Karakterisasi Film Tipis Cu-c60/mgo Akibat Penuaan(ageing)dengan Teknik Hamburan Raman

KARAKTERISASI FILM TIPIS Cu-C60/MgO AKIBAT PENUAAN(AGEING)DENGAN TEKNIK HAMBURAN RAMAN. Film tipis campuran antara Cu dan C60 telah dianalisis dengan menggunakan spektroskopi Raman. Campuran secara atomik dideposit pada substrat Mg(001). Pengujian topografi dengan mikroskop optik menunjukkan bahwa warna film di sebagian besar sisi luar adalah coklat muda dan berubah menjadi coklat tua pada bagian tengah film. Terjadinya Perubahan warna dapat diatributkan dengan baberapa jenis interaksi kimia antara Cu-Cu, Cu-C60, C60-C60 dan Perubahan alotrop molekul C60. Dari analisis spektroskopik Raman dapat disimpulkan bahwa ciri spektrum secara kuat berkorelasi dengan variasi warna yang bergantung pada daerah pengamatan. Pada tepi filmdengan warna coklat terang (ditunjukkan pada daerah 2 dan 3) atom-atom Cu berinteraksi secara kimia dengan fullerene (Cu-C60). Pada iteraksi ini terjadi pergeseran puncak kira-kira 6 cm-1dari puncak pristine C60 yang diamati untuk puncak-puncak Ag(2) dan Hg(8). Pada pusat film dengan warna coklat gelap (ditunjukkan pada daerah 3, daerah 4 dan daerah 5) terlihat sebagai puncak baru yanang secara tipikal seperti puncak D dan G yang secara umum berkaitan dengan formasi disordered graphite melalui konversi kimia dari C60 dibawah pengaruh oksidasi

Pengaruh Iluminasi Laser Pada Film Campuran Emas-fullerene (Auc60) Dalam Analisis Spectroskopi Raman

PENGARUH ILUMINASI LASER PADA FILM CAMPURAN EMAS-FULLERENE (AUC60) DALAM ANALISIS SPECTROSKOPI RAMAN. Analisis Raman secara rinci pada campuran antara emas danfullerene (C60) telah dilakukan dengan cara mengubah intensitas laser secara sistematik untuk mempelajari pengaruh agitasi termal pada campuran. Analisis pergeseran Raman menunjukkan bahwa Perubahan secara sistematik daya laser menyebabkan pergeseran dan penyempitan puncak Raman. Kenaikan daya laser dari 0,5 miliwatt ke 3 miliwatt akan menyebabkan pergeseran-penurunan frekuensi Raman. Besarnya pergeseran frekuensi Raman kira-kira 2 cm" dan 5,4 cm", masing-masing untuk mode Ag(2) dan Hg(8). Penurunan pergeseran yang diamati berkaitan dengan beberapa macam interaksi antara atom Au dan molekul C60, seperti Au dan C60 ,,softly bound'' yang peka pada suhu sehingga kemungkinan terjadi difusi Au dalam campuran, Nano-kristal Au menunjukkan sifat kimia yang bergantung ukuran (tergantung jumlah atom Au) dan hal penting dari nano-Au adalah kemungkinan penggunaan untuk penandaan DNA, dan posisi-sensitif spektroskopi Raman memberikan kita kesempatan untuk menganalisis reaksi bio-kimia dalam ruang topologi. Kenaikan daya iluminasi menyebabkan pergeseran frekswensi teramati. Iluminasi 0,5 miliwatt dipilih sebagai satu kondisi moderat

KARAKTERISASI FILM TIPIS Cu-C60/MgO AKIBAT PENUAAN(AGEING)DENGAN TEKNIK HAMBURAN RAMAN

KARAKTERISASI FILM TIPIS Cu-C60/MgO AKIBAT PENUAAN(AGEING)DENGAN TEKNIK HAMBURAN RAMAN. Film tipis campuran antara Cu dan C60 telah dianalisis dengan menggunakan spektroskopi Raman. Campuran secara atomik dideposit pada substrat Mg(001). Pengujian topografi dengan mikroskop optik menunjukkan bahwa warna film di sebagian besar sisi luar adalah coklat muda dan berubah menjadi coklat tua pada bagian tengah film. Terjadinya perubahan warna dapat diatributkan dengan baberapa jenis interaksi kimia antara Cu-Cu, Cu-C60, C60-C60 dan perubahan alotrop molekul C60. Dari analisis spektroskopik Raman dapat disimpulkan bahwa ciri spektrum secara kuat berkorelasi dengan variasi warna yang bergantung pada daerah pengamatan. Pada tepi filmdengan warna coklat terang (ditunjukkan pada daerah 2 dan 3) atom-atom Cu berinteraksi secara kimia dengan fullerene (Cu-C60). Pada iteraksi ini terjadi pergeseran puncak kira-kira 6 cm-1dari puncak pristine C60 yang diamati untuk puncak-puncak Ag(2) dan Hg(8). Pada pusat film dengan warna coklat gelap (ditunjukkan pada daerah 3, daerah 4 dan daerah 5) terlihat sebagai puncak baru yanang secara tipikal seperti puncak D dan G yang secara umum berkaitan dengan formasi disordered graphite melalui konversi kimia dari C60 dibawah pengaruh oksidasi

PENGARUH ILUMINASI LASER PADA FILM CAMPURAN EMAS-FULLERENE (AUC60) DALAM ANALISIS SPECTROSKOPI RAMAN

PENGARUH ILUMINASI LASER PADA FILM CAMPURAN EMAS-FULLERENE (AUC60) DALAM ANALISIS SPECTROSKOPI RAMAN. Analisis Raman secara rinci pada campuran antara emas danfullerene (C60) telah dilakukan dengan cara mengubah intensitas laser secara sistematik untuk mempelajari pengaruh agitasi termal pada campuran. Analisis pergeseran Raman menunjukkan bahwa perubahan secara sistematik daya laser menyebabkan pergeseran dan penyempitan puncak Raman. Kenaikan daya laser dari 0,5 miliwatt ke 3 miliwatt akan menyebabkan pergeseran-penurunan frekuensi Raman. Besarnya pergeseran frekuensi Raman kira-kira 2 cm" dan 5,4 cm", masing-masing untuk mode Ag(2) dan Hg(8). Penurunan pergeseran yang diamati berkaitan dengan beberapa macam interaksi antara atom Au dan molekul C60, seperti Au dan C60 ,,softly bound'' yang peka pada suhu sehingga kemungkinan terjadi difusi Au dalam campuran, Nano-kristal Au menunjukkan sifat kimia yang bergantung ukuran (tergantung jumlah atom Au) dan hal penting dari nano-Au adalah kemungkinan penggunaan untuk penandaan DNA, dan posisi-sensitif spektroskopi Raman memberikan kita kesempatan untuk menganalisis reaksi bio-kimia dalam ruang topologi. Kenaikan daya iluminasi menyebabkan pergeseran frekswensi teramati. Iluminasi 0,5 miliwatt dipilih sebagai satu kondisi moderat

Prospects of Spin Catalysis on Spin-Polarized Graphene Heterostructures

Extreme points on potential energy surfaces of Ni adatom on free-standing graphene and top:fcc and hcp:fcc graphene/ Ni(111) heterostructures in different spin states were studied using periodic boundary conditions density functional theory approach. It was found that the spin states of the substrates strongly influence the energy of the Ni adatom extreme points on potential energy surface by decreasing (top:fcc heterostructure) or increasing (hcp:fcc heterostructure) the total energies of Z1, Z1 , and Z2 Ni adatom coordinations on graphene. This phenomenon offers unique possibilities to control the potential energy surfaces of transition metal adatoms and promote surface chemical reactions using induced spin polarization of graphene substrates

Interface-induced perpendicular magnetic anisotropy of Co nanoparticles on single-layer h-BN/Pt(111)

Ferromagnetism with perpendicular magnetic anisotropy (PMA) was observed at room temperature in cobalt nanoparticles (NPs) grown on hexagonal boron nitride (h-BN) on a Pt(111) surface. It was shown that the Co NPs have planar hexagonal shapes with a mean diameter of ∼20 nm and a mean height of ∼1.6 nm. The depth-resolved analysis of X-ray magnetic circular dichroism at the Co L2,3-edges revealed that in the ferromagnetic Co NPs, the ratio of the orbital magnetic moment to the spin magnetic moment in the out-of-plane direction becomes larger at the Co NP/h-BN interface than the ratio in bulk Co. The B and N K-edge near edge X-ray absorption fine structures showed the orbital hybridization between the π orbitals of h-BN and d orbitals of Co at the interface, as an origin of the orbital magnetic moment enhancement possibly giving rise to PMA in the Co NPs

Synchrotron X-ray standing wave Characterization of atomic arrangement at interface between transferred graphene and α-Al2O3(0001)

Graphene is expected to be one of the most promising materials for nanoelectronics and spintronics. In most graphene-based devices, the graphene channel is placed on insulating substrates. Therefore, the study of interfacial interactions between graphene and the insulator surface is of critical importance. In this study, the vertical arrangement of graphene which is transferred on α-Al2O3(0001) has been studied by normal incidence X-ray standing wave (NIXSW) technique. The analysis of the NIXSW profile reveals that the graphene layer is located at 3.57 Å above the α-Al2O3(0001) surface, which is larger than the interlayer distance of graphite (3.356 Å). Micro-Raman spectroscopy shows that the transferred graphene has a limited spatial distribution of hole concentration. The present study shows that transferred graphene on the sapphire substrate followed by vacuum-annealing has an atomically flat surface free from residual contaminations such as organic compounds and there occurs the hole-doping in graphene

Sputtering Yields of Si Bombarded with 10-540-keV C60 Ions

Sputtering yields of Si have been measured for C60 ions in the energy range from 10 to 540 keV, where the nuclear stopping is dominant, by measuring thickness change of a pre-amorphized layer with conventional Rutherford-backscattering spectroscopy. The measured sputtering yield shows the maximum, which is approximately 600 Si/C60, around 100 keV. Comparing with the sputtering yields for a monatomic ion calculated both based on the linear-collision-cascade theory of Sigmund and using the SRIM2008 code, nonlinear effect on the sputtering yield has been observed. The nonlinear effect depends on the energy of C60 ions: it is very large around the energies where the sputtering yield has the maximum and hardly observed at 10 keV