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Ălucidation des mĂ©canismes Ă©lectroniques dans des memristors organiques
Organic memristors are promising components for neuromorphic circuit elaboration and electronic miniaturization. Nevertheless, mechanisms driving memory effects in these devices are still unknown. This thesis purpose is to contribute to molecular mechanisms elucidation in these organic layers. We have designed a muliplex plateform integrating molecular films as a crossbar junction and allowing films characterization by different technics (AFM, SERS, i-V). These plateforms were made using innovative methods. The bottom electrodes shape was designed by photolithography so that they could be easily functionalized by electrochemistry and characterized by AFM. Then, the molecular films studied were electrografted onto the bottom electrodes by diazonium reduction. Finally, top electrodes were deposited by inkjet printing. This study relates principaly to an iron (II) coordination complex having two ter-pyridine ligands. It has been integrated for the first time in junctions as active layer. One of the ligands support a diazonium function as anchoring group which allows the complex to be electrografted on electrodes. The Au/Fe complexes/Au junctions showed a memristive behavior with a satisfying ON/OFF current ratio of 80. We highlighted azo bridge formation during the complexes grafting. Furthermore, the azo redox activity was observed by using time resolved spectroelectrochemistry (UV-vis absorption and Raman coupled to electrochimistry). This property is suspected inducingto induce the memory effect seen for iron complexes junctions.Les memristors organiques sont trĂšs prometteurs pour lâĂ©laboration de circuits neuromorphiques et la miniaturisation de lâĂ©lectronique. Cependant, les mĂ©canismes rĂ©gissant les effets mĂ©moires au sein de ces dispositifs sont trĂšs peu connus. Lâobjet de cette thĂšse est de contribuer Ă la recherche sur lâĂ©lucidation des mĂ©canismes molĂ©culaires dans les couches organiques. Dans le cadre de ce travail, une plateforme multiplexe a Ă©tĂ© mise au point. Elle permet dâintĂ©grer des films molĂ©culaires en jonction crossbar MĂ©tal/molĂ©cule/MĂ©tal et de caractĂ©riser ces films par diffĂ©rentes techniques (AFM, SERS, i-V). Cette plateforme a Ă©tĂ© fabriquĂ©e avec des mĂ©thodes innovantes. En effet, la forme des Ă©lectrodes infĂ©rieures a Ă©tĂ© Ă©laborĂ©e par photolithographie de maniĂšre Ă pouvoir les fonctionnaliser facilement par Ă©lectrochimie et Ă les caractĂ©riser par AFM. Les films molĂ©culaires Ă©tudiĂ©s ont Ă©tĂ© Ă©lectrogreffĂ©s sur les Ă©lectrodes infĂ©rieures par rĂ©duction de diazoniums. Enfin, les Ă©lectrodes supĂ©rieures ont Ă©tĂ© dĂ©posĂ©es par impression jet dâencre. LâĂ©tude porte principalement sur un complexe de coordination de fer(II) avec deux ligands ter-pyridine. Ce complexe a ici Ă©tĂ© intĂ©grĂ© pour la premiĂšre fois dans les jonctions comme couche active. Un des ligands porte une fonction diazonium comme groupe dâaccroche permettant dâĂ©lectrogreffer le complexe sur des Ă©lectrodes. Les jonctions Au/complexe de Fe/Au se sont rĂ©vĂ©lĂ©es avoir un effet memristif avec un ratio entre les courants ON/OFF trĂšs satisfaisant, de 80. De plus, nous avons montrĂ© que des ponts azo sont formĂ©s durant le greffage des complexes. Nous avons Ă©galement observĂ©, par des techniques spectroĂ©lectrochimiques Ă rĂ©solution temporelle (absorption UV-vis et Raman couplĂ©es Ă lâĂ©lectrochimie), que les ponts azo sont redox actifs. Cette propriĂ©tĂ© est soupçonnĂ©e dâĂȘtre Ă lâorigine de lâeffet mĂ©moire constatĂ© dans ces jonctions Ă base de complexes de fer