Исследование параметров контроля качества дефектоскопических материалов

Цель данной работы - исследование параметров контроля качества дефектоскопических материалов. Изучена технология проведения контроля, параметры качества дефектоскопических материалов. В результате оценена проникающая способность наборов дефектоскопических материалов. Приведен анализ факторов, влияющих на качество дефектоскопических материалов.The purpose of this work is to study the quality control parameters of flaw detection materials. The control technology, quality parameters of flaw detection materials were studied. As a result, the penetration ability of flaw detector kits was evaluated. The analysis of factors affecting the quality of flaw detection materials is given

Mikrostruktur des porösen Siliziums: optische und elektronenspektroskopische Untersuchungen

Im Rahmen dieser Arbeit wurden Halbleiterschichtsysteme mittels R.aman-Spektroskopie, Infrarot-Spektroskopie, Ellipsometrie, LEED, AES, XPS, UPS und TEM charakterisiert. Bei den Proben handelte es sich um GaAs / Si (100) Heteroepitaxieschichten und poröse Silicium-Filme. Die porösen Schichten wurden an der Universität in Grenoble hergestellt. Da die Dotierung des Substrats wesentlich die mikroskopische Struktur der porösen Silicium-Schichten beeinflußt, wurden sowohl p- als auch p$^{+}$-dotierte Proben untersucht. Die Porosität der Proben variierte zwischen 36% und 75%. Zusätzlich wurde noch der Einfluß der Präoxidation aufdie physikalischen Eigenschaften der porösen Schichten untersucht. Alle wichtigen physikalischen Eigenschaften dieser Schichten sind eng mit ihrer Porosität verknüpft. Für Schichten auf p$^{+}$-dotierten Substraten wurde gezeigt, daß die Wärmeleitfähigkeit im Vergleich zum Silicium drastisch reduziert ist und daß sie mit steigender Porosität abnimmt. Die Gitterkonstante der porösen Schicht nimmt mit der Porosität zu und wird zusätzlich noch durch die Präoxidation vergrößert. Diese Dehnung des Kristallgitters erniedrigt die Phononenfrequenz des Siliciums in der porösen Schicht. Eine Phononfrequenzverschiebung wird ebenfalls durch die Ausbildung von Siliciumsm-Mikrokristalliten verursacht. Spektren der inelastischen Lichtstreuung zeigen einen asymmetrischen Phononpeak. Aufgrund eines Modells, daß die Einsperrung von Phononen in endlich großen Kristalliters berücksichtigt, wurden aus der Linienform sowie der Frequenzlage des Phononpeaks eine Häufigkeitsverteilung für die Mikrokristallitdurchmesser bestimmt. Diese Häufigkeitsverteilungen zeigen, daß Verteilungsmaxima für Durchmesser um 45$\mathring{A}$ bzw. 25$\mathring{A}$ existieren und ihre relative [...