Die wirtschaftliche Lage Rußlands: Monetäre Orientierungslosigkeit und realwirtschaftlicher Aktionismus. Dritter Bericht

Die beteiligten Institute legen hiermit ihren dritten Bericht über die Wirtschaft Rußlands vor. Der Bericht ist in zwei Teile gegliedert. Im ersten Teil wird der aktuelle Stand der Wirtschaftsentwicklung und der Reformpolitik dargestellt. Seit der Fertigstellung des zweiten Berichts hat sich die politische und wirtschaftliche Lage in der Russischen Föderation nicht grundlegend geändert. Die politische Blockade zwischen Legislative und Exekutive lähmt weiterhin den Reformprozeß; eine Wende zum Besseren ist nicht zu erkennen. Der zweite Teil des Berichts beschäftigt sich schwerpunktmäßig mit der sozialen Lage der Bevölkerung. Gegenstand der Analyse sind die Entwicklung von Einkommen und Verbrauch, das System der sozialen Sicherung sowie das Angebotspotential für die Versorgung der Bevölkerung mit Gütern und Dienstleistungen. Nach wie vor werden die Analysen durch die unsichere politische Lage, den institutionellen Umbruch und das unzuverlässige Berichtssystem erheblich erschwert. Die statistische Berichterstattung hat sich im Zeitablauf sogar noch verschlechtert. Vor allem die Aktivitäten des sich neu entwickelnden privaten Sektors werden kaum erfaßt. Informationslücken konnten nur zu einem geringen Teil durch Befragung staatlicher Stellen und russischer Wissenschaftler vor Ort geschlossen werden, so daß erhebliche Unsicherheiten über den tatsächlichen Ablauf des Transformationsprozesses verbleiben

Die wirtschaftliche Lage Rußlands: Monetäre Orientierungslosigkeit und realwirtschaftlicher Aktionismus. Dritter Bericht

Die beteiligten Institute legen hiermit ihren dritten Bericht über die Wirtschaft Rußlands vor. Der Bericht ist in zwei Teile gegliedert. Im ersten Teil wird der aktuelle Stand der Wirtschaftsentwicklung und der Reformpolitik dargestellt. Seit der Fertigstellung des zweiten Berichts hat sich die politische und wirtschaftliche Lage in der Russischen Föderation nicht grundlegend geändert. Die politische Blockade zwischen Legislative und Exekutive lähmt weiterhin den Reformprozeß; eine Wende zum Besseren ist nicht zu erkennen. Der zweite Teil des Berichts beschäftigt sich schwerpunktmäßig mit der sozialen Lage der Bevölkerung. Gegenstand der Analyse sind die Entwicklung von Einkommen und Verbrauch, das System der sozialen Sicherung sowie das Angebotspotential für die Versorgung der Bevölkerung mit Gütern und Dienstleistungen. Nach wie vor werden die Analysen durch die unsichere politische Lage, den institutionellen Umbruch und das unzuverlässige Berichtssystem erheblich erschwert. Die statistische Berichterstattung hat sich im Zeitablauf sogar noch verschlechtert. Vor allem die Aktivitäten des sich neu entwickelnden privaten Sektors werden kaum erfaßt. Informationslücken konnten nur zu einem geringen Teil durch Befragung staatlicher Stellen und russischer Wissenschaftler vor Ort geschlossen werden, so daß erhebliche Unsicherheiten über den tatsächlichen Ablauf des Transformationsprozesses verbleiben. --

"Narrow band, large angular width resonant reflection from a periodic high index grid at terahertz frequency"

International audienc

Comparison of different simulation methods for multi plane, computer generated holograms

Computer generated holograms (CGH) are used to transform an incoming light distribution into a desired output. Recently multi plane CGHs became of interest since they allow the combination of some well known design methods for thin CGHs with unique properties of thick holograms. Iterative methods like the iterative Fourier transform algorithm (IFTA) require an operator that transforms a required optical function into an actual physical structure (e.g. a height structure). Commonly the thin element approximation (TEA) is used for this purpose. Together with the angular spectrum of plane waves (APSW) it has also been successfully used in the case of multi plane CGHs. Of course, due to the approximations inherent in TEA, it can only be applied above a certain feature size. In this contribution we want to give a first comparison of the TEA & ASPW approach with simulation results from the Fourier modal method (FMM) for the example of one dimensional, pattern generating, multi plane CGH

Electrocaloric temperature change in ferroelectric Si-doped hafnium oxide (HfO2) thin films: Presentation held at 37th Spring Meeting of the European Materials Research Society, E-MRS 2019, 27-31 May 2019, Nizza

Ferroelectric HfO2-based thin films receive extensive research interest due to their large spontaneous polarization, scalability, and CMOS compatible manufacturing. As in ferroelectrics, the remnant polarization exhibits a temperature dependence, one can observe a strong pyroelectric response in such films. Recently, the pyroelectric effect of doped HfO2 films has been observed [1]. The electrocaloric effect is closely related to it, as describing a temperature change of the material due to the application of an electric field. First published results indicate rather large electrocaloric coefficients, making doped HfO2 a promising candidate for on-chip solid-state cooling [2]. In this work, a specialized test structure is used to directly assess the strength of the electrocaloric effect in a 20 nm Si-doped HfO2 nano-laminate. A thin-film temperature sensor is formed on the metal-ferroelectric-metal structure, enabling excitation frequencies of up to 60 kHz. Measurement with respect to an electric bias field provides insight into the nature of thermal-electric energy conversion in HfO2 thin films. Additionally, bias dependent pyroelectric measurements are employed to assess the role of defect dipoles, which may have important implications for electrocaloric applications