Pseudogap state in slightly doped by aluminium and praseodymium YBa2_2Cu3_3O7−δ_{7-\delta} single crystals with a given topology of plane defects

In present work the conductivity in the basis plane of YBaCuO single crystals slightly doped by Al and Pr with a pre-specified topology of twin boundaries has been investigated. The excess conductivity for the analyzed samples shows dependence like $\Delta\sigma\sim(1-T/T^*)\exp(\Delta_{ab}^*/T)$ in wide temperature range $T_f<T<T^*$, where $T^*$ can be represents as mean field temperature of superconducting transition. The temperature dependence of pseudogap can be satisfactory described in terms of the BCS-BEC crossover theoretical model.Comment: 3 pages, 2 figure

Effect of high-pressure-induced structural relaxation on evolution of the temperature dependence pseudogap in HoBa2Cu3O7-δ single crystals

In present work the influence of high pressure on the conductivity in the basal plane of the oxygen underdoped HoBa2Cu3O7-δ single crystals is investigated. It is found that excess conductivity Δ(Т) in the HoBa2Cu3O7-δ single crystals over a wide temperature range (Tс<Т<T*, where Tc is the critical temperature and T* represents the mean field temperature of the superconducting transition) obeys an exponential temperature dependence. The description of the excess conductivity with Δ~(1-Т/Т*)exp(Δ*ab/T) can be interpreted in terms of mean field theory. The temperature dependence pseudogap is satisfactorily described within the framework of the BCS-BEC crossover. В роботі досліджено вплив високого тиску на провідність в базисній площині ВТНП-монокристалів HoBa2Cu3O7-δ з нестачею кисню. Встановлено, що надлишкова провідність (Т) монокристалів HoBa2Cu3O7-δ у широкому інтервалі температур Tс<Т<T* підкоряється експоненційній температурній залежності. При цьому описання надлишкової провідності за допомогою співвідношення Δ~(1-Т/Т*)exp(Δ*ab/T) може бути інтерпретовано в термінах теорії середнього поля, де Т * представлена, як середньопольова температура надпровідного переходу, а температурна залежність псевдощілини задовільно описується в рамках теорії кросовера БКШ-БЕК. В работе исследовано влияние высокого давления на проводимость в базисной плоскости ВТНП-монокристаллов HoBa2Cu3O7-δ с недостатком кислорода. Установлено, что избыточная проводимость (Т) монокристаллов HoBa2Cu3O7-δ в широком интервале температур Tс<Т<T* подчиняется экспоненциальной температурной зависимости. При этом описание избыточной проводимости с помощью соотношения Δ~(1-Т/Т*)exp(Δ*ab/T) может быть интерпретировано в терминах теории среднего поля, где Т* представлена, как среднеполевая температура сверхпроводящего перехода, а температурная зависимость псевдощели удовлетворительно описывается в рамках теории кроссовера БКШ-БЭК

Effect of high-pressure-induced structural relaxation on evolution of the temperature dependence pseudogap in HoBa2Cu3O7-δ single crystals

In present work the influence of high pressure on the conductivity in the basal plane of the oxygen underdoped HoBa2Cu3O7-δ single crystals is investigated. It is found that excess conductivity Δ(Т) in the HoBa2Cu3O7-δ single crystals over a wide temperature range (Tс<Т<T*, where Tc is the critical temperature and T* represents the mean field temperature of the superconducting transition) obeys an exponential temperature dependence. The description of the excess conductivity with Δ~(1-Т/Т*)exp(Δ*ab/T) can be interpreted in terms of mean field theory. The temperature dependence pseudogap is satisfactorily described within the framework of the BCS-BEC crossover. В роботі досліджено вплив високого тиску на провідність в базисній площині ВТНП-монокристалів HoBa2Cu3O7-δ з нестачею кисню. Встановлено, що надлишкова провідність (Т) монокристалів HoBa2Cu3O7-δ у широкому інтервалі температур Tс<Т<T* підкоряється експоненційній температурній залежності. При цьому описання надлишкової провідності за допомогою співвідношення Δ~(1-Т/Т*)exp(Δ*ab/T) може бути інтерпретовано в термінах теорії середнього поля, де Т * представлена, як середньопольова температура надпровідного переходу, а температурна залежність псевдощілини задовільно описується в рамках теорії кросовера БКШ-БЕК. В работе исследовано влияние высокого давления на проводимость в базисной плоскости ВТНП-монокристаллов HoBa2Cu3O7-δ с недостатком кислорода. Установлено, что избыточная проводимость (Т) монокристаллов HoBa2Cu3O7-δ в широком интервале температур Tс<Т<T* подчиняется экспоненциальной температурной зависимости. При этом описание избыточной проводимости с помощью соотношения Δ~(1-Т/Т*)exp(Δ*ab/T) может быть интерпретировано в терминах теории среднего поля, где Т* представлена, как среднеполевая температура сверхпроводящего перехода, а температурная зависимость псевдощели удовлетворительно описывается в рамках теории кроссовера БКШ-БЭК

Effect of high pressure on conductivity in the basal plane of Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals lightly doped of praseodymium

Effect of high hydrostatic pressure up to 17 kbar on conductivity of lightly Pr-doped Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋δ (x~0.05) single crystals is investigated. We show that in contrast to non-doped YBa2Cu3O7-δ samples, application of the high pressure leads to a substantial increase of the pressure derivative of the coherence length dξc/dP and temperature shift of 2D-3D crossover point. Possible mechanisms of the influence of the high pressure on the critical temperature and the coherence length are discussed within the frames of a model assuming the presence of singularities in the charge carriers electron spectrum typical for lattices with strong coupling. The excess conductivity Δ σ(T) inY₀.₉₅xPr₀Ba₂Cu₃O₇₋δ has beenY0.95Pr0.05Ba2Cu3O7-δ revealed to obey an exponential dependence in the wide temperature range Tf < T < T*. At this, description of the excess conductivity by the expression Δ σ ~ (1 - T/T*)exp(Δ*ab/T) can be interpreted in terms of the mean-field theory, where T* is the mean-field superconducting transition temperature and pseudogap temperature dependence is satisfactory described within the framework of the BCS-BEC crossover theory. An increase of the applied pressure leads to narrowing of the temperature range of realization of the pseudogap regime, thereby expanding the linear temperature dependence of the basal-plane resistivity ρab(T)