Моделювання спектральної залежності коефіцієнта пропускання напівпровідникових тонких плівок

The spectral dependence of the transmittance as a function of the film thickness, the refractive index of the substrate, bandgap and the Cauchy parameters (α and β) of the semiconductor material was determined from condition of interference extremes. The absorption coefficient was simulated for the structure – thin film/substrate. Cadmium chalcogenides (CdTe, CdSe, and CdS) deposited on quartz substrates was selected as model samples. Experimental behavior of substrate transmittance was used to determine its refractive index. The theoretical results are compared with the experimental data and shows good agreement.Використовуючи умову інтерференційних екстремумів визначено спектральну залежність коефіцієнта пропускання, як функцію товщини плівки, показника заломлення підкладки, ширини забороненої зони та параметрів Коші (α і β) напівпровідникових тонких плівок. Проведено моделювання коефіцієнта пропускання для структури – тонка плівка/підкладка. В якості модельних зразків обрано халькогеніди кадмію (CdTe, CdSe та CdS) осаджені на кварцові підкладки. Коефіцієнт пропускання підкладки встановлено експериментально для визначення його показника заломлення. Проводиться порівняння теоретичних результатів із експериментальними даними та вказується на хорошу збіжність