Epitaxie von Cu(In,Ga)S2 auf Si-Substraten

Ziel der Arbeit war es, epitaktische Schichten des für die Optoelektronik interessanten Chalkopyrithalbleiters Cu(In,Ga)S2 herzustellen und diese strukturell zu untersuchen. Zur Herstellung der Schichten kam die Molekularstrahlepitaxie zum Einsatz. Als Untersuchungsmethoden wurden die Rutherfordrückstreuung (RBS), die hochaufgelöste Transmissionselektronenmikroskopie (HRTEM), die Beugung hochenergetischer Elektronen in Reflexion (RHEED), die Feinbereichselektronenbeugung (SAED) und die Röntgenbeugung (XRD) eingesetzt. Die Epitaxie von Cu(In,Ga) 2 auf Si(111) und CuInS2 auch auf Si(001) wurde erfolgreich nachgewiesen. Die chemische Zusammensetzung der epitaktischen Schichten wurde ermittelt in dessen Abhängigkeit die Mikrostruktur, das Phänomen der Verzwilligung, das Auftreten metastabiler Ordnungstypen aufgeklärt wurde und die Gitterkonstanten bestimmt wurden. Dabei konnte der Punkt ermittelt werden, bei dem die bestmögliche Gitteranpassung von epitaktischer Schicht an das Si-Substrat eintritt