Verfahren und Vorrichtung zur Lokalisierung von Defekten an Solarmodulen in einem Solarmodulverbund

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Lokalisierung von Defekten an Solarmodulen in einem Solarmodulverbund. Bei dem Verfahren wird eine Abtasteinrichtung mit einem linienförmigen Array von Magnetfeldsensoren eingesetzt, mit dem Magnetfeldkomponenten in drei zueinander senkrechten Raumrichtungen erfassbar sind. Durch Bewegung des linienförmigen Arrays von Magnetfeldsensoren in konstantem Abstand zu einer Oberfläche des zu vermessenden Solarmoduls werden die Magnetfeldkomponenten in den drei zueinander senkrechten Raumrichtungen als Funktion des Ortes gemessen und aufgezeichnet, die bei Beleuchtung des Solarmoduls durch einen Stromfluss im Solarmodul erzeugt werden. Die aufgezeichneten Magnetfeldkomponenten werden dann zumindest teilweise ausgewertet, um Defekte im Solarmodul zu lokalisieren. Das Verfahren und die zugehörige Vorrichtung ermöglichen eine einfache und kostengünstige Detektion von Defekten an Solarmodulen im Feld, ohne den Betrieb des Solarmodulverbundes unterbrechen oder einzelne Solarmodule dem Solarmodulverbund entnehmen zu müssen

Hyperspectral photoluminescence imaging of defects in solar cells

The present work is a demonstration of how near infrared (NIR) hyperspectral photoluminescence imaging can be used to detect defects in silicon wafers and solar cells. Chemometric analysis techniques such as multivariate curve resolution (MCR) and partial least squares discriminant analysis (PLS-DA) allow various types of defects to be classified and cascades of radiative defects in the samples to be extracted. It is also demonstrated how utilising a macro lens yields a spatial resolution of 30 µm on selected regions of the samples, revealing that some types of defect signals originate in grain boundaries of the silicon crystal, whereas other signals show up as singular spots. Combined with independent investigation techniques, hyperspectral imaging is a promising tool for determining origins of defects in silicon samples for photovoltaic applications

Verfahren zur Reduzierung der optischen Reflexion an Solarzellen

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reduzierung der optischen Reflexion an Solarzellen, die wenigstens eine aktive Schicht aus einem Halbleitermaterial aufweisen, auf die eine Passivierungs- und/oder Antireflexionsschicht aufgebracht ist. Bei dem Verfahren wird nicht die Schicht aus dem Halbleitermaterial sondern die Passivierungs- und/oder Antireflexionsschicht mit einem Plasmaätzprozess unter Bildung von Nanostrukturen texturiert, um die optische Reflexion an der Solarzelle zu reduzieren. Das Verfahren vermeidet die Probleme der Schädigung und Verunreinigung der Schicht aus dem Halbleitermaterial und erreicht damit eine Reduzierung der optischen Reflexion ohne eine negative Beeinträchtigung des Wirkungsgrades der Solarzelle

Verfahren zur Stabilisierung der Konversionseffizienz von Siliziumsolarzellen

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Stabilisierung der Konversionseffizienz von Siliziumsolarzellen, bei dem ohne Beleuchtung der Solarzellen eine externe elektrische Spannung an die elektrischen Kontakte der Solarzellen angelegt wird, um Ladungsträger in das Siliziumsubstrat zu injizieren. Die Solarzellen werden dabei auf eine Temperatur oberhalb einer Mindesttemperatur erhitzt und für einen Haltezeitraum oberhalb dieser Mindesttemperatur gehalten, während die externe elektrische Spannung an den Solarzellen anliegt. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die Stromstärke eines durch die angelegte elektrische Spannung in den Solarzellen fließenden Stroms und die Temperatur der Solarzellen nach Ablauf des Haltezeitraums in einer Abkühlphase jeweils so aufeinander abgestimmt reduziert werden, dass während dieser Abkühlphase bei jeder Temperatur eine möglichst hohe Konzentration an neutralem Wasserstoff im Siliziumsubstrat erhalten wird. Mit dem vorgeschlagenen Verfahren lässt sich die Konversionseffizienz von Solarzellen in einem sehr kurzen Behandlungsprozess stabilisieren, ohne hierdurch eine Reduzierung der Konversionseffizienz gegenüber einer Behandlung bei geringeren Temperaturen zu verursachen

Study of changes in PL spectrum from defects in PERC solar cells with respect to letid

Illumination at elevated temperature may cause an efficiency loss of more than 10 %rel. in mc-PERC cells. In this study, we have looked for changes in the photoluminescence spectrum of mc-PERC cells before and after light and elevated temperature induced degradation and, subsequently, after a following regeneration has commenced. We found that combined light and temperature treatment gave different responses depending on if the trap level state in the band gap was deep or shallow

Verfahren zur Prüfung der Anfälligkeit für potentialinduzierte Degradation bei Komponenten von Solarmodulen

The method involves applying and pressing a polymer film (16) on a semiconductor body (15) with a dielectric layer using a punch (7) with a metallic contact surface to form a stack of layers. The layer stack is brought to a test temperature and held for a test period at the test temperature. Electrical voltage is applied between the surface of the punch and a metal support (3) over the test period in a continuous or repeated manner. Potential-induced degradation of the determined semiconductor body with the dielectric layer is measured at the end or after the end of test period. An independent claim is also included for a device for testing susceptibility to potential-induced degradation of components of solar modules

Occurrence of Sharp Hydrogen Effusion Peaks of Hydrogenated Amorphous Silicon Film and Its Connection to Void Structures

publishe