Perturbations électromagnétiques conduites d'un bras d'onduleur à base de transistors en Nitrure de Galium: Structure « 3D » pour composants horizontaux

International audienceDans cet article une structure ‘‘3D'' à base de composant GaN est présentée. Sa réalisation proche des structures ‘‘3D'' existantes pour les composants Silicium tel que le concept PCoC donne la perspective de bénéficier des mêmes avantages vis à vis des perturbations électromagnétiques en mode conduit. C'est ce qui est vérifié dans cet article en comparant la structure ‘‘3D'' avec une réalisation d'une structure ‘‘2D''optimisée pour composant GaN

Packaging 3D pour MOSFET en carbure de silicium

International audienceLe développement d'un packaging dédié aux transistors à grand gap (SiC et GaN) est un point clef pour tirer pleinement profit de leurs caractéristiques remarquables. Un packaging en trois dimensions, basé sur un procédé de fabrication des circuits imprimés, est présenté dans cet article. Une cellule de commutation à base de MOSFET SiC est développé avec une inductance parasite de seulement 0.25nH. De plus, les interconnexions électriques du module sont réalisées sans brasures ni fil de bonding. Un module 3D est fabriqué puis validé expérimentalement. Des caractérisations électriques statiques et dynamiques sont réalisées et valident électriquement le concept « Power Chip On Chip » avec un procédé de fabrication de circuit imprimé

Appeal No. 0714: Gary Harris & Group Maintenance v. Division of Mineral Resources Management

Chief\u27s Order 2003-1

Simulation numérique et caractérisation de composants de puissance en diamant

International audienceCet article présente les avancées sur la simulation analytique et numérique de composants de puissance en diamant, ainsi que les problématiques de caractérisation associées. Les modèles spécifiques au diamant ont été implémentés et ont été calibrés en confrontant les résultats de simulation aux dernières données expérimentales existantes. Enfin, un soin particulier a été apporté sur la maîtrise de l'auto-échauffement et de la calibration de la température du composant diamant sous test.  </p

Le transistor MOSFET en commutation : Application aux associations série et parallèle de composants à grille isolée

The association between several components is one of the key point to increase the power level in power electronics. This problem is encountered either inside the modules - between aIl elementary chips-, or during the converter manufacturing, when power modules are connected together. The aim of this work is not to study again aIl problems encountered in the past, but to carry an extensive analysis on series and paraIlel association of insulated gate components. This begins with a generic approach of the switching ccli, including semiconductors, driver and aIl stray components. Design mIes have therefore been proposed, in order to improve the balancing of electrical constraints, between aIl semiconductors. For parallel association, the major role of cabling has been underlined. For series association an active c1amping circuit has been proposed, based on the knowledge about switching phenomena.L'augmentation des puissances commutées en électronique de puissance passe par l'association de composants élémentaires en série et en parallèle. Cette association se retrouve à différentes échelles: au sein des modules du commerce ou au niveau de l'association de modules dans un convertisseur statique. Les travaux dans ce domaine ne sont pas nouveaux, puisque de nombreux problèmes nuisant à l'association série ou parallèle ont été rencontrés dans le passé. Le but de cette thèse n'est pas de redécouvrir ces problèmes, ni leurs solutions, mais plutôt, par une étude systématique de la' commutation, de mieux comprendre les phénomènes intervenant dans une association de composants à grille isolée. L'originalité de cette étude est qu'elle s'intéresse aux semiconducteurs dans leur environnement. Des règles ont ainsi pu être dégagées permettant une meilleure répartition des contraintes électriques entre les composants. Pour la mise en parallèle, le rôle du câblage a été mis en évidence, et pour la mise en série, un circuit d'équilibrage actif a été proposé, se basant sur les acteurs principaux de la commutatio

Analyses of the unbalanced paralleled GaN HEMT transistors

WOS:000450299300340International audienc

Analyses of the unbalanced paralleled GaN HEMT transistors

WOS:000450299300340International audienc

Integration solutions for clean and safe switching of high speed devices

InvitéThis paper investigates the impact of stray elements (inductance, capacitance) on the switching behavior. Voltage overshoots,ringing, EMC, losses are under concern. Positive effects as well as negative ones in the case of very high speedcommutations are underlined, resulting in design rules for packaging. Afterwards a case study of several power modulesis proposed, showing various solutions of many authors to provide packaging solutions adapted to the new high speed device

Packaging design for low EMI generation of power modules

International audienceThis paper investigates the impact of the design of a power module on its EMI generation, in the case of WBG components. Stray elements (inductances, capacitances) must be carefully reduced or designed, but that's not all: shielding effect and integrated filtering are also investigated. It results in some design rules for packaging. Some examples of power modules design will be presented