Physical-Chemical Interaction in the System AgInS2 − “P2S4” and Growing Crystals AgInP2S6

Методами рентгенівського фазового та диференціального термічного аналізів досліджено фізико-хімічну взаємодію в системі AgInS2 – “P2S4” і побудовано відповідну діаграму стану. Досліджувана системa характе- ризується утворенням тетрарної сполуки AgInP2S6, що конгруентно плавиться при 1053 ± 5 К. З тернарною сполукою AgInS2 вона утворює евтектику при ~28 мол. % “P2S4”. Температура евтектичної горизонталі − 855 ± 5 К. Сполука AgInP2S6 кристалізується в тригональній сингонії (просторова група Р31с) з параметрами елементар- ної комірки: а = 6,472; с = 13,33 Å. Z = 2. Методом направленої кристалізації розплаву вирощено монокристали AgInP2S6. The physical-chemical interaction in AgInS2 – “P2S4” system have been established using X-ray diffraction and differential thermal analysis. The proper phase diagram was built. The investigated system characterized by forming of the tetrary compound AgInP2S6 , which melts congruently at 1053 K. With ternary compound AgInS2 it forms eutectic at ~28 мол. % “P2S4”. The temperature of eutectic line − 855 ± 5 К. AgInP2S6 crystallizes in trygonal space group (Р31с) with cell parameters: а = 6,472; с = 13,33 Å, Z = 2. Single crystal of AgInP2S6 were grown by Bridgman method

The Interaction of Components in the System Kvaziternary Cu2Se−In2Se3−“P2Se4” and the Construction of Phase Equilibrium Diagrams.

Методами рентгенівського фазового та диференціального термічного аналізів досліджено систему Cu2Se−In2Se3−“P2Se4” та побудовано її діаграму фазових рівноваг при 670 К. Вивчено фізико-хімічну взаємодію в системах CuInP2Se6−In4(P2Se6)3 та CuInSe2−“P2Se4” і побудовано відповідні діаграми стану. Встановлено, що CuInP2Se6 плавиться конгруентно при температурі 923 ± 5 К. Досліджено межі областей гомогенності для тетрарної CuInP2Se6 та тернарної In4(P2Se6)3 сполук. Запропоновано механізм утворення твердих розчинів. Методами ХТР та направленої кристалізації розплаву вирощено монокристали CuInP2Se6. The Cu2Se−In2Se3−“P2Se4” system have been established using X-ray diffraction and differential thermal analysis. The physical-chemical interaction in the CuInP2Se6−In4(P2Se6)3 and CuInSe2−“P2Se4” systems was studied and proper T-x diagram was built at 670 K. Established that CuInP2Se6 congruently melting at 923 ± 5 K. The regions of homogeneity for tetrary CuInP2Se6 and ternary In4(P2Se6)3 compounds were determined. Mechanize proposed formation of solid solutions. Single crystals of CuInP2Se6 were grown by CVT and Bridgman methods

Investigation of the dielectric, optical and photorefractive properties of Sb-doped Sn2P2S6 crystals

International audienceIn this work we report results on electro-physical, optical and photorefractive investigations for Sb-doped Sn2P2S6 crystals. The crystals are obtained by two methods: the vapour-transport technique and the Bridgman technique using stoichiometric Sn2P2S6 composition with different amounts of antimony in the initial compound. The good optical quality of the crystals obtained with the Bridgman technique is underlined. The dependences of the photorefractive two-beam coupling coefficient and the grating build-up time are investigated at the wavelength of 633 nm. It is found that the sample doped with 1.5% of Sb is characterized by an optimal combination of the main photorefractive parameters exhibiting a fairly high two-beam coupling coefficient (up to 20 cm-1) and a short response time (1.3 ms) that is the shortest among all the previously studied Sn2P2S6 crystals in the red spectral region