. It in siso diacussed the problem of low temperature contacts and the possible influence of DX centers in the deviation from ohmic behavior. Persistent Photoconductivity has been found in Pb-doped AlxGa1-xAs and it is also related to the DX center existence

On DX centers in A1xGa1-xAs

É feito um resumo dos principais modelos criados para se explicar as intrigantes propriedades do centro DX e atualizar o problema. O decaimento da fotocondutividade persistente (PPC) é medido em AlxGa1-x As dopado com Si e se discute a validade dos modelos em função da cinética de captura dos elétrons pelos centros DX. Boa concordância com o modelo de Chadi e Chang é encontrada desde que se postule a existência de um nível doador mais raso. O crescimento por MBE assim como todo o processamento de amostras para os experimentos realizados é descrito sinteticamente. É discutido também o problema dos contatos a baixa temperatura e a possível influência dos centros DX nos desvios do comportamento ôhmico observados. Inclui-se também a descoberta da. fotocondutividade persistente em AlxGa1-xAs dopado com Pb, que também é relacionado à existência dos centros DX.A short discussion about the main models created to explain the striking properties of the DX center is done in order to bring the problem up-to-date. The decay of persistent photoconductivity is measured and it is analyzed as a function of the kinetics of electron trapping by DX centers in Si-doped AlxGa1-xAs, according to these models. Good agreement with Chadi and Chang\'s model is found as long as we postulate the existence of a shallower donor. The M.B.E. growth as well as the whole sample processing is shortly described. It in siso diacussed the problem of low temperature contacts and the possible influence of DX centers in the deviation from ohmic behavior. Persistent Photoconductivity has been found in Pb-doped AlxGa1-xAs and it is also related to the DX center existence

Numerical simulation of liquid phase on silicon growth by Czochralski method

Visando compreender os fluxos na fase líquida do crescimento de silício pelo método Czochralski, é feita a Simulação Numérica do silício fundido, resolvendo-se as equações que governam o fenômeno da convecção forçada no fluido: Balanço de Quantidade de Movimento e Balanço de Massa. A técnica numérica escolhida é a de Elementos Finitos, onde é utilizada a formulação de Galerkin, com aproximações quadráticas nas componentes da velocidade e linear na pressão. A partir de várias combinações de rotações cadinho-cristal, os perfis de velocidade obtidos são analisados com relação aos efeitos de incorporação de impurezas e/ou dopantes no cristal em crescimento.In order to visualise the flow conditions during crystal growth of Silicon by the Czochralski technique, a numerical simulation is done. It is used the Finite Element Method with the Galerkin Formulation , and with quadratic approximations on the components of the velocity and linear approximations on the pressure. Many combinations of crystal and crucible rotations are analised and discussed considering optimal growth conditions

Influence of pH of Colloidal Suspension on the Electrical Conductivity of SnO2 thin Films Deposited Via Sol-Gel-Dip-Coating

Tin dioxide (SnO2) thin films are deposited by the dip-coating technique from colloidal suspensions prepared with distinct pH through the sol-gel method. The decrease of the pH contributes to the destruction of an electrical layer adjacent to particles in solution, leading to a high degree of aggregation among these particles due to the generation of cross-linked bonds (Sn-O-Sn) between them. The aggregation affects the electrical properties of films, because the pH variation produces particle with distinct sizes in the film. Undoped samples prepared from pH 6 leads to the highest conductivity among the investigated undoped samples, in agreement with X-ray diffractograms, which indicate higher crystallinity for lower pH. Arrhenius plot evaluated from temperature dependent conductivity data leads to activation energies of the deepest level between 67 to 140 meV, for the films prepared from suspensions with pH 6 to 11. The most probable explanation for this variation in the conductivity and activation energy is related to distinct potential barriers between grains, due to distinct packing caused by cross-linked bonds formed during suspension phase. Characterization of samples lightly doped with Er3+ confirms that acid pH leads to higher conductivity, but the highest conduction takes place at even lower pH when compared to undoped thin films.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP

Electron trapping of laser-induced carriers in Er-doped SnO2 thin films

In order to investigate optically excited electronic transport in Er-doped SnO2, thin films are excited with the fourth harmonic of an Nd:YAG laser (266nm) at low temperature, yielding conductivity decay when the illumination is removed. Inspection of these electrical characteristics aims knowledge for electroluminescent devices operation. Based on a proposed model where trapping defects present thermally activated cross section, the capture barrier is evaluated as 140, 108, 100 and 148 meV for doped SnO2, thin films with 0.0, 0.05, 0. 10 and 4.0 at% of Er, respectively. The undoped film has vacancy levels as dominating, whereas for doped films. there are two distinct trapping centers: Er3+ substitutional at Sn lattice sites and Er3+ located at grain boundary. (C) 2007 Elsevier Ltd. All rights reserved

Deposition of Al2O3 by resistive evaporation and thermal oxidation of Al to be applied as a transparent FET insulating layer

Alumina thin films have been obtained by resistive evaporation of Al layer, followed by thermal oxidation by means of annealing in appropriate atmosphere (air or O2-rich), with variation of annealing time and temperature. Optical and structural properties of the investigated films reveal that the temperature of 550 °C is responsible for reasonable oxidation, which is accelerated up to 8 times for O2-rich atmosphere. Results of surface electrical resistivity and Raman spectroscopy are in good agreement with these findings. Surprisingly, X-ray and Raman data suggest also the crystallization of Si nuclei at glass substrate-alumina interface, which would come from the soda-lime glass used as substrate. © 2013 Elsevier Ltd and Techna Group S.r.l

Decay of photo-excited conductivity of Er-doped SnO2 thin films

Er-doped SnO2 thin films, obtained by sol-gel-dip-coating technique, were submitted to excitation with the 4th harmonic of a Nd:YAG laser (266 nm), at low temperature, and a conductivity decay is observed when the illumination is removed. This decay is modeled by considering a thermally activated cross section of an Er-related trapping center. Besides, grain boundary scattering is considered as dominant for electronic mobility. X-ray diffraction data show a characteristic profile of nanoscopic crystallite material (grain average size approximate to 5 nm) in agreement with this model. Temperature dependent and concentration dependent decays are measured and the capture barrier is evaluated from the model, yielding 100 meV for SnO2:0.1% Er and 148 meV for SnO2:4% Er