ARCHIVIAZIONE DIGITALE DEL SEGNALE VIDEO DELLE TELECAMERE DI SORVEGLIANZA VISIVA

Dal 1993 l’attuale Sezione di Catania dell’Istituto Nazionale di Geofisica e Vulcanologia (I.N.G.V.) esegue il monitoraggio video dei vulcani attivi della Sicilia orientale (Etna, Stromboli, Vulcano). Fino ad oggi l’archiviazione dei segnali acquisiti era stata effettuata con apparati di videoregistrazione su supporti analogici (cassette VHS), utilizzando la tecnica time lapse. L’utilizzo di nastri magnetici porta con se una serie di problemi intrinseci alla natura del supporto: facile deterioramento, disponibilità di un unico originale, necessità di attrezzature dedicate alla riproduzione, interruzione della registrazione per sostituzione di nastri. Si è quindi pensato di realizzare un’architettura hardware/software per l’acquisizione e l’archiviazione digitale dei segnali video ricevuti dalle telecamere, e la distribuzione delle immagini in diretta su streaming video. Il sistema è in grado di fornire contemporaneamente tre servizi: • streaming video in tempo reale. • archivio immagini fisse acquisite ad intervalli regolari, con un minuto di ritardo sulla diretta. • archivio filmati digitali in time lapse, disponibili con trenta minuti di ritardo sulla diretta. Questa nuova soluzione permette ai vulcanologi in servizio di sorveglianza di esaminare l’attività occorsa utilizzando un qualunque visualizzatore di immagini e filmati video digitali (per le immagini in archivio) e/o client di streaming video (per le immagini in diretta) installati sul proprio personal computer, senza interferire con l’acquisizione

Electron backscattering from stacking faults in SiC by means of \textit{ab initio} quantum transport calculations

We study coherent backscattering phenomena from single and multiple stacking faults (SFs) in 3C- and 4H-SiC within density functional theory quantum transport calculations. We show that SFs give rise to highly dispersive bands within both the valance and conduction bands that can be distinguished for their enhanced density of states at particular wave number subspaces. The consequent localized perturbation potential significantly scatters the propagating electron waves and strongly increases the resistance for $n$-doped systems. We argue that resonant scattering from SFs should be one of the principal degrading mechanisms for device operation in silicon carbide.Comment: 5 pages, 4 figure

Structural and electronic characterization of (2,3(3)) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers

Crystallographic, electronic, and energetic analyses of the (2, 3_3) [or (2, 3, 3, 3) in the standard Zhadanov notation] bar-shaped stacking fault, observed in as-grown 4H-SiC epitaxial layers, are presented. The defect has been identified by means of spatially resolved microphotoluminescence (μ-PL) measurements at different emission wavelengths, focusing on the emission peak at 0.3 eV below the conduction band. Low temperature μ-PL measurements have also been performed. The defect has been identified and characterized using high resolution transmission electron microscopy. Experimental results are correlated and validated by the calculations of the Kohn–Sham electronic band structure and the defect formation energy

Publisher's Note: Defect Influence on Heteroepitaxial 3C-SiC Young's Modulus [Electrochem. Solid-State Lett., 14, H161 (2011)]

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