103 research outputs found
Π‘ΡΡΡΠΊΡΡΡΠ° ΡΠΎΡΠΊΠΎΠ²ΠΈΡ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΡΠ² Ρ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠ°Ρ ΡΠ΅Π»ΡΡΠΈΠ΄Ρ ΠΊΠ°Π΄ΠΌΡΡ
Kosyak V.V. Point defect structure in cadmium telluride films. β
Manuscript.
The thesis for the candidate of physical and mathematical sciences on the
speciality 01.04.07 β solid state physics β Sumy State University, Sumy, 2008.
The thesis is devoted to research of point defect creation in CdTe thin films by
the comparison of model data with results of complex investigation structural and
electrophysical characteristics epitaxial and polycrystalline layers obtained by closed
space sublimation technique.
The universal approach, which takes into account the most complete spectrum of
point defects, is devised for description of point defect creation. With the use of this
approach and results of Β«ab initioΒ» calculations of thermodynamics parameters of
defect creation, modeling of point defect ensemble at different growth conditions for
full equilibrium and quenching was carry out.
The transport phenomenon of viscous vapor from evaporator to substrate, which
accompanied condensation of thin films by closed space sublimation technique, was
taking into account during point defect modeling. Calculation performed for different
set of native defects ionization energy values, in addition, experimental results of
localized states parameters obtained by the analysis of space limited current charge
current - voltage characteristics and temperature - conductivity dependencies
investigation in thin films, were used.
Unlike the traditional approach, optimization of defect creation parameters were
realized by the comparison of model data with electrophysical (charge carrier and
localized states concentration, conductivity, Fermi level location) and structural
(stoichiometry, lattice parameter, density) thin films characteristics.
Key words: thin films, native point defects, modeling of defect creation, currentvoltage
characteristics, parameters of localized states.ΠΠΈΡΠ΅ΡΡΠ°ΡΡΠΉΠ½Π° ΡΠΎΠ±ΠΎΡΠ° ΠΏΡΠΈΡΠ²ΡΡΠ΅Π½Π° Π΄ΠΎΡΠ»ΡΠ΄ΠΆΠ΅Π½Π½Ρ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠ² Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΡΠ²ΠΎΡΠ΅Π½Π½Ρ Ρ
ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠ°Ρ
CdTe ΡΠ»ΡΡ
ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡΡΠ²Π½ΡΠ½Π½Ρ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΡΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΡΠ²Π°Π½Π½Ρ Π· Π΄Π°Π½ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ
Π²ΠΈΠ²ΡΠ΅Π½Π½Ρ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΠΈΡ
Ρ Π΅Π»Π΅ΠΊΡΡΠΎΡΡΠ·ΠΈΡΠ½ΠΈΡ
Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊ ΠΌΠΎΠ½ΠΎ- ΡΠ° ΠΏΠΎΠ»ΡΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»ΡΡΠ½ΠΈΡ
ΡΠ°ΡΡΠ² ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΡΠ°Π»Ρ, ΠΎΠ΄Π΅ΡΠΆΠ°Π½ΠΈΡ
ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠ²Π°Π·ΡΠ·Π°ΠΌΠΊΠ½Π΅Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±βΡΠΌΡ (ΠΠΠ) Π² ΡΠΌΠΎΠ²Π°Ρ
,
Π±Π»ΠΈΠ·ΡΠΊΠΈΡ
Π΄ΠΎ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΡΡΠ½ΠΎ ΡΡΠ²Π½ΠΎΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΈΡ
.
ΠΠ°ΠΏΡΠΎΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΡΠ° ΡΠ΅Π°Π»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΡΠ½ΡΠ²Π΅ΡΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΈΠΉ ΠΏΡΠ΄Ρ
ΡΠ΄ Π΄ΠΎ ΠΎΠΏΠΈΡΡ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠ²
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΡΠ²ΠΎΡΠ΅Π½Π½Ρ Ρ ΡΠ΅Π»ΡΡΠΈΠ΄Ρ ΠΊΠ°Π΄ΠΌΡΡ, ΡΠΎ Π²ΡΠ°Ρ
ΠΎΠ²ΡΡ Π½Π°ΠΉΠ±ΡΠ»ΡΡ ΠΏΠΎΠ²Π½ΠΈΠΉ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡ
ΡΠΎΡΠΊΠΎΠ²ΠΈΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΡΠ² ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΡΠ°Π»Ρ. Π Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠ°Π½Π½ΡΠΌ ΡΡΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡΠ΄Ρ
ΠΎΠ΄Ρ ΡΠ° ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΡΠ²
ΡΠΎΠ·ΡΠ°Ρ
ΡΠ½ΠΊΡΠ² ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΡΡΠ½ΠΈΡ
ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡΠ² Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΡΠ²ΠΎΡΠ΅Π½Π½Ρ Β«ab initioΒ»,
ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΡΠ²Π°Π½Π½Ρ Π°Π½ΡΠ°ΠΌΠ±Π»Ρ Π²Π»Π°ΡΠ½ΠΈΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΡΠ² Ρ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠ°Ρ
CdTe Π΄Π»Ρ Π²ΠΈΠΏΠ°Π΄ΠΊΡΠ² ΠΏΠΎΠ²Π½ΠΎΡ ΡΡΠ²Π½ΠΎΠ²Π°Π³ΠΈ ΡΠ° Π³Π°ΡΡΡΠ²Π°Π½Π½Ρ Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΠ΄ ΡΡΠ·ΠΈΠΊΠΎ-ΡΠ΅Ρ
Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΡΡΠ½ΠΈΡ
ΡΠΌΠΎΠ²
ΡΡ
Π²ΠΈΡΠΎΡΡΠ²Π°Π½Π½Ρ. ΠΡΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΡΠ²Π°Π½Π½Ρ Π²ΡΠ°Ρ
ΠΎΠ²Π°Π½Ρ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΠΈ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π½Π΅ΡΠ΅Π½Π½Ρ Π²βΡΠ·ΠΊΠΎΡ ΠΏΠ°ΡΠΈ
ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½ΡΡΠ² Π·βΡΠ΄Π½Π°Π½Π½Ρ Π²ΡΠ΄ Π²ΠΈΠΏΠ°ΡΠ½ΠΈΠΊΠ° Π΄ΠΎ ΠΏΡΠ΄ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ, ΡΠΎ Π²ΡΠ΄Π±ΡΠ²Π°ΡΡΡΡΡ ΠΏΡΠΈ
ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°ΡΡΡ Ρ ΠΠΠ. Π ΠΎΠ·ΡΠ°Ρ
ΡΠ½ΠΊΠΈ ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ Π΄Π»Ρ ΡΡΠ·Π½ΠΈΡ
Π½Π°Π±ΠΎΡΡΠ² Π΅Π½Π΅ΡΠ³ΡΠΉ ΡΠΎΠ½ΡΠ·Π°ΡΡΡ
Π²Π»Π°ΡΠ½ΠΈΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΡΠ², ΠΏΡΠΈ ΡΡΠΎΠΌΡ Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠ°Π½Ρ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠΈ Π΅ΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ
Π²ΠΈΠ²ΡΠ΅Π½Π½Ρ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡΠ² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ
ΡΡΠ°Π½ΡΠ² (ΠΠ‘) Ρ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠ°Ρ
ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π°Π½Π°Π»ΡΠ·Ρ ΠΠΠ₯
Π‘ΠΠΠ ΡΠ° Π·Π°Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡΠ΅ΠΉ ΠΏΡΠΎΠ²ΡΠ΄Π½ΡΡΡΡ-ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ°.
ΠΠ° Π²ΡΠ΄ΠΌΡΠ½Ρ Π²ΡΠ΄ ΡΡΠ°Π΄ΠΈΡΡΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡΠ΄Ρ
ΠΎΠ΄Ρ ΠΎΠΏΡΠΈΠΌΡΠ·Π°ΡΡΡ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡΠ²
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΡΠ²ΠΎΡΠ΅Π½Π½Ρ ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° ΡΠ»ΡΡ
ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡΡΠ²Π½ΡΠ½Π½Ρ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΡΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΡΠ²Π°Π½Π½Ρ ΡΠΊ Π·
Π΅Π»Π΅ΠΊΡΡΠΈΡΠ½ΠΈΠΌΠΈ (ΠΊΠΎΠ½ΡΠ΅Π½ΡΡΠ°ΡΡΡ Π½ΠΎΡΡΡΠ² ΡΠ° ΠΠ‘ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΡΠ², ΠΏΡΠΎΠ²ΡΠ΄Π½ΡΡΡΡ, ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ
ΡΡΠ²Π½Ρ Π€Π΅ΡΠΌΡ), ΡΠ°ΠΊ Ρ Π·Ρ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΠΈΠΌΠΈ (ΡΡΠ΅Ρ
ΡΠΎΠΌΠ΅ΡΡΡΡ, ΠΏΠ΅ΡΡΠΎΠ΄ Π³ΡΠ°ΡΠΊΠΈ, ΡΠ΅Π½ΡΠ³Π΅Π½ΡΠ²ΡΡΠΊΠ°
Π³ΡΡΡΠΈΠ½Π°) Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΎΠΊ. // Π ΡΡΡΠΊ. Π²Π΅ΡΡΠΈΡ: ΠΠΈΡΡΠ΅ΡΡΠ°ΡΠΈΡ ΠΏΠΎΡΠ²ΡΡΠ΅Π½Π° ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠΎΠ² Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΠΎΠ±ΡΠ°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π²
ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ
CdTe ΠΏΡΡΠ΅ΠΌ ΡΡΠ°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΡ ΡΠΎΡΠ΅ΡΠ½ΡΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΠ² (Π’Π) Π² ΡΠ°ΠΌΠΊΠ°Ρ
ΠΊΠ²Π°Π·ΠΈΡ
ΠΈΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΎΡΠΌΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΌΠ° Ρ Π΄Π°Π½Π½ΡΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ
ΠΈΠ·ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΡΡ
ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΡΠΈΠ·ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊ ΠΌΠΎΠ½ΠΎ- ΠΈ
ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΡΠ»ΠΎΠ΅Π² ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΠΈΠ°Π»Π°, ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Π½ΡΡ
ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠ²Π°Π·ΠΈΠ·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡΡΠΎΠ³ΠΎ
ΠΎΠ±ΡΠ΅ΠΌΠ° (ΠΠΠ) Π² ΡΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡΡ
, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ
ΠΊ ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈ ΡΠ°Π²Π½ΠΎΠ²Π΅ΡΠ½ΡΠΌ.
ΠΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΡΡ
ΠΈ ΡΡΠ±ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΡΡ
Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ CdTe, ΠΈΡ
ΡΡΠ΅Ρ
ΠΈΠΎΠΌΠ΅ΡΡΠΈΠΈ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΠΎΡ ΡΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠΉ
ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ (ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΡ ΠΈΡΠΏΠ°ΡΠΈΡΠ΅Π»Ρ Te ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ Ts). ΠΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡ
ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°ΡΠΈΠΈ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΠΎ-ΡΠΎΠ²Π΅ΡΡΠ΅Π½Π½ΡΡ
, ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΠ°Π·Π½ΡΡ
, Π²ΡΡΠΎΠΊΠΎΡΠ΅ΠΊΡΡΡΡΡΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΡ
ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΡΠΎ ΡΡΠΎΠ»Π±ΡΠ°ΡΠΎΠΉ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠΎΠΉ ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡΡΠΈΠΌ ΡΠ°Π·ΠΌΠ΅ΡΠΎΠΌ
Π·Π΅ΡΠ΅Π½ (d>10 ΠΌΠΊΠΌ), Π² ΠΊΠΎΡΠΎΡΡΡ
Π²Π»ΠΈΡΠ½ΠΈΠ΅ΠΌ Π³ΡΠ°Π½ΠΈΡ ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΈΡΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΡΠΎΡΡΠΆΠ΅Π½Π½ΡΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΠ² Π² ΡΡΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅ Π·Π΅ΡΠ½Π° Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡΠ²Π° ΡΠ»ΠΎΠ΅Π² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡΠ΅Π½Π΅Π±ΡΠ΅ΡΡ.
ΠΠ»Ρ ΡΠ°ΠΊΠΈΡ
ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΡΡΠΎΠ²Π΅ΡΠ½ΠΎΠ΅ ΡΡΠ°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Ρ
ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠ°ΠΌΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈΡ
ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΡΠΈΠ·ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊ.
ΠΡΠ΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΈ ΡΠ΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ ΡΠ½ΠΈΠ²Π΅ΡΡΠ°Π»ΡΠ½ΡΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ
ΠΎΠ΄ Π΄Π»Ρ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΡ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠΎΠ²
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΠΎΠ±ΡΠ°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π² CdTe, ΡΡΠΈΡΡΠ²Π°ΡΡΠΈΠΉ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΠΉ ΡΠΏΠ΅ΠΊΡΡ Π’Π Π²
ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΠΈΠ°Π»Π΅. Π‘ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΡΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ
ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠΎΠ² ΡΠ°ΡΡΠ΅ΡΠΎΠ²
ΡΠ΅ΡΠΌΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠΎΠ² Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΠΎΠ±ΡΠ°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Β«ab initioΒ» ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ
ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π°Π½ΡΠ°ΠΌΠ±Π»Ρ ΡΠΎΠ±ΡΡΠ²Π΅Π½Π½ΡΡ
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΠ² Π² ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ
Π΄Π»Ρ ΡΠ»ΡΡΠ°Π΅Π² ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ
ΡΠ°Π²Π½ΠΎΠ²Π΅ΡΠΈΡ ΠΈ Π·Π°ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΠΎΡ ΡΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-ΡΠ΅Ρ
Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΡΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠΉ ΠΈΡ
ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ. ΠΡΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΡΡΡΠ΅Π½Ρ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΡ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΎΡΠ° Π²ΡΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°ΡΠ°
ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½ΡΠΎΠ² ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ ΠΈΡΠΏΠ°ΡΠΈΡΠ΅Π»Ρ ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅, ΠΏΡΠΎΠΈΡΡ
ΠΎΠ΄ΡΡΠΈΠ΅ ΠΏΡΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°ΡΠΈΠΈ Π² ΠΠΠ. Π Π°ΡΡΠ΅ΡΡ ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ Π΄Π»Ρ ΡΠ°Π·Π»ΠΈΡΠ½ΡΡ
Π½Π°Π±ΠΎΡΠΎΠ² ΡΠ½Π΅ΡΠ³ΠΈΠΉ
ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°ΡΠΈΠΈ Π’Π, ΠΏΡΠΈ ΡΡΠΎΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΡ ΡΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ·ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ
ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠΎΠ² Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡΡ
ΡΠΎΡΡΠΎΡΠ½ΠΈΠΉ (ΠΠ‘) Π² ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ
, ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Π½ΡΠ΅ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠΌ
Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΠΠ₯ ΡΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΎΠ³ΡΠ°Π½ΠΈΡΠ΅Π½Π½ΡΡ
ΠΏΡΠΎΡΡΡΠ°Π½ΡΡΠ²Π΅Π½Π½ΡΠΌ Π·Π°ΡΡΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠ΅ΠΉ
ΠΏΡΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡΡ-ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ°. ΠΡΠΈΠΌΠΈ ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π² Π·Π°ΠΏΡΠ΅ΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΅
ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΠΈΠ°Π»Π° Π²ΡΡΠ²Π»Π΅Π½Ρ ΠΠ‘ Ρ ΡΠ½Π΅ΡΠ³ΠΈΡΠΌΠΈ Π·Π°Π»Π΅Π³Π°Π½ΠΈΡ Et1=(0,68β
0,70) ΡΠ; Et2=(0,60β0,63) ΡΠ; Et3=(0,56-0,57) ΡΠ; Et4=(0,51-0,53) ΡΠ;
Et5=(0,45-0,46) ΡΠ; Et6=(0,39-0,40) ΡΠ; Et7=0,33 ΡΠ; Et8=(0,13-0,15) ΡΠ ΠΈ
ΠΊΠΎΠ½ΡΠ΅Π½ΡΡΠ°ΡΠΈΡΠΌΠΈ 1012 β 1015 ΡΠΌ-3. ΠΠ°Π½Π½ΡΠ΅ ΡΡΠΎΠ²Π½ΠΈ Π±ΡΠ»ΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Π½ΡΠΈΡΠΈΡΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Ρ ΠΊΠ°ΠΊ
ΡΠΎΠ±ΡΡΠ²Π΅Π½Π½ΡΠ΅ Π’Π.
Π ΠΎΡΠ»ΠΈΡΠΈΠ΅ ΠΎΡ ΡΡΠ°Π΄ΠΈΡΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ
ΠΎΠ΄Π° ΠΎΠΏΡΠΈΠΌΠΈΠ·Π°ΡΠΈΡ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠΎΠ²
Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΠΎΠ±ΡΠ°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΏΡΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° ΠΏΡΡΠ΅ΠΌ ΡΡΠ°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡ ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΊΠ°ΠΊ
Ρ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠΌΠΈ (ΠΊΠΎΠ½ΡΠ΅Π½ΡΡΠ°ΡΠΈΡ Π½ΠΎΡΠΈΡΠ΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΠ‘, ΠΏΡΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡΡ, ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅
ΡΡΠΎΠ²Π½Ρ Π€Π΅ΡΠΌΠΈ), ΡΠ°ΠΊ ΠΈ ΡΠΎ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½ΡΠΌΠΈ (ΡΡΠ΅Ρ
ΠΈΠΎΠΌΠ΅ΡΡΠΈΡ, ΠΏΠ΅ΡΠΈΠΎΠ΄ ΡΠ΅ΡΠ΅ΡΠΊΠΈ,
ΡΠ΅Π½ΡΠ³Π΅Π½ΠΎΠ²ΡΠΊΠ°Ρ ΠΏΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΡ) Ρ
Π°ΡΠ°ΠΊΡΠ΅ΡΠΈΡΡΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ.
ΠΡΠΈ ΡΠΈΡΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠΊΡΠΌΠ΅Π½ΡΠ°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΡΠΉΡΠ΅ ΡΡΡΠ»ΠΊΡ http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/63
Π‘ΡΡΡΠΊΡΡΡΠ° ΡΠΎΡΠΊΠΎΠ²ΠΈΡ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΡΠ² Ρ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠ°Ρ ΡΠ΅Π»ΡΡΠΈΠ΄Ρ ΠΊΠ°Π΄ΠΌΡΡ
ΠΠ°Π²Π΄ΡΠΊΠΈ ΡΠ½ΡΠΊΠ°Π»ΡΠ½ΠΈΠΌ ΡΡΠ·ΠΈΡΠ½ΠΈΠΌ Π²Π»Π°ΡΡΠΈΠ²ΠΎΡΡΡΠΌ
ΡΠ΅Π»ΡΡΠΈΠ΄ ΠΊΠ°Π΄ΠΌΡΡ Π²ΠΏΡΠΎΠ΄ΠΎΠ²ΠΆ ΡΡΠΈΠ²Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠ°ΡΡ Ρ ΠΎΠ±βΡΠΊΡΠΎΠΌ ΡΠ΅ΡΠ΅Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΈΠ²ΡΠ΅Π½Π½Ρ, ΡΠΊ
ΠΏΠ΅ΡΡΠΏΠ΅ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΡΠ°Π» Π΄Π»Ρ Π²ΠΈΠ³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ Π΄Π΅ΡΠ΅ΠΊΡΠΎΡΡΠ² ΠΆΠΎΡΡΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ
Π²ΠΈΠΏΡΠΎΠΌΡΠ½ΡΠ²Π°Π½Π½Ρ, ΠΏΠ΅ΡΠ΅ΡΠ²ΠΎΡΡΠ²Π°ΡΡΠ² ΡΠΎΠ½ΡΡΠ½ΠΎΡ Π΅Π½Π΅ΡΠ³ΡΡ, Π΅Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½ΡΡΠ²
ΡΠ΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΡΠ½ΡΠΊΠ°ΡΡΠΉΠ½ΠΈΡ
ΠΌΠ΅ΡΠ΅ΠΆ ΡΠ° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈ ΡΠ½ΡΠΈΡ
ΠΏΡΠΈΠ»Π°Π΄ΡΠ² ΡΠ²Π΅ΡΠ΄ΠΎΡΡΠ»ΡΠ½ΠΎΡ
Π΅Π»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½ΡΠΊΠΈ. ΠΡΠΈ ΡΡΠΎΠΌΡ ΡΠΊ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ ΡΠ°ΡΠΈ ΡΡΠ·Π½ΠΎΠΌΠ°Π½ΡΡΠ½ΠΈΡ
ΠΏΡΠΈΡΡΡΠΎΡΠ² Π²ΡΠ΅
ΡΠ°ΡΡΡΡΠ΅ Π·Π°ΡΡΠΎΡΠΎΠ²ΡΡΡΡΡΡ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠΈ Ρ
Π°Π»ΡΠΊΠΎΠ³Π΅Π½ΡΠ΄Ρ ΠΊΠ°Π΄ΠΌΡΡ.
ΠΡΠΈ ΡΠΈΡΡΠ²Π°Π½Π½Ρ Π΄ΠΎΠΊΡΠΌΠ΅Π½ΡΠ°, Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠΎΠ²ΡΠΉΡΠ΅ ΠΏΠΎΡΠΈΠ»Π°Π½Π½Ρ http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1586
Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films
With the use of expressions obtained from the βfirst principlesβ, the ensemble of point defects was calculated, and the location of a Fermi level in undoped cadmium telluride single crystals and thin films depending on physico-technological conditions of their fabrication and annealing is determined. The model in use accounts the most complete spectrum of defects in chalcogenide, including defects in the cadmium and tellurium sublattices, and the existence of an antistructural defect on the cadmium sublattice. Calculations of the concentration of neutral and charged defects are realized for two extreme cases β full equilibrium and quenching.
When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3013
Thermally induced phase transition in SnxSy thin films
Presently, the earth-abundant and non-toxic SnS2 and SnS compounds could be considered as the promising optoelectronic material. This is due the fact that SnS2 has n-type conductivity, high carrier mobility and wide band gap of 2.2 eV. SnS2 films were obtained by the close-spaced vacuum sublimation method
Influence of zinc concentration on structural and optical properties of polycrystalline CZT thick films obtained by the close spaced sublimation
This paper reports results of studying of effect of zinc concentration on structural and optical properties of Cd1-xZnxTe thick films. Also the possibility of obtaining of high-quality thick polycrystalline CZT films with high Zn concentration (x>0.1) will be established
Π‘ΡΡΡΠΊΡΡΡΠ½Ρ Π²Π»Π°ΡΡΠΈΠ²ΠΎΡΡΡ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΎΠΊ Sn[2]S[3]
Π‘ΠΏΠΎΠ»ΡΠΊΠ° Sn2S3 Π² Π½Π°Ρ ΡΠ°Ρ Π²Π²Π°ΠΆΠ°ΡΡΡΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Π· ΠΏΠ΅ΡΡΠΏΠ΅ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΠΈΡ
ΠΌΠ°ΡΠ΅ΡΡΠ°Π»ΡΠ² Π΄Π»Ρ Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠ°Π½Π½Ρ ΡΠΊ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΈΠ½Π°ΡΡΠΈΠΉ ΡΠ°Ρ ΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠΎΠ²ΠΈΡ
ΡΠΎΡΠΎΠΏΠ΅ΡΠ΅ΡΠ²ΠΎΡΡΠ²Π°ΡΡΠ². ΠΠΎΠ½Π° ΡΠ°ΠΊΠΎΠΆ ΡΠ²Π»ΡΡΡΡΡΡ ΠΏΠΎΡΠ΅Π½ΡΡΠΉΠ½ΠΈΠΌ ΠΊΠ°Π½Π΄ΠΈΠ΄Π°ΡΠΎΠΌ Π΄Π»Ρ Π²ΠΈΠΊΠΎΡΠΈΡΡΠ°Π½Π½Ρ Π² ΡΠΎΡΠΎΠΏΡΠΈΠΉΠΌΠ°ΡΠ°Ρ
ΡΠ° ΡΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΏΠ»ΡΠ²ΠΊΠΎΠ²ΠΈΡ
ΡΡΠ°Π½Π·ΠΈΡΡΠΎΡΠ°Ρ
Influence of zinc concentration on structural and optical properties of polycrystalline CZT thick films obtained by the close spaced sublimation
This paper reports results of studying of effect of zinc concentration on structural and optical properties of Cd1-xZnxTe thick films. Also the possibility of obtaining of high-quality thick polycrystalline CZT films with high Zn concentration (x>0.1) will be established
Effect of Laser Annealing on the Properties of the Surface of Polycrystalline CdZnTe Thick Film
In this work effect of laser annealing on properties of surface of CdxZn1-xTe (CZT) films was studied. CZT layers were deposited by co-evaporation of CdTe and ZnTe using close-spaced vacuum sublimation (CSVS) method. Structural properties and chemical composition of films were studied by X-ray Diffraction (XRD) and Energy Dispersive Spectroscopy (EDS). The annealing of the sample was carried out with the
help of micro-Raman infrared laser of 785 nm wavelength at maximal 100x magnification. It was established that laser annealing of the surface substantially causes redistribution of Zn atoms. More detailed study of the sample by the scanning of surface with the micro-Raman method allows to determine trend in this process and to detect Te-rich zones. Improvement of the crystal quality near annealed area of the thick
film was achieved
- β¦