Vieillissement thermique de diodes Schottky en carbure de silicium: validation de l'analyse de défaillance par le cas singulier

National audienceDes essais de vieillissement en stockage thermique à haute température (240 ̊C) ont été réalisés sur des diodes Schottky en boîtier TO220 du commerce dans des conditions d'utilisation en mode " Uprating " ou " Derating ". Les analyses ont révélé un mécanisme de défaillance combiné, composé d'une vaporisation de l'humidité présente en quantité importante préférentiellement à l'interface résine/semelle, induisant une dégradation libérant de l'espace, et d'un étalement/dérobement de la brasure sous la puce autorisé par l'espace vide susmentionné. Les analyses aux rayons X, en microscopie acoustique, optique et électronique dans l'ordre méthodologique soutiennent avec force la description du mécanisme de défaillance. L'originalité de ces travaux est double, puisqu'au delà de l'étude des cas statistiquement représentatifs, l'étude d'un cas atypique et singulier appuie et valide indiscutablement les hypothèses posées. Ainsi, le cas particulier est présenté comme un cas potentiellement déterminant à la validation d'une analyse de défaillance et dans la perspective de solutions techniques curatives et palliatives.

Vieillissement thermique de diodes Schottky en carbure de silicium: validation de l'analyse de défaillance par le cas singulier

National audienceDes essais de vieillissement en stockage thermique à haute température (240 ̊C) ont été réalisés sur des diodes Schottky en boîtier TO220 du commerce dans des conditions d'utilisation en mode " Uprating " ou " Derating ". Les analyses ont révélé un mécanisme de défaillance combiné, composé d'une vaporisation de l'humidité présente en quantité importante préférentiellement à l'interface résine/semelle, induisant une dégradation libérant de l'espace, et d'un étalement/dérobement de la brasure sous la puce autorisé par l'espace vide susmentionné. Les analyses aux rayons X, en microscopie acoustique, optique et électronique dans l'ordre méthodologique soutiennent avec force la description du mécanisme de défaillance. L'originalité de ces travaux est double, puisqu'au delà de l'étude des cas statistiquement représentatifs, l'étude d'un cas atypique et singulier appuie et valide indiscutablement les hypothèses posées. Ainsi, le cas particulier est présenté comme un cas potentiellement déterminant à la validation d'une analyse de défaillance et dans la perspective de solutions techniques curatives et palliatives.

Short-circuit robustness test and in depth microstructural analysis study of SiC MOSFET

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Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

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Short-circuit robustness test and in depth microstructural analysis study of SiC MOSFET

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Extraction of physical Schottky parameters using the Lambert function in Ni/AlGaN/GaN HEMT devices with defined conduction phenomena

International audienceElectrical characterization analyses are proposed in this work using the Lambert function on Schottky junctions in GaN wide band gap semiconductor devices for extraction of physical parameters. The Lambert function is used to give an explicit expression of the current in the Schottky junction. This function is applied with defined conduction phenomena, whereas other work presented arbitrary (or undefined) conduction mechanisms in such parameters' extractions. Based upon AlGaN/GaN HEMT structures, extractions of parameters are undergone in order to provide physical characteristics. This work highlights a new expression of current with defined conduction phenomena in order to quantify the physical properties of Schottky contacts in AlGaN/GaN HEMT transistor

Adding channels with PSBT format at 40Gbit/s in an existing 10Gbit/s optical network

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Extraction of physical Schottky parameters using the Lambert function in Ni/AlGaN/GaN HEMT devices with defined conduction phenomena

International audienceElectrical characterization analyses are proposed in this work using the Lambert function on Schottky junctions in GaN wide band gap semiconductor devices for extraction of physical parameters. The Lambert function is used to give an explicit expression of the current in the Schottky junction. This function is applied with defined conduction phenomena, whereas other work presented arbitrary (or undefined) conduction mechanisms in such parameters' extractions. Based upon AlGaN/GaN HEMT structures, extractions of parameters are undergone in order to provide physical characteristics. This work highlights a new expression of current with defined conduction phenomena in order to quantify the physical properties of Schottky contacts in AlGaN/GaN HEMT transistor

Etude de la Robustesse et des Mécanismes de défaillance d’un transistor MOSFET en SiC sous contraintes électriques et thermiques

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